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2N7002KWQYYN-Channel MOSFET; 60V; 340mA; 350mW; 3 Ohm; -55°C ~ 150°C; 2N7002KW-Q Yangzhou Yangjie Elec. T2N7002KW-Q YY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KWS-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-323S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 290mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KWS-TPMicro Commercial Components (MCC)Array
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KWS-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-323S T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KWS-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-323S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 290mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
77+0.27 EUR
124+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KW_R1_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
auf Bestellung 5904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+0.24 EUR
33+0.1 EUR
100+0.088 EUR
500+0.065 EUR
3000+0.046 EUR
24000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KW_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KW_R1_00001PanJitTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KW_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KW_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 115mA; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Case: SOT323
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KW_R1_000A2PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KW_R1_10001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KW_R2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KW_R2_000A2PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KW_R2_10001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K_R1_00001PanJitCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.046 EUR
9000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K_R1_00001PANJITN-Channel 60 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K_R1_00001PanJitTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
887+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 887 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K_R1_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
auf Bestellung 41259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+0.24 EUR
33+0.1 EUR
100+0.088 EUR
500+0.065 EUR
3000+0.046 EUR
9000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
auf Bestellung 65045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
91+0.23 EUR
143+0.14 EUR
202+0.1 EUR
233+0.09 EUR
500+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K_R1_00001PanJitTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K_R1_00501PanjitMOSFETs Small signal MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K_R1_10001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K_R2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K_R2_00001PanJitCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K_R2_10001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2N7002L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
auf Bestellung 79045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
870+0.29 EUR
1397+0.17 EUR
1606+0.13 EUR
1812+0.12 EUR
2021+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 870 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 29615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
538+0.33 EUR
539+0.32 EUR
540+0.31 EUR
541+0.3 EUR
543+0.29 EUR
544+0.27 EUR
545+0.26 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 538 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.061 EUR
9000+0.055 EUR
27000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
548+0.32 EUR
1107+0.15 EUR
1891+0.087 EUR
1905+0.083 EUR
1961+0.077 EUR
3907+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 548 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 29615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 22135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2321+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 2321 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2N7002L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
auf Bestellung 79045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
870+0.29 EUR
1397+0.17 EUR
1606+0.13 EUR
1812+0.12 EUR
2021+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 870 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LonsemiMOSFETs FET 60V 75 MOHM SOT23
auf Bestellung 2752719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
11+0.31 EUR
100+0.23 EUR
500+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1884+0.094 EUR
1902+0.093 EUR
1954+0.088 EUR
3892+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1884 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 34210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1693+0.1 EUR
1710+0.1 EUR
1902+0.09 EUR
3509+0.048 EUR
6000+0.045 EUR
9000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1693 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
543+0.33 EUR
544+0.32 EUR
545+0.31 EUR
3000+0.3 EUR
15000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 543 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.077 EUR
9000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002L6327INFINEONSOT-23 0827+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N7002L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-PO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LDBVRTexas InstrumentsMOSFETs N-channel 5V enhance ment mode field effe
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LDBZRTexas InstrumentsDescription: N-CHANNEL 5V ENHANCEMENT MODE FI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LDBZRTexas InstrumentsMOSFETs N-channel 5V enhance ment mode field effe
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.43 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
3000+0.21 EUR
9000+0.18 EUR
24000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LDBZRTexas InstrumentsDescription: N-CHANNEL 5V ENHANCEMENT MODE FI
auf Bestellung 1854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
35+0.61 EUR
50+0.44 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LDCKRTexas InstrumentsDescription: NCHANNEL 5V ENHANCEMENT MODE FIE
auf Bestellung 2148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
33+0.64 EUR
50+0.46 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LDCKRTexas InstrumentsDescription: NCHANNEL 5V ENHANCEMENT MODE FIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002LT1onsemiMOSFETs 60V 115mA N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
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2N7002LT1On SemiconductorN-кан. MOSFET 60V, 0.115A, 0.20Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1
Produktcode: 9916
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ONTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,115 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/-
Montage: SMD
verfügbar: 145 St.
  • 145 St. - stock Köln
21+0.058 EUR
26+0.046 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 21 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1 SOT23-702ON
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1(702)
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9083 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6623+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 6623 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 285000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
74+0.29 EUR
104+0.2 EUR
119+0.18 EUR
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 294000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
27000+0.1 EUR
51000+0.1 EUR
102000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ptot, Вт = 0,225, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
auf Bestellung 528809 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.62 EUR
893+0.26 EUR
1151+0.19 EUR
1345+0.15 EUR
1556+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 23821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 348 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R) 2N7002LT1G ON SEMICONDUCTOR T2N7002 ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 5395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G
Produktcode: 127379
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ONTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 0,115 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/
Montage: SMD
auf Bestellung: 2192 St.
  • 2192 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+0.098 EUR
16+0.079 EUR
100+0.063 EUR
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 13 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 354000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6452+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 6452 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9083 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
auf Bestellung 528809 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
404+0.62 EUR
893+0.26 EUR
1151+0.19 EUR
1345+0.15 EUR
1556+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 285000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.086 EUR
6000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 14577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
457+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 457 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GOn SemiconductorN-кан. MOSFET 60V, 0.115A, 0.20Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GonsemiMOSFETs 60V 115mA N-Channel
auf Bestellung 447438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
10+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 354000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6452+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 6452 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G/702ON
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1HonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1SOT23-702
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 140000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3585+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3585 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002LT3GON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ptot, Вт = 0,225, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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