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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTMFS4C03NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
auf Bestellung 3624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.44 EUR
10+2.18 EUR
100+1.46 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C03NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C03NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 100500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
681+0.96 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C03NT1GONN
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C03NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 64W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 136A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C03NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C03NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C03NT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C03NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C054NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 22.5A/80A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C054NT1GON SemiconductorMOSFET TRENCH 6 30V NCH
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C054NT1GonsemiDescription: NTMFS4C054 - SINGLE N-CHANNEL PO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.59W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.54mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Bulk
auf Bestellung 7594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
327+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 327 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C054NT3GON SemiconductorMOSFET NTMFS4C054NT3G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NAT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NAT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.57W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.12 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.57W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 118500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
784+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
10000+0.65 EUR
100000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 784 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 33W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
25+0.87 EUR
100+0.57 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
784+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 784 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 33W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 78A, 3.4mohm
auf Bestellung 15138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.86 EUR
100+0.58 EUR
500+0.54 EUR
1500+0.5 EUR
3000+0.31 EUR
24000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 831 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.52 EUR
3000+0.33 EUR
4500+0.32 EUR
7500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NT1G-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.9A/78A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NT1G-001ON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NT1G-01onsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NT1G-01ON SemiconductorNTMFS4C05NT1G-01
auf Bestellung 1077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
784+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 784 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH
auf Bestellung 4854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C05NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NAT1GON SemiconductorNFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NAT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NAT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 69A 4
auf Bestellung 3336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.7 EUR
1500+0.62 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NAT3GonsemiMOSFET T6 LC SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NAT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NAT3GON SemiconductorT6 LC SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NBT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NBT1GON Semiconductor
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NBT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NBT1GCypress Semiconductor CorpDescription: NTMFS4CNTMFS4NFSO8364MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NBT1GonsemiDescription: NTMFS4C06 - NFET SO8FL 30V 69A 4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NBT1GON SemiconductorNFET SO8FL 30V 69A 4M Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NBT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NBT3GON SemiconductorNFET SO8FL 30V 69A 4M Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NBT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NBT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NCT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.82 EUR
100+0.54 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.38 EUR
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+2.07 EUR
174+1.33 EUR
243+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1188+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+0.8 EUR
245+0.69 EUR
254+0.64 EUR
294+0.54 EUR
297+0.5 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
auf Bestellung 67624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+0.89 EUR
100+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 69A; Idm: 476A; 30.5W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 476A
Power dissipation: 30.5W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.42 EUR
161+1.44 EUR
233+0.92 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
245+0.71 EUR
254+0.68 EUR
294+0.57 EUR
297+0.56 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1G-001onsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1G-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT3GON Semiconductor
auf Bestellung 4675 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NAT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NAT1GON SemiconductorNFET SO8FL 30V 52A 5.8M Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Bulk
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
559+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 559 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.4 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.51W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.62 EUR
251+0.93 EUR
391+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1352+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1352 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1352+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1352 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NT1G
Produktcode: 142967
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
auf Bestellung 1257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
28+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1352+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1352 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.4 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.51W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.62 EUR
251+0.93 EUR
391+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 16262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1352+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1352 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 28500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
672+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 672 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NTMFS4C08NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTMFS4C08NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 5410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1352+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1352 Stücke
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NTMFS4C08NT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V 52A 5.8mohm
auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.11 EUR
10+1.06 EUR
100+0.75 EUR
500+0.67 EUR
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NT1GONN
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1352+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1352 Stücke
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NTMFS4C08NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NT1G-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G-001 - NTMFS4C08NT1G-001, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1394+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1394 Stücke
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NTMFS4C08NT1G-001ON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NT1G-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C08NT1G-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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