Produkte > IPP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IPP35CN10N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP35CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP3FAD6 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP3FAD6104 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP3PAD2 | Apem | Pushbutton Switches 1-4A 12-72VDC, BLK ACT, Rnd flat IP67 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP3PAD6 | Apem | Pushbutton Switches 1-4A 12-72VDC, RED ACT, Rnd flat IP67 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP3PAD7/1 | Apem | Pushbutton Switches IP67 Sealed Pushbutton Switch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP3SAD1 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP3SAD1100 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP3SAD1100 | APEM Inc. | Description: PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 500mA (AC), 5A (DC) Mounting Type: Panel Mount, Front Circuit: SPST-NO Type: Standard Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Solder Lug Actuator Type: Round, Button, Flush Ingress Protection: IP67/IP69K - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Circular - 13.60mm Dia Color - Actuator/Cap: Blue Voltage Rating - AC: 125 V Voltage Rating - DC: 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP3SAD2 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON | auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP3SAD2104 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP3SAD2L0G | Apem | Pushbutton Switches IP67 Sealed Pushbutton Switch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP3SAD2R0TX117216 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP3SAD3L0G | Apem | Pushbutton Switches IP67 Sealed Pushbutton Switch | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP3SAD5 | Apem | Жёлтый Клемники | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP3SAD6 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP3SAD6 | Apem | Красный Клемники | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP3SAD8L0G101 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP3Z1AD2X1172-68 | Apem | Apem | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP410N30N | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP410N30NAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP410N30NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP410N30NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 894 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP410N30NAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MV POWER MOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP410N30NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP410N30NAKSA1 | Infineon | IPP410N30NAKSA1 MOSFET N-CH TO220-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP410N30NAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 300V 44A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP410N30NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP410N30NAKSA1 Produktcode: 177758
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPP410N30NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP410N30NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP45N06S3-16 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 45A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 23A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP45N06S3L-13 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 45A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP45N06S4-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 45A TO220-3 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 423 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP45N06S409AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP45N06S409AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 13346 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP45N06S409AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP45N06S409AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP45N06S409AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP45N06S4L-08 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP45N06S4L08AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP45N06S4L08AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP45N06S4L08AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET | auf Bestellung 478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP45P03P4L-11 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -45A TO220-3 OptiMOS-P2 | auf Bestellung 2220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP45P03P4L11AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 45A TO220-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +5V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 3053 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP45P03P4L11AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP45P03P4L11AKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 45 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 45 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 58 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: OptiMOS P2 Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP45P03P4L11AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 45A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP47N10S33AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP47N10SL-26 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 47A TO220-3 SIPMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP47N10SL26AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP47N10SL26AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP47N10SL26AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP50CN10NGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 563 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP50CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP50N10S3L-16 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 50A TO220-3 OptiMOS-T | auf Bestellung 718 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP50N10S3L16AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP50N10S3L16AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP50N10S3L16AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 50 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 100 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: OptiMOS T Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0131 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP50N10S3L16AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | auf Bestellung 761 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP50N10S3L16AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 317 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50N12S3L15AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP50N12S3L15AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP50N12S3LAKSA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER-TRANSISTOR | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP50R140CP | INFINEON | 09+ QFP | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP50R140CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 23A TO220-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP50R140CPHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP50R140CPHKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP50R140CPHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 23A TO220-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 188891 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 23A TO220-3 | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R140CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 192W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 23A Power dissipation: 192W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP50R140CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP50R140CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 192W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CP productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm | auf Bestellung 647 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R190CE | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V Power Dissipation (Max): 152W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP50R190CE | Infineon | auf Bestellung 113500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPP50R190CE | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 18.5A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 23916 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 6500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3 Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA | auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 18159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP50R190CEXKSA1 INFINEON TIPP50r190ce Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPP50R190CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 127W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 18.5A Power dissipation: 127W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R190CEXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP50R190CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.5 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 127W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 13V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm | auf Bestellung 449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 769 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 769 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 18.5A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 23916 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R199CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 17A TO220-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
