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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1173+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1173 Stücke
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FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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1121+0.6 EUR
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FDC6302PFAIRCHILDTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin SuperSOT T/R
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1173+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1173 Stücke
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FDC6302P-NL
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FDC6302P_QON Semiconductor / FairchildMOSFET SSOT-6 P-CH -25V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 114783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.68 EUR
327+0.71 EUR
372+0.57 EUR
500+0.52 EUR
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 114783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.68 EUR
327+0.71 EUR
372+0.57 EUR
500+0.52 EUR
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.3nC
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
328+0.55 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 328 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 34991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.4 EUR
25+0.87 EUR
50+0.64 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH 25V
auf Bestellung 14133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+0.64 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303N-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303N/303FAIR
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDC6303N_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-6 N-CH 25V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6304PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 75695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
889+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 889 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 76937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1523+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1523 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6304PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6304PON Semiconductor / FairchildMOSFET SSOT-6 P-CH -25V
auf Bestellung 11432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6304P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5nC
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 7462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
50+0.81 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
213+1.09 EUR
241+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+0.75 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.17 EUR
148+1.12 EUR
149+1.07 EUR
250+1.02 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
749+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 749 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
auf Bestellung 33949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+0.81 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
213+1.09 EUR
241+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.2 EUR
149+1.18 EUR
250+1.15 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.39 EUR
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
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FDC6305N/305FAIR
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FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6306PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
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10+0.8 EUR
100+0.7 EUR
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1000+0.54 EUR
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FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 6034 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
20+1.08 EUR
50+0.8 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 25748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.03 EUR
256+0.9 EUR
290+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1.9A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.9A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.2nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+0.75 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 25748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.03 EUR
256+0.9 EUR
290+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6308PFAIRCHILDFDC6308P
auf Bestellung 14500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+1.5 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.2 EUR
10000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6308PFAIRCHILDFDC6308P
auf Bestellung 10502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+1.5 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.2 EUR
10000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6308PFAIRCHILDFDC6308P
auf Bestellung 3906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+1.5 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6308PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.7A SSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 28908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
356+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6308P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 25002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
629+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 629 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6308P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC630CFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2664+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2664 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC630CONSEMIDescription: ONSEMI - FDC630C - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC630CON SemiconductorFDC630C
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2738+0.24 EUR
10000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2738 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
201+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1349+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1349 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
366+0.49 EUR
414+0.43 EUR
419+0.4 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 366 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PONS/FAI2 P-Channel (Dual), 20V, 2.2A, SSOT-6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+0.32 EUR
12000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 4312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
18+1.18 EUR
50+0.87 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
201+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PonsemiMOSFETs Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench
auf Bestellung 3936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+0.88 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1349+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1349 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.08 EUR
269+0.64 EUR
390+0.43 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310P_Qonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1904 Stücke:
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97+2.59 EUR
198+1.18 EUR
223+0.96 EUR
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1500+0.7 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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3000+0.6 EUR
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FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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332+0.54 EUR
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364+0.46 EUR
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1000+0.42 EUR
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FDC6312POn SemiconductorMOSFET SSOT-6 P-CH DUAL Транзистори
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FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1196 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
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10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
50+1.05 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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