Produkte > 2SJ
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| 2SJ653 | SANYO | 05+ | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ653 | onsemi | Description: MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | auf Bestellung 37609 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SJ653-CB11 | Sanyo | Description: MOSFET FOR 60V MOTOR DRIVERS Packaging: Bulk | auf Bestellung 16634 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SJ653-CB11 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ653-CB11 - 2SJ653-CB11, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 16634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SJ653-CB11-ON | onsemi | Description: MOSFET FOR 60V MOTOR DRIVERS Packaging: Bulk | auf Bestellung 6150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SJ654 | SANYO | auf Bestellung 7800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| 2SJ654 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ654 - 2SJ654, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 16643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SJ654Z | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SJ655 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220ML Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220ML Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 136mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | auf Bestellung 71306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SJ655 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ655 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.1 ohm, TO-220ML, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220ML Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 154286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SJ655-MG5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ655-MG5 - 2SJ655-MG5, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 7506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SJ655-MG5 | onsemi | Description: MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 7506 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SJ655-MG5-SY | Sanyo | Description: MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 17750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SJ656 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO220ML Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75.5mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Supplier Device Package: TO-220ML Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ659-DL-E | onsemi | Description: PCH 4V DRIVE SERIES | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 642 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ659-DL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ659-DL-E - 2SJ659 - P-CHANNEL 4V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SJ659-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ659-E - 2SJ659 - P-CHANNEL 4V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 8193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SJ660-DL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ660-DL-E - 2SJ660 - P-CHANNEL 4V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 737 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ660-DL-E | onsemi | Description: PCH 4V DRIVE SERIES | auf Bestellung 737 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 201 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ661-1E | ON Semiconductor | MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES | auf Bestellung 415 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ661-1E | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 38A TO262-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ661-1EX | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH I2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ661-1EX | Rochester Electronics, LLC | Description: PCH 4V DRIVE SERIES | auf Bestellung 4688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 264 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ661-DL-1E | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2 | auf Bestellung 1406 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ661-DL-1E | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 60V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ661-DL-1E | ON Semiconductor | MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES | auf Bestellung 659 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ661-DL-1E | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2 | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ661-DL-1E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ661-DL-1E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 38 A, 0.0295 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 38 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 65 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 65 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 2SJ661 Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0295 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ661-DL-1E | Rochester Electronics, LLC | Description: 2SJ661 - P-CHANNEL POWER MOSFET | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 235 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ661-DL-1EX | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ661-DL-1EX | Rochester Electronics, LLC | Description: MOSFET P-CH D2PAK | auf Bestellung 4681 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 140 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ661-DL-E | ON Semiconductor | MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ661-DL-E | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: SMP-FD Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 19A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ665-DL-1EX | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 27A TO263-2 | auf Bestellung 1299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 210 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ665-DL-1EX | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ665-DL-1EX - 2SJ665 - P-CHANNEL 4V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SJ665-DL-E | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: SMP-FD Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ668 | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ668(TE16L1,NQ) | TOSHIBA | SOT252/2.5 | auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ668(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PW-MOLD Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ668(TE16L1,NQ) | Toshiba | MOSFET MOSFET P-Ch 60V 5A Rdson=0.17Ohm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ668(TE16L1,NQ) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SJ668(TE16L1,NQ) - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5 A, 0.17 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 5 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 20 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ668-Z | NEC | TO-252 | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ668?TE16L1?NQ? | TOSHIBA | TO252 | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ670-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ670-TD-E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.41 ohm, PCP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: PCP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3361 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SJ670-TD-E | Sanyo | Description: 2SJ670 - P-CHANNEL SILICON MOSFE Packaging: Bulk | auf Bestellung 3361 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SJ673-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 32W (Tc) Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ673-AZ | Renesas Electronics | MOSFET MOSFET | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ68 | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SJ681 | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| 2SJ681(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ6810 [A] Produktcode: 40312
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| 2SJ683-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | Description: MOSFET P-CH 60V 65A ZP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ683-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | Description: MOSFET P-CH 60V 65A ZP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ683-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | Description: MOSFET P-CH 60V 65A ZP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ687-ZK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET P-CH 20V 20A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 36W (Tc) Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 10 V | auf Bestellung 2629 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SJ687-ZK-E1-AY | Renesas Electronics | MOSFETs Pch Power MOSFET -20V -20A 7mohm TO-252 / DPAK | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SJ687-ZK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET P-CH 20V 20A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 36W (Tc) Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ687-ZK-E2-AY | Renesas Electronics Corporation | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SJ688(T6L1CANO,NQ) | TOSHIBA | SOT252/2.5 | auf Bestellung 888 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ69 | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SJ6920 (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 25152
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Lieblingsprodukt
| Fairchild | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-247 Transitfrequenz fT: 3 MHz Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 800 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1700 V Kollektorstrom Ic, A: 20 A Stromverstärkung h21: 8,5 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ70 | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SJ72 | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SJ72BL | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SJ72GR | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SJ72V | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SJ73 | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ74 | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SJ74-BL | Toshiba | 2SJ74-BL 2SJ74BL TRANSISTOR P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ74-BL | Toshiba | JFETs X34 Pb Small Signal Trans | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ74-BL | TOSHIBA | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| 2SJ74-BL TO-92 -- Toshiba Produktcode: 42289
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld ZCODE: 8541 29 00 10 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| 2SJ74-GR(F) | Toshiba | JFETs TO-92 FET,DISCON(07-04)/OBSOLETE(10-04), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ74BL | TOShiBA | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| 2SJ74GR | TOSHIBA | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| 2SJ74GR+ | TOSHIBA | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| 2SJ74V | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SJ74Y | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SJ75 | TOSHIBA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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| 2SJ77-E | Renesas Electronics America | Description: MOSFET P-CH 160V 0.5A TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ77-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2SJ77K | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| 2SJ79-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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| 2SJ91 | TOS | 01+ TO-3 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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| 2SJK1919 | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
