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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFL014NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 5402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+2.13 EUR
189+1.24 EUR
276+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 82500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.38 EUR
5000+0.33 EUR
7500+0.32 EUR
12500+0.31 EUR
17500+0.3 EUR
25000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014NTRPBF
Produktcode: 23060
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 300/11
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
1+0.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014NTRPBFTECH PUBLICHEXFET N-CH 55 V 1.9 A 140 mOm SOT-223 PbFree Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 82500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.38 EUR
5000+0.32 EUR
7500+0.31 EUR
12500+0.3 EUR
17500+0.27 EUR
25000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC
auf Bestellung 48484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.37 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.54 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
auf Bestellung 32748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.38 EUR
184+0.92 EUR
255+0.63 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014PBF
Produktcode: 175503
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014PBFVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFL014TRPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 1,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 80 Stücke
verfügbar 1724 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014SIRSOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRSiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 2,7A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL014; IRFL014TR; IRFL014TR-BE3; IRFL014 TIRFL014
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBF
Produktcode: 196249
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 2,7 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 300/11
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.43 EUR
10+0.39 EUR
100+0.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 60V 2.7 Amp
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.82 EUR
100+1.25 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 1,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFL014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBF
Produktcode: 162075
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Vishay SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 2,7 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 300/11
Montage: SMD
auf Bestellung: 172 St.
  • 172 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.55 EUR
10+0.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT223 N-CH 60V 2.7A
auf Bestellung 43482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.55 EUR
100+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.63 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.55 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBF-BE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFL014TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.7A, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 4427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.58 EUR
10+2.94 EUR
100+2.01 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.55 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL0242IOR06+
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024N
Produktcode: 45963
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 2,8 A, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18,3 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 80 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NPBF
Produktcode: 88893
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 2,8 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/18,3
Montage: SMD
auf Bestellung: 266 St.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NQIR07+ SOT-223
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NTRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL024N TIRFL024n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NTRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 2,8 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18,3 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 155 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC
auf Bestellung 2964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.5 EUR
10+0.92 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
459+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 459 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NTRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 Транзистори
auf Bestellung 782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 5.1mOhms 9.1nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZPbF (Transistor)
Produktcode: 76176
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 5,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 57,5 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 340/9,1
Montage: SMD
verfügbar: 10 St.
  • 10 St. - stock Köln
auf Bestellung: 104 St.
  • 104 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.64 EUR
10+0.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRInfineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRNKGLBDTTransistor N-MOSFET; Unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; 57,5m?; -55°C ~ 150°C; IRFL024Z TIRFL024z c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRInfineonTransistor N-MOSFET; Unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; 57,5m?; -55°C ~ 150°C; IRFL024Z TIRFL024z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC
auf Bestellung 17955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.17 EUR
100+0.81 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.5 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.55 EUR
5000+0.5 EUR
7500+0.49 EUR
12500+0.45 EUR
17500+0.44 EUR
25000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.43 EUR
7500+0.39 EUR
12500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 5,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 25, Qg, нКл = 14, Rds = 57,5 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-261AA Очікується: 35 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 38 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
5000+0.42 EUR
7500+0.38 EUR
12500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
5000+0.42 EUR
7500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
5000+0.42 EUR
7500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm
auf Bestellung 10166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
158+1.48 EUR
212+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 53387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.15 EUR
16+1.34 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 21324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.49 EUR
173+0.98 EUR
240+0.68 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.39 EUR
5000+0.32 EUR
12500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 21324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.49 EUR
173+1 EUR
240+0.7 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.37 EUR
12500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm
auf Bestellung 10166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.48 EUR
166+1.4 EUR
223+0.96 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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IRFL1006Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
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IRFL1006IRSOT-223
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFL1006International RectifierHEXFET SOT-223 Транзистори
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IRFL1006PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
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IRFL1006TRInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRFL1006TRIOR
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IRFL1006TRPBFIRSOT223 0535+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFL110Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFL110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
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IRFL110IRSOT-223
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFL110PBFVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
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IRFL110PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 900 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Ptot2, Вт = 3,1,... Транзистори Корпус: SOT-223 О
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
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IRFL110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFL110PBFТранзистори
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IRFL110TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRFL110TRVishayTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 540mOhm; 1,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL110 TIRFL110
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRFL110TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
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IRFL110TRPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 900 мA, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IRFL110TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.83 EUR
147+1.58 EUR
150+1.43 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
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IRFL110TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRFL110TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 8.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.96A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 0.54Ω
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.98 EUR
64+1.33 EUR
74+1.17 EUR
95+0.9 EUR
104+0.82 EUR
250+0.75 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IRFL110TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 100V 1.5 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFL110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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