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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
PMPB14R8XNXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 7.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14R8XNXNexperiaMOSFETs SOT1220 N CHAN 30V
auf Bestellung 2786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.78 EUR
10+0.52 EUR
100+0.28 EUR
3000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14R8XNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB14R8XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0148 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14XNXNexperiaMOSFETs PMPB14XN/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 11610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.8 EUR
10+0.55 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14XNXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 8.1A DFN2020MD-6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 1009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.27 EUR
23+0.78 EUR
50+0.57 EUR
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14XNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.018 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14XNXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 8.1A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14XNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.015 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14XPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET DFN2020MD-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2303 pF @ 6 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.18 EUR
25+0.73 EUR
50+0.53 EUR
100+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14XPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET DFN2020MD-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2303 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.6A, 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14XPXNexperiaMOSFETs PMPB14XP/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 5893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.78 EUR
10+0.53 EUR
100+0.28 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14XPZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB14XPZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12.7 A, 0.014 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14XPZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB14XPZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12.7 A, 0.014 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14XPZNexperia USA Inc.Description: PMPB14XP/SOT1220/SOT1220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2303 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15ENEXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.23 EUR
24+0.76 EUR
50+0.56 EUR
100+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15ENEXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 30V 11A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15ENEXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.3A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.3A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XN,115NexperiaMOSFET PMPB15XN/SOT1220/SOT1220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 12V 8.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 12V 8.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2875 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
auf Bestellung 7362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.79 EUR
28+0.65 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XP,115NexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 20V 8.2A
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.81 EUR
10+0.65 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XP,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB15XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11.8 A, 0.015 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 12V 8.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2875 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XP/S500,HNexperiaPMPB15XP/S500,H
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2686+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2686 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XP/S500,HNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB15XP/S500,H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2643 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XP/S500HNexperia USA Inc.Description: PMPB15XPH - P Channel MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2875 pF @ 6 V
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2196+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2196 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 12V 8.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 5845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
707+0.25 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 707 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XPAXNexperiaMOSFETs 12 V, P-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 5454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.05 EUR
10+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 12V 8.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2701+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2701 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2875 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.36 EUR
21+0.84 EUR
50+0.61 EUR
100+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XPAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB15XPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8.2 A, 0.015 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 12V 8.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 12V 8.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 5845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
707+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 707 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2875 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XPAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB15XPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8.2 A, 0.015 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 12V 8.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XPHNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2875 pF @ 6 V
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
28+0.64 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XPHNexperiaMOSFETs SOT1220 P-CH 12V 8.2A
auf Bestellung 2331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.14 EUR
10+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XPHNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2875 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XPZNXP SemiconductorsDescription: MOSFET P-CH 12V SOT1220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB15XPZNexperiaMOSFETs SOT1220 P-CH 12V 8.2A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16EPNexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16EPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16EPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB16EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.6 A, 0.016 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16EPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
538+0.27 EUR
585+0.25 EUR
590+0.24 EUR
632+0.22 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 538 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16EPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 26851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3052+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3052 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16EPXNexperiaMOSFETs PMPB16EP/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 24281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.72 EUR
10+0.57 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16EPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16EPXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.7A; Idm: -30A; ESD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020MD-6; SOT1220
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: -4.7A
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 34mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16EPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
472+0.31 EUR
522+0.27 EUR
525+0.26 EUR
538+0.24 EUR
585+0.21 EUR
590+0.2 EUR
632+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16EPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB16EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.6 A, 0.016 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16EPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16EPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16R5XNEXNexperiaMOSFETs SOT1220 N CHAN 30V
auf Bestellung 5579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.97 EUR
10+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.22 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16R5XNEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB16R5XNEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0165 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16R5XNEXNexperia USA Inc.Description: PMPB16R5XNE - 30 V, N-CHANNEL TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
auf Bestellung 5461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16R5XNEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB16R5XNEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0165 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16R5XNEXNexperia USA Inc.Description: PMPB16R5XNE - 30 V, N-CHANNEL TR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
auf Bestellung 7712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.92 EUR
31+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16XN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN2020MD (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16XN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-DFN2020MD (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2732+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2732 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16XNEA,115NexperiaPMPB16XNEA,115
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2715+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2715 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16XNEA115Nexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2219+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB16XNEAXNexperiaMOSFET MOSFET SOT1220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB17EPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 7.7A 6-Pin DFN-M EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB17EPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB17EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0175 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB17EPXNexperia USA Inc.Description: P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB17EPXNexperiaMOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 8915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.67 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB17EPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 7.7A 6-Pin DFN-M EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB17EPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB17EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0175 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB17EPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 7.7A 6-Pin DFN-M EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB17EPXNexperia USA Inc.Description: P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.81 EUR
28+0.64 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB19R0UPEXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 10 V
auf Bestellung 2156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.65 EUR
40+0.44 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB19R0UPEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB19R0UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.017 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB19R0UPEXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB19R0UPEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB19R0UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.017 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB19R0UPEXNexperiaMOSFETs SOT1220 P CHAN 20V
auf Bestellung 2781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+0.51 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB19XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 122500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2882+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2882 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB19XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
33+0.55 EUR
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB19XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB19XP,115NexperiaMOSFETs SOT1220 P-CH 20V 7.2A
auf Bestellung 22634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.49 EUR
100+0.37 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB19XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB19XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB19XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2882+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2882 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB19XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20EN,115NexperiaMOSFETs PMPB20EN/SOT1220/DFN2020MD-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20EN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
39+0.45 EUR
100+0.26 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 7002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1309+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1309 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20EN,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB20EN,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.4 A, 0.0165 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20EN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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PMPB20EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 7002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1309+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1309 Stücke
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PMPB20EN/S500XNXP SemiconductorsDescription: PMPB20EN - 30V, N-CHANNEL TRENCH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
auf Bestellung 5899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4212+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4212 Stücke
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PMPB20EN/S500XNXPDescription: NXP - PMPB20EN/S500X - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5070 Stücke
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