Produkte > BSP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| BSP61,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP DARL 60V 1A SOT-223 Power - Max: 1.25 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP - Darlington Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP61,115 | Nexperia | Trans Darlington PNP 60V 1A 1250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP61-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BSP61-Q/SOT223/SC-73 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP61-QX | Nexperia | BSP61-Q/SOT223/SC-73 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP61.115 | NXP | PNP 60V 1A 1.25W 200MHz BSP61 Nexperia TBSP61 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSP61.115 Produktcode: 153089
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSP612PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP612PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL+P-CH Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP612PH6327XTSA1 | Infineon | BSP612PH6327XTSA1 BSP612P Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP613 | INFLNEON | 07+ SOT-223 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP613P | INF | 09+ | auf Bestellung 4018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP613P | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP613P Produktcode: 115503
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| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSP613P H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3 | auf Bestellung 1148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP613P L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs P-Ch -60V 2.9A SOT-223-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP613PH6327 | Infineon | BSP613PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP613PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 19000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP613PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3 | auf Bestellung 4759 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP613PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP613PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,9 А, Ptot, Вт = 1,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 875 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 2,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP613PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 4139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP613PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP613PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP613PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP613PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223 Mounting: SMD Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Drain current: -2.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT223 On-state resistance: 0.13Ω | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP613PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP613PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4 FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 6030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP613PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3836 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP613PH6327XTSA1 Produktcode: 135503
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSP613PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP613PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP613PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 14272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP613PL6327 | INFINEON | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSP613PL6327 | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP613PL6327HUSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP615S2L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 12µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP615S2L | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP615S2L | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP615S2LHUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP61E6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT223 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Transistor Type: PNP - Darlington Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Bulk | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP61E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Darlington PNP 60V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP61E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Darlington PNP 60V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 30880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP61E6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP61E6327HTSA1 - BSP61 - BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 43880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP61E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223-4 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP - Darlington Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Bulk | auf Bestellung 43880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP61E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223-4 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP - Darlington Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP61H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Darlington PNP 60V 1A 1500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP61H6327XTSA1 | Infineon | Trans Darlington PNP 60V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT223 BSP61H6327XTSA1 TBSP61h Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSP61H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP61H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Darlington PNP 60V 1A 1500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 55000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP61H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Darlington Transistors AF TRANSISTORS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP61H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Darlington PNP 60V 1A 1500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP61H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Darlington PNP 60V 1A 1500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP61H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Darlington PNP 60V 1A 1500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP62 | Nexperia | Darlington Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP62 T/R | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS DARLINGTON TAPE-7 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP62(E6327) | INF | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSP62,115 | Nexperia | Darlington Transistors BSP62/SOT223/SC-73 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP62,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP62,115 - Darlington-Transistor, PNP, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: SOT-223 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP62,115 | NXP | Transistor PNP; 2000; 1,5W; 80V; 1A; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BSP62,115; BSP62H6327XTSA1; BSP62.115; BSP62H6327TR; BSP 62 H6327; BSP 62 H6327 TR; BSP62H6327XTSA1; BSP62; BSP62,115 TBSP62 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 796 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSP62,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.25W Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Frequency: 200MHz Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP62,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP DARL 80V 1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP62,115 Produktcode: 74177
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSP62,115 | Nexperia | Trans Darlington PNP 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | auf Bestellung 462 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP62,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP62,115 - Darlington-Transistor, PNP, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - HF-Transistor: SOT-223 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP62,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP DARL 80V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP62,115 | NXP | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP62,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 500MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP62-E6327 | auf Bestellung 2080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP62-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP DARL 80V 1A SOT-223 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP62-QX | Nexperia | Trans Darlington PNP 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP62-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP62-QX - Darlington-Transistor, PNP, 80 V, 1.25 W, 1 A, SC-73, 4 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: SC-73 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP62-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP DARL 80V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP62-QX | Nexperia | Darlington Transistors SOT223 90V 1A PNP DARLINGTON | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP62-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP62-QX - Darlington-Transistor, PNP, 80 V, 1.25 W, 1 A, SC-73, 4 Pin(s) tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP62.115 Produktcode: 58151
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSP62E6327 | Infineon | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP62E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP62E6327XT Produktcode: 94532
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| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSP62H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Darlington Transistors AF TRANSISTORS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP62H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP62H6327XTSA1 | Infineon | Trans Darlington PNP 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP 62 H6327; BSP 62 H6327 TR; BSP62E6327HTSA1; BSP62H6327XTSA1; BSP62H6327HTSA1 TBSP62 INF Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSP62H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Darlington PNP 80V 1A 1500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP62H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.5W; TO261-4 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: TO261-4 Current gain: 2k Mounting: SMD Frequency: 200MHz Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP68 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BsP69 Produktcode: 124310
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| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
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| BsP69 | PHI | 2001 SOT-89 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP6K-800 | Shenzhen | BSP6K-800 1000 Ом P6: 1000 Ohm, 800V, Tswitch=75C, 5*3mm Термістори | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP6K-800:P6:680Ohm,900V,120C,6*3 | Shenzhen Bian's Import an | BSP6K-800:P6:680Ohm,900V,120C,6*3 680 Ом P6: 800V Tswitch=120C 6*3mm (CROSS MZ31-05P681N800 /AMPRON) Термістори | auf Bestellung 955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP6K-900 Produktcode: 131682
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| Passive Bauelemente > Thermistoren | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSP6K-900:P6:650Ohm,900V,100C,6*3 | Shenzhen Bian's Import an | BSP6K-900:P6:650Ohm,900V,100C,6*3 650 Ом P6: 900V 100гр 6*3мм Термістори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP6K-900:P6:850 Ohm,900V,100C, 6*3 | Shenzhen Bian's Import an | BSP6K-900:P6:850 Ohm,900V,100C, 6*3 BSP6K-900, 850 Ом PolySwitch P6: 900V Tswitch=100C 6*3mm PTC (cross MZ31-05N851N900 /AMPRON) Термістори | auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP716N H6327 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP716NH6327 | Infineon technologies | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSP716NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP716NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 2.3 A, 0.122 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP716NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 2.3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP716NH6327XTSA1 | Infineon | BSP716NH6327XTSA1 BSP716N Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP716NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 2.3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP716NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+N-CH | auf Bestellung 422 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP716NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP716NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP716NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 2.3 A, 0.122 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSP716NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 2.3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 41 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
