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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF2807Z
Produktcode: 46772
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A Automotive 3-Pin(3+Tab)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6327 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO262
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+2.42 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+2.42 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.83 EUR
64+2.69 EUR
100+1.9 EUR
500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+2.42 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.01 EUR
10+3.33 EUR
100+2.39 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 9400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+5.97 EUR
63+3.69 EUR
100+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+2.42 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF
Produktcode: 58174
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFInternational RectifierN-кан. MOSFET 75V, 82A, 0.013Ом, 230Вт, TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 223000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+2.42 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.93 EUR
10000+1.69 EUR
100000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.81 EUR
65+2.62 EUR
100+1.82 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZS
Produktcode: 186277
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.11 EUR
10+3.5 EUR
100+2.53 EUR
800+2.24 EUR
2400+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2807ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 27200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.92 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.33 EUR
10000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2807ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBFInfineon
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2903ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2903ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2903ZPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF2903ZPBF - IRF2903Z - TRENCH < 40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2903ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2903ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2903ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 260A 2.4mOhm 160nC Qg
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.47 EUR
10+4.9 EUR
100+3.67 EUR
500+3.28 EUR
1000+2.76 EUR
2000+2.68 EUR
5000+2.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2903ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2903ZSIRDO-41
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2903ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2903ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2903ZSTRLInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2903ZSTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2903ZSTRLPInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 260A 2.4mOhm 160nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2903ZSTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907STRLIR04+
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZLPBFInternational RectifierTO-262 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 160A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZPBFInternational RectifierDescription: IRF2907 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
auf Bestellung 21176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
145+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2755+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2755 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 170A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.33 EUR
22+3.99 EUR
29+2.96 EUR
50+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZPBFInternational RectifierTO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.53 EUR
38+4.59 EUR
100+3.32 EUR
500+3.13 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC
auf Bestellung 2656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.02 EUR
10+4.9 EUR
100+3.69 EUR
250+3.67 EUR
500+3.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.57 EUR
50+4.91 EUR
100+4.72 EUR
200+3.26 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.61 EUR
2000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2700+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZPBF
Produktcode: 125164
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2705+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2705 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2907ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.47 EUR
39+5.99 EUR
100+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZSIRTO-263
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZS-7PInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZS-7P
Produktcode: 99615
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 120 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,8 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7580/170
Produkt ist nicht verfügbar
1+5.38 EUR
10+5.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZS-7PPBF
Produktcode: 128961
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZS-7PPBFInfineon / IRMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms 170nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZS-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 110A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZSPBFInfineon / IRMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 180nC
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZSPBFInfineon TechnologiesIRF2907ZSPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube Si - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZSPBF
Produktcode: 175653
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
auf Bestellung 9066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.33 EUR
10+5.81 EUR
100+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC
auf Bestellung 2051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.79 EUR
10+5.84 EUR
100+4.14 EUR
500+3.94 EUR
800+3.89 EUR
2400+3.75 EUR
4800+3.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2910S
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3 1 10%VishayRF inductors - Leaded
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3 10 10%VishayRF inductors - Leaded
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3 10 10%TRVishay / DaleRF inductors - Leaded 10uH 10% Axial Leaded
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3 10 10%TR R36VishayRF inductors - Leaded
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3 100 10%VishayRF inductors - Leaded
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3 150 10%VishayRF inductors - Leaded
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3 1K 10%VishayRF inductors - Leaded
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3 220 10%VishayRF inductors - Leaded
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3 3.3 10%VishayRF inductors - Leaded
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3 3.3 10%TRVishayRF inductors - Leaded
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IRF3000International RectifierMOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC Транзистори
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