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SiHFR9214T-E3Vishay SiliconixSiHFR9214T-E3 IRFR9214TRPBF P-CH. 250V 2.7A DPAK=TO-252 Транзистори
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SIHFR9220
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SIHFR9220-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
auf Bestellung 2990 Stücke:
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2+2.38 EUR
10+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.76 EUR
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3000+0.62 EUR
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SIHFR9220-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9220-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
15+1.48 EUR
75+1.02 EUR
150+0.9 EUR
525+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SIHFR9220-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFR9220-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, -200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: -200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SiHFR9220 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
142+1.64 EUR
215+1 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9220TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.61 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.64 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SiHFR9310-E3Vishay SiliconixSiHFR9310-E3 IRFR9310PBF P-CH. 400V 1.8A DPAK=TO-252 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9310-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9310-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9310-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 216 Stücke:
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2+2.27 EUR
10+1.39 EUR
100+0.92 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.51 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9310-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
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SiHFR9310T-E3Vishay SiliconixSiHFR9310T-E3 IRFR9310TRPBF P-CH. 400V 1.8A DPAK=TO-252 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9310TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.41 EUR
10+2.83 EUR
50+2.15 EUR
100+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SIHFR9310TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9310TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SIHFR9310TR-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9310TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 2049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
15+1.44 EUR
50+1.07 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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SIHFR9310TRL-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9310TRL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.52 EUR
6000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9310TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9310TRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.05 EUR
10+0.95 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.52 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9310TRL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.52 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9310TRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9310TRR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
15+1.44 EUR
50+1.07 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9310TRR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFRC20T-E3Vishay SiliconixSiHFRC20T-E3 IRFRC20TRPBF DPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFRC20TL-E3Vishay SiliconixSiHFRC20TL-E3 IRFRC20TRLPBF DPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFRC20TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFRC20TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 1326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
13+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFRC20TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 600V 2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.34 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.58 EUR
4000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFS11N50AVishay SiliconixSiHFS11N50A 500 В 11 А (TO-263) N-CH U=500V I=11A R=0,52Oм D2PAK=TO-263 Транзистори
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFS11N50A-E3Vishay SiliconixSiHFS11N50A-E3 IRFS11N50APBF D2PAK=TO-263 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS11N50A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS11N50A-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS11N50A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.74 EUR
10+3.03 EUR
100+2.18 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS11N50A-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; Idm: 44A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS11N50ATRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS11N50ATRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFS9N60A-E3Vishay SiliconixSiHFS9N60A-E3 IRFS9N60APBF D2PAK=TO-263 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds TO-263 D2PAK
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+3.28 EUR
100+2.26 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.7 EUR
2000+1.65 EUR
5000+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60A-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60A-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60ATRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60ATRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFSL9N60A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFSL9N60A-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFU014-E3Vishay SiliconixSiHFU014-E3 IRFU014PBF IPAK=TO-251 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU014-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU020-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU024-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.58 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
3000+0.64 EUR
6000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU024-GE3Vishay SiliconixDescription: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU110-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.43 EUR
100+0.89 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.46 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU120-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU120-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.08 EUR
10+1.29 EUR
100+0.84 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.51 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFU1N60A-E3Vishay SiliconixSiHFU1N60A-E3 IRFU1N60APBF IPAK=TO-251 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU1N60A-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.54 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU1N60A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFU220-E3Vishay SiliconixSiHFU220-E3 IRFU220PBF IPAK=TO-251 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU220-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
auf Bestellung 2614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.17 EUR
10+1.34 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.54 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFU310-E3Vishay SiliconixSiHFU310-E3 IRFU310PBF N-CH. 400V 1.7A IPAK=TO-251 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU310-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 2291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.23 EUR
16+1.39 EUR
75+0.95 EUR
150+0.84 EUR
525+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU310-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; Idm: 6A; 25W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 25W
On-state resistance: 3.6Ω
Pulsed drain current: 6A
Drain-source voltage: 400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU310-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFU310-GE3 - MOSFET, N-CH, 400V, 1.7A, TO-251
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.77 EUR
209+1.11 EUR
221+0.98 EUR
235+0.92 EUR
250+0.86 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFU320-E3Vishay SiliconixSiHFU320-E3 IRFU320PBF 400V 3.1A IPAK=TO-251 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU320-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFU420-E3Vishay SiliconixSiHFU420-E3 IRFU420PBF N-CH 500V 2.4A IPAK=TO-251 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU420-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
auf Bestellung 2931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.56 EUR
10+1.58 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.63 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU420A-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU420A-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU9014-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFU9022-E3Vishay SiliconixSiHFU9022-E3 IRFU9022PBF IPAK=TO-251 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFU9024-E3Vishay SiliconixSiHFU9024-E3 IRFU9024PBF IPAK=TO-251 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU9024-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU9120-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU9120-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFU9210-E3Vishay SiliconixSiHFU9210-E3 IRFU9210PBF P-CH. 200V 1.9A IPAK=TO-251 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU9210-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFU9214-E3Vishay SiliconixSiHFU9214-E3 IRFU9214PBF P-CH. 250V 2.7A IPAK=TO-251 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU9220-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFU9220-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 6143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.34 EUR
118+1.98 EUR
177+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU9220-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU9220-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.76 EUR
50+1.31 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU9220-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFU9310-E3Vishay SiliconixSiHFU9310-E3 IRFU9310PBF P-CH. 400V 1.8A IPAK=TO-251 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFUC20-E3Vishay SiliconixSiHFUC20-E3 IRFUC20PBF IPAK=TO-251 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFUC20-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 2994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.58 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.63 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFUC20-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFZ34-E3Vishay SiliconixSiHFZ34-E3 60 В 30 А (TO-220) TO-220-3 Транзистори
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFZ40-E3Vishay SiliconixSiHFZ40-E3 IRFZ40PBF N-Ch, 60V, 50A, TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFZ44-E3Vishay SiliconixSiHFZ44-E3 60 В 50 А (TO-220) TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFZ44L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFZ44S-E3Vishay SiliconixSiHFZ44S-E3 IRFZ44SPBF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFZ44S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFZ44STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFZ44STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFZ48Vishay SiliconixSiHFZ48 IRFZ48PBF N-Channel 60V 50A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFZ48L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60V
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+3.26 EUR
100+2.24 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.7 EUR
2500+1.63 EUR
5000+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFZ48RS-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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SIHFZ48RS-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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