Produkte > IRL
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 105100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm | auf Bestellung 2645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | International Rectifier | MOSFET n-канальный, 30 В, 260 А, TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg | auf Bestellung 5178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 462 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 33210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 33210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V | auf Bestellung 8168 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF Produktcode: 83396
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 180 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,4 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 11360/87 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | International Rectifier | TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC | auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 370W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm | auf Bestellung 783 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRLB4030PBFXKMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB4030PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB4030PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB4132 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 429 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF Produktcode: 86447
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В Drain-Strom Idd, A: 150 А Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT | erwartet: 200 St.
auf Bestellung: 36 St.
|
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 620A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET UP TO 60V | auf Bestellung 1403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm | auf Bestellung 2238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V | auf Bestellung 4869 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | auf Bestellung 2708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 897 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | Infineon | N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3 Транзистори | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 10944 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET UP TO 60V | auf Bestellung 3067 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF Produktcode: 145201
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 664A | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 10962 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8721 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB8721-CN | CHIPNOBO | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,5mOhm; 100A; 90W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB8721; SP001558140; IRLB8721-CN CHIPNOBO TIRLB8721 CNB Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8721-CN Produktcode: 222527
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLB8721PBF Produktcode: 182469
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLB8721PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8721PBF | VBSEMI | Trans MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB8721PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 62 А, Ptot, Вт = 65, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1077 @ 15, Qg, нКл = 13 @ 4,5 В, Rds = 8,7 мОм @ 31 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB8721PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLB8721PBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 62A, TO220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB8721PBF | Infineon | Trans MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB8721PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 62A 9mOhm 8nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB8721PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB8743 | JSMSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2,9mOhm; 140A; 250W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB8743; SP001572884; IRLB8743 JSMICRO TIRLB8743 JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743 | Infineon | N-MOSFET 78A 30V 140W 0.0032Ω IRLB8743 TIRLB8743 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB8743-VB | VBsemi | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2,8Ohm; 140A; 250W; -55°C ~ 175°C; IRLB8743-VB TO-220AB VBsemi Elec TIRLB8743 VBS Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 78A 3.2mOhm 36nC Qg | auf Bestellung 4781 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF Produktcode: 190955
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| JSMICRO | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В Drain-Strom Idd, A: 110 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,9 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6201/171 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 150A, 140W, TO220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 5650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLB8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm | auf Bestellung 8732 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 150A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | auf Bestellung 741 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V | auf Bestellung 2061 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF Produktcode: 124979
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В Drain-Strom Idd, A: 78 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,2 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5110/36 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 5642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 7850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8748 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB8748 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,8mOhm; 92A; 75W; -55°C ~ 175°C; IRLB8748 TIRLB8748 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8748PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8748PBF | Infineon | MOSFET N-CH 30V 92A TO220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB8748PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 92A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB8748PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
