Produkte > MUN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| MUN5241T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5241T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 144000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5241T1G | onsemi | Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR | auf Bestellung 15989 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5241T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS BRT NPN 50V 100MA SC70-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1 | onsemi | SS SC88 BR XSTR DUAL 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1 | MOTO | SOT363 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5311DW1T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 385mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete | auf Bestellung 11750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5311DW1T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5311DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1 - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 11750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5311DW1T1 | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 210000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5311DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5311DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 82145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 13800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 210000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5311DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 78850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5311DW1T1G | ONSEMI | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Kind of transistor: BRT; complementary pair Type of transistor: NPN / PNP Current gain: 60 Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 10kΩ Case: SC70-6; SC88; SOT363 Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.385W Polarisation: bipolar | auf Bestellung 255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5311DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP | auf Bestellung 42899 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5311DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 152333 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5311DW1T1G | On Semiconductor | TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88 . SOT-363 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 19210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5311DW1T2G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T2G | ONSEMI | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Kind of transistor: BRT; complementary pair Type of transistor: NPN / PNP Current gain: 60 Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 10kΩ Case: SC70-6; SC88; SOT363 Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.385W Polarisation: bipolar | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T2G | onsemi | Digital Transistors SS SC88 BR XSTR DUAL 50V | auf Bestellung 2966 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5311DW1T2G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T2G | ON Semiconductor | Транзистор NPN подвоєний, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25, Р, Вт = 0,25, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T2G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T2G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5312 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5312D | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5312DW1 | auf Bestellung 9080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1 | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 25400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5312DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 26194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5312DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP | auf Bestellung 7348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5312DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 26194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5312DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 1050000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5312DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 26711 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5312DW1T1G | ON-Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R MUN5312DW1T1G TMUN5312dw Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MUN5312DW1T1G | ONSEMI | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Kind of transistor: BRT; complementary pair Type of transistor: NPN / PNP Current gain: 100 Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 22kΩ Case: SC70-6; SC88; SOT363 Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 22kΩ Power dissipation: 0.385W Polarisation: bipolar | auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5312DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 1050000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5312DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5312DW1T2 | auf Bestellung 20500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T2G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T2G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 385mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 174000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5312DW1T2G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5312DW1T2G | ONSEMI | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Kind of transistor: BRT; complementary pair Type of transistor: NPN / PNP Current gain: 100 Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 22kΩ Case: SC70-6; SC88; SOT363 Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 22kΩ Power dissipation: 0.385W Polarisation: bipolar | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T2G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 416982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5312DW1T2G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 385mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 176860 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5312DW1T2G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5312DW1T2G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP | auf Bestellung 4451 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5312DWT1 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5312T1 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5313DW1 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5313DW1 | onsemi | SS SC88 BR XSTR DUAL 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1 | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1 | auf Bestellung 153000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5313DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 385mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-88 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5313DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 433 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5313DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5313DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 385mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-88 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5313DW1T1G | onsemi | Digital Transistors SS BR XSTR DUAL 50V | auf Bestellung 4901 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5313DW1T1G | ONSEMI | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Kind of transistor: BRT; complementary pair Type of transistor: NPN / PNP Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 22kΩ Case: SC70-6; SC88; SOT363 Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 47kΩ Power dissipation: 0.187W Polarisation: bipolar | auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5313DWT1G | auf Bestellung 2020 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5314DW1 | onsemi | onsemi SS SC88 BR XSTR DUAL 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 189000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5314DW1T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 385mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete | auf Bestellung 273230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5314DW1T1 | MOT | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 81230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5314DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5314DW1T1 - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5314DW1T1G | ON-Semiconductor | TRANS 1 NPN / 1 PNP PRE-BIASED (DUAL) 100mA 50V MUN5314DW1T1G ON SEMI TMUN5314dw Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 1690 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MUN5314DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5314DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5314DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5314DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 11760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5314DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 726 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 242 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1G | ONSEMI | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Kind of transistor: BRT; complementary pair Type of transistor: NPN / PNP Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 47kΩ Case: SC70-6; SC88; SOT363 Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.187W Polarisation: bipolar | auf Bestellung 1697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5314DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5314DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5314DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5314DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 726 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5315DW1 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5315DW1T1 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5315DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5315DW1T1 - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5315DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5315DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5315DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 162990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5315DW1T1G | ONSEMI | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 10kΩ Mounting: SMD Kind of transistor: BRT; complementary pair Type of transistor: NPN / PNP Current gain: 160...350 Kind of package: reel; tape Case: SC70-6; SC88; SOT363 Collector current: 0.1A Manufacturer standard package: 3000pcs. Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.385W Polarisation: bipolar | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5315DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
