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2SJ661-DL-1EON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 60V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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2SJ661-DL-1EON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2
auf Bestellung 1406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2SJ661-DL-1EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SJ661-DL-1E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 38 A, 0.0295 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 38
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 65
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SJ661
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0295
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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2SJ661-DL-1EON SemiconductorMOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
auf Bestellung 659 Stücke:
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2SJ661-DL-1EON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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2SJ661-DL-1EXON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH D2PAK
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2SJ661-DL-1EXRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH D2PAK
auf Bestellung 4681 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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2SJ661-DL-EON SemiconductorMOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SJ661-DL-EonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SMP-FD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SJ665-DL-1EXONSEMIDescription: ONSEMI - 2SJ665-DL-1EX - 2SJ665 - P-CHANNEL 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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2SJ665-DL-1EXonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 27A TO263-2
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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2SJ665-DL-EonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SMP-FD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
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2SJ668ToshibaToshiba
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2SJ668(TE16L1,NQ)TOSHIBASOT252/2.5
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ668(TE16L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
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2SJ668(TE16L1,NQ)ToshibaMOSFET MOSFET P-Ch 60V 5A Rdson=0.17Ohm
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2SJ668(TE16L1,NQ)TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SJ668(TE16L1,NQ) - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5 A, 0.17 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
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2SJ668-ZNECTO-252
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ668?TE16L1?NQ?TOSHIBATO252
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ670-TD-ESanyoDescription: 2SJ670 - P-CHANNEL SILICON MOSFE
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
790+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 790 Stücke
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2SJ670-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SJ670-TD-E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.41 ohm, PCP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PCP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2SJ673-AZRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2SJ673-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 36A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 32W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2SJ68
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ681Toshiba
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2SJ681(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
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 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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2SJ6810 [A]
Produktcode: 40312
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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2SJ683-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 65A ZP
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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2SJ683-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 65A ZP
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2SJ683-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 65A ZP
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2SJ687-ZK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 20V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 36W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 10 V
auf Bestellung 2629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.14 EUR
10+3.99 EUR
100+2.77 EUR
500+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2SJ687-ZK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Pch Power MOSFET -20V -20A 7mohm TO-252 / DPAK
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.51 EUR
10+3.28 EUR
100+2.98 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.39 EUR
2500+2.26 EUR
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2SJ687-ZK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 20V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 36W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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2SJ687-ZK-E2-AYRenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
204+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
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2SJ688(T6L1CANO,NQ)TOSHIBASOT252/2.5
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ69
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ6920 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 25152
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FairchildTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-247
Transitfrequenz fT: 3 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 800 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1700 V
Kollektorstrom Ic, A: 20 A
Stromverstärkung h21: 8,5
Produkt ist nicht verfügbar
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2SJ70
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ72
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ72BL
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SJ72GR
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ72V
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ73TOSHIBA09+
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ74
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ74-BLToshibaJFETs X34 Pb Small Signal Trans
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2SJ74-BLTOSHIBA
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ74-BLToshiba2SJ74-BL 2SJ74BL TRANSISTOR P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 Транзистори
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2SJ74-BL TO-92 -- Toshiba
Produktcode: 42289
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
ZCODE: 8541 29 00 10
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2SJ74-GR(F)ToshibaJFETs TO-92 FET,DISCON(07-04)/OBSOLETE(10-04),
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2SJ74BLTOShiBA
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ74GRTOSHIBA
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SJ74GR+TOSHIBA
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ74V
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ74Y
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ75TOSHIBA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ76
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ77
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ77-ERenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SJ77-ERenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET P-CH 160V 0.5A TO-220
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2SJ77K
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ78-ERenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SJ79
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ79-ERenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SJ79K
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ81
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ82
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ83
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ84
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ85
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ86
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJ87
auf Bestellung 26000 Stücke:
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2SJ90
auf Bestellung 26000 Stücke:
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2SJ91TOS01+ TO-3
auf Bestellung 100 Stücke:
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2SJ92
auf Bestellung 26000 Stücke:
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2SJ99
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SJK1919
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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