Produkte > DTA
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DTA123EMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Description: PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EMFHAT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP SOT-723 -50V VCC -0.1A IC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Description: PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | auf Bestellung 7640 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123EMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin VMT T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123EMHZGT2L | Rohm Semiconductor | DTA123EMHZGT2L | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EMHZGT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-723, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive, suitable for inverter and interface, driver. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R | auf Bestellung 7880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DGTL PNP 50V 100MA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R | auf Bestellung 1551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1316 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Supplier Device Package: VMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA | auf Bestellung 7800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123ESATP | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EU | ROHM | SOT23 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EU T106 | ROHM | SOT323-12 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EU T106 SOT323-12 | ROHM | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DTA123EU T106 SOT323-12 | ROHM | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DTA123EU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 2170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123EU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA123EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA123E Widerstandsverhältnis R1/R2: 1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123EU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -50V -0.1A 2.2kO SOT-323 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1667 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA123EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123EU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: DTA123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123EU3T106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -50 VCEO -0.1A SOT-323 | auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123EU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 107 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTA123EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA123E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: DTA123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: UMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123EU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTA123EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA123E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EUA | Yangjie Electronic Technology | DTA123EUA | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123EUA T106 | ROHM | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 818 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EUA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123EUA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EUA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123EUA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EUA/F | ROHM | 05+ F | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EUAFRAT106 | ROHM | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 2848 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EUAHRAT106 | ROHM | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 1296 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EUAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA123EUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123EUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 10179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123EUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 10179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123EUAT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 100MA | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123EUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: UMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 148 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: UMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123EUT106 | auf Bestellung 3150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTA123EU\12 | ROHM | SOT-323 | auf Bestellung 6100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JCA | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123JCA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ Mounting: SMD Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP Case: SOT23 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Base-emitter resistor: 47kΩ Base resistor: 2.2kΩ Frequency: 250MHz Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JCA | Yangjie Electronic Technology | DTA123JCA | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123JCA-HF | Comchip Technology | Digital Transistors TRANS DIGITAL PNP 50V 200mW SOT-23 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JCA-HF | Comchip Technology | Digital Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JCA-HF | Comchip Technology | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JCA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JCA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JCA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors Sgle PNP, -100mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JCAHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JCAHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: BIPOLAR TRANSISTORS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123JCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123JCAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-23, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | auf Bestellung 1212 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123JCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.1A SST3 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123JCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123JCAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -100mA -50V w/bias resistor | auf Bestellung 3218 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123JCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.1A SST3 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 2840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123JE | Yangjie Electronic Technology | DTA123JE | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123JE | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JE | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.15W; SOT523; R1: 2.2kΩ Mounting: SMD Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP Case: SOT523 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Collector-emitter voltage: 50V Base-emitter resistor: 47kΩ Base resistor: 2.2kΩ Frequency: 250MHz Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JE | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123JE | onsemi | onsemi SS SC75 BR XSTR PNP 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JE-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-523 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Package / Case: SOT-523 Packaging: Cut Tape (CT) Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123JE-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors PNP 2.2KOhms 250MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JE-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-523 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123JE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123JE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123JE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA123JE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123JE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA123JE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123JE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123JE3HZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | auf Bestellung 5956 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123JE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123JE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123JE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 2740 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123JE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTA123JE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123JE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTA123JE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123JE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JEBHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A EMT3F Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-89, SOT-490 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JEBHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A EMT3F Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-89, SOT-490 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA123JEBHZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP SOT-416FL 2.2kO Input Resist | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | auf Bestellung 3390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1894 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-89, SOT-490 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | auf Bestellung 4080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123JEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTA123JEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA123JEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-89, SOT-490 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
