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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDC6304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 76937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1523+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1523 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6304PON Semiconductor / FairchildMOSFET SSOT-6 P-CH -25V
auf Bestellung 11432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6304PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6304P
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6304PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 75695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
889+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 889 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6304P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
auf Bestellung 44692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.58 EUR
100+0.98 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.6 EUR
365+0.45 EUR
399+0.4 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
735+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 735 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 17005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.15 EUR
176+1.32 EUR
236+0.9 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.73 EUR
285+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
365+0.48 EUR
399+0.43 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 365 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.17 EUR
149+1.14 EUR
250+1.12 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.24 EUR
237+0.7 EUR
283+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
auf Bestellung 24350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.51 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
19+1.12 EUR
50+0.82 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 17005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.15 EUR
176+1.32 EUR
236+0.9 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+0.69 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.13 EUR
148+1.08 EUR
149+1.04 EUR
250+0.99 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.96W
Gate charge: 5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1.19 EUR
92+0.93 EUR
106+0.81 EUR
148+0.57 EUR
167+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305N/305FAIR
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
auf Bestellung 16894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+0.8 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 26783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.03 EUR
190+1.23 EUR
290+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.65 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
auf Bestellung 16489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.04 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 28109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.78 EUR
19+1.11 EUR
50+0.81 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 26783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.03 EUR
190+1.23 EUR
290+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6308PON SemiconductorFDC6308P
auf Bestellung 3906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+1.45 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6308PON SemiconductorFDC6308P
auf Bestellung 14500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+1.45 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.15 EUR
10000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6308PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.7A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
auf Bestellung 28908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
356+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6308P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 25002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
629+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 629 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6308PON SemiconductorFDC6308P
auf Bestellung 10502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+1.45 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.15 EUR
10000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6308P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC630CFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2664+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2664 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC630CONSEMIDescription: ONSEMI - FDC630C - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC630CON SemiconductorFDC630C
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2738+0.24 EUR
10000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2738 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1349+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1349 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PONS/FAI2 P-Channel (Dual), 20V, 2.2A, SSOT-6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
auf Bestellung 5197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.78 EUR
20+1.08 EUR
100+0.56 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.15 EUR
191+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.05 EUR
269+0.62 EUR
390+0.4 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310Ponsemi / FairchildMOSFETs Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench
auf Bestellung 4591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+0.89 EUR
100+0.52 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.43 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1349+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1349 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.15 EUR
191+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
366+0.48 EUR
414+0.4 EUR
419+0.39 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 366 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.31 EUR
18000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310P_Qonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 P-CH DUAL
auf Bestellung 7716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.21 EUR
100+0.81 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.52 EUR
6000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.57 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312POn SemiconductorMOSFET SSOT-6 P-CH DUAL Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
15+1.44 EUR
50+1.07 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
147+1.58 EUR
223+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH DUAL
auf Bestellung 34318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.05 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.69 EUR
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.51 EUR
74+1.15 EUR
84+1.02 EUR
113+0.75 EUR
129+0.67 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.57 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+2.59 EUR
147+1.58 EUR
223+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
332+0.52 EUR
334+0.51 EUR
360+0.46 EUR
364+0.44 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 332 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PNLFAIRCHILD
auf Bestellung 3788 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6318PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6318PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.51 EUR
6000+0.48 EUR
9000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6318PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.04 EUR
168+1.01 EUR
170+0.98 EUR
250+0.95 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6318PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6180 Stücke:
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96+2.62 EUR
174+1.34 EUR
247+0.87 EUR
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1000+0.83 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6318PFairchild/ON SemiconductorТранзистор польовий N+P, Udss, В = 12, Id = 2,5, Ciss, пФ @ Uds, В = 455 @ 6, Qg, нКл = 8, Rds = 90 мОм, Ugs(th) = 1,5, Р, Вт = 0,7, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SSOT-6 Очікується: 3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6318PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.96W
Gate charge: 8nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -2.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -12V
auf Bestellung 2287 Stücke:
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71+1.21 EUR
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108+0.79 EUR
136+0.63 EUR
250+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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FDC6318PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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1998+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1998 Stücke
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FDC6318PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6318Ponsemi / FairchildMOSFETs SuperSOT-3
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100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.49 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDC6318PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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345+0.46 EUR
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1000+0.37 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.31 EUR
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FDC6318PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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500+0.5 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.38 EUR
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FDC6318PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
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FDC6318PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6318PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
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11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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FDC6318PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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