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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| CSD18532KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18532KCS | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm | auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18532KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 30 V | auf Bestellung 2291 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18532KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18532KCS - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.0033OHM, 100A, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18532KCS | Texas Instruments | 60-V N-Channel Nex-FET Power MOSFET -55+150C Zamiennik za STP16NB25 CSD18532KCS TCSD18532KCS Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| CSD18532KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532KCS | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N-Chanel NxFT P wr MOSFETs | auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18532NQ5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532NQ5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 22A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 30 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18532NQ5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18532NQ5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532NQ5B | Texas Instruments | MOSFETs 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18532NQ5BT | auf Bestellung 1869 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18532NQ5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18532NQ5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 22A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 30 V | auf Bestellung 4260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18532NQ5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm Mounting: SMD Case: VSON-CLIP8 Polarisation: unipolar Gate charge: 49nC On-state resistance: 2.7mΩ Dimensions: 5x6mm Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532NQ5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 30 V | auf Bestellung 4119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18532NQ5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532NQ5BT | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 59 A 595-CSD18532NQ5B | auf Bestellung 835 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18532NQ5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 30 V | auf Bestellung 3750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18532NQ5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532NQ5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18532Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V | auf Bestellung 830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18532Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 3.2W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm | auf Bestellung 1312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18532Q5B | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18532Q5BT | auf Bestellung 21180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18532Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 3.2W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm | auf Bestellung 1312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18532Q5B | Texas Instruments | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5070 @ 30, Qg, нКл = 58 @ 10, Rds = 3,2 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 156, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 1300 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | verfügbar 3081 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532Q5BG4 | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532Q5BT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18532Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: VSON-CLIP8 Gate charge: 44nC On-state resistance: 2.5mΩ Dimensions: 5x6mm Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Power dissipation: 156W Technology: NexFET™ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18532Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V | auf Bestellung 1162 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18532Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18532Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18532Q5BT | Texas Instruments | MOSFETs 60V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18532Q5B | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18533KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 72A/100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3025 pF @ 30 V | auf Bestellung 10255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18533KCS Produktcode: 121207
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| CSD18533KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18533KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18533KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.005 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 160 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 Verlustleistung: 160 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18533KCS | Texas Instruments | MOSFETs 60V N-Chnl NxFT Pwr MSFT .. | auf Bestellung 4620 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18533KCS | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9mOhm; 118A; 192W; -55°C ~ 175°C; CSD18533KCS TCSD18533kcs Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| CSD18533KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18533Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18533Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, VSON, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18533Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 60V N-Chnl NexFET Pw r MSFT CSD18533Q5 A 595-CSD18533Q5AT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18533Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18533Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 30 V | auf Bestellung 1399 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18533Q5A | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 103A; 116W; -55°C ~ 150°C; CSD18533Q5AT CSD18533Q5A TCSD18533q5a Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| CSD18533Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18533Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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| 8542399000 8542 39 90 00 | Produkt ist nicht verfügbar
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| CSD18533Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 42500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18533Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18533Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18533Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 858 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18533Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18533Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 60V N-channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18533Q5A | auf Bestellung 406 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18533Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18533Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 116W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm | auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18533Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18533Q5AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18534KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18534KCS | Texas Instruments | MOSFETs 60V N-Chnl NexFET Pw r MOSFET | auf Bestellung 2615 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18534KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18534KCS | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 45A/100A TO220-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18534KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18534KCS - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.0076OHM, 100A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18534KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18534KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18534KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 45A/100A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc) | auf Bestellung 761 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18534KCS . | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18534KCS . - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.0076OHM, 100A, Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 98 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 Verlustleistung: 98 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18534Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18534Q5A | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12,4mOhm; 69A; 77W; -55°C ~ 150°C; CSD18534Q5AT CSD18534Q5A TCSD18534q5a Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| CSD18534Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 30 V | auf Bestellung 12802 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18534Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18534Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 30 V | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18534Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18534Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 60V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1853 A 595-CSD18534Q5AT | auf Bestellung 3864 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18534Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18534Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 14A, 10V | auf Bestellung 2561 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18534Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 77W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm | auf Bestellung 917 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18534Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 60V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1853 A 595-CSD18534Q5A | auf Bestellung 3674 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18534Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18534Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 30 V | auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18535KCS | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si | auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18535KCS Produktcode: 196763
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| CSD18535KCS | Texas Instruments | MOSFET N-CH TO-220F Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18535KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18535KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD18535KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V | auf Bestellung 2753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18535KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm | auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18535KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |