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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SiHFS9N60A-E3Vishay SiliconixSiHFS9N60A-E3 IRFS9N60APBF D2PAK=TO-263 Транзистори
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SIHFS9N60A-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
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SIHFS9N60A-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHFS9N60A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds TO-263 D2PAK
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.71 EUR
10+3.69 EUR
100+2.53 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.92 EUR
2000+1.86 EUR
5000+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60ATRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
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SIHFS9N60ATRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFSL9N60A-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFSL9N60A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
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SiHFU014-E3Vishay SiliconixSiHFU014-E3 IRFU014PBF IPAK=TO-251 Транзистори
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SIHFU014-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHFU020-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFU024-GE3Vishay SiliconixDescription: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
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SIHFU024-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.78 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
3000+0.71 EUR
6000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFU110-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.61 EUR
100+1 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU120-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.45 EUR
100+0.95 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
3000+0.58 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU120-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SiHFU1N60A-E3Vishay SiliconixSiHFU1N60A-E3 IRFU1N60APBF IPAK=TO-251 Транзистори
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SIHFU1N60A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
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SIHFU1N60A-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+1.52 EUR
100+1 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFU220-E3Vishay SiliconixSiHFU220-E3 IRFU220PBF IPAK=TO-251 Транзистори
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SIHFU220-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
auf Bestellung 2714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+1.51 EUR
100+1 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFU310-E3Vishay SiliconixSiHFU310-E3 IRFU310PBF N-CH. 400V 1.7A IPAK=TO-251 Транзистори
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SIHFU310-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIHFU310-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFU310-GE3 - MOSFET, N-CH, 400V, 1.7A, TO-251
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+0.69 EUR
396+0.58 EUR
453+0.48 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
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SIHFU310-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIHFU310-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; Idm: 6A; 25W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 25W
On-state resistance: 3.6Ω
Pulsed drain current: 6A
Drain-source voltage: 400V
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SIHFU310-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 2311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
17+1.31 EUR
75+0.89 EUR
150+0.8 EUR
525+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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SiHFU320-E3Vishay SiliconixSiHFU320-E3 IRFU320PBF 400V 3.1A IPAK=TO-251 Транзистори
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SIHFU320-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SiHFU420-E3Vishay SiliconixSiHFU420-E3 IRFU420PBF N-CH 500V 2.4A IPAK=TO-251 Транзистори
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SIHFU420-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
auf Bestellung 2931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.87 EUR
10+1.77 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.71 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU420-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU420A-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFU9014-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFU9022-E3Vishay SiliconixSiHFU9022-E3 IRFU9022PBF IPAK=TO-251 Транзистори
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SiHFU9024-E3Vishay SiliconixSiHFU9024-E3 IRFU9024PBF IPAK=TO-251 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU9024-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFU9120-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU9120-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFU9210-E3Vishay SiliconixSiHFU9210-E3 IRFU9210PBF P-CH. 200V 1.9A IPAK=TO-251 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU9210-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFU9214-E3Vishay SiliconixSiHFU9214-E3 IRFU9214PBF P-CH. 250V 2.7A IPAK=TO-251 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU9220-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
229+0.76 EUR
240+0.7 EUR
277+0.58 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU9220-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 2993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.8 EUR
50+1.34 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU9220-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU9220-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -200V Vds 20V Vgs IPAK (TO-251)
auf Bestellung 1634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.77 EUR
100+1.18 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
3000+0.74 EUR
6000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU9220-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFU9220-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 6153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.65 EUR
108+2.15 EUR
163+1.32 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFU9310-E3Vishay SiliconixSiHFU9310-E3 IRFU9310PBF P-CH. 400V 1.8A IPAK=TO-251 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFUC20-E3Vishay SiliconixSiHFUC20-E3 IRFUC20PBF IPAK=TO-251 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFUC20-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 2994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.78 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.71 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFUC20-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFZ34-E3Vishay SiliconixSiHFZ34-E3 60 В 30 А (TO-220) TO-220-3 Транзистори
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFZ40-E3Vishay SiliconixSiHFZ40-E3 IRFZ40PBF N-Ch, 60V, 50A, TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFZ44-E3Vishay SiliconixSiHFZ44-E3 60 В 50 А (TO-220) TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFZ44L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFZ44S-E3Vishay SiliconixSiHFZ44S-E3 IRFZ44SPBF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFZ44S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFZ44S-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFZ44STRL-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFZ44STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFZ44STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFZ48Vishay SiliconixSiHFZ48 IRFZ48PBF N-Channel 60V 50A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFZ48RS-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFZ48RS-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFZ48RS-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFZ48S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.65 EUR
10+3.67 EUR
100+2.53 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.87 EUR
2000+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFZ48S-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFZ48S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.76 EUR
10+3.72 EUR
50+2.84 EUR
100+2.57 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG018N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.37 EUR
10+21.85 EUR
100+20.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG018N60E-GE3VishayN Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG018N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 524W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7612 pF @ 100 V
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.94 EUR
25+22.19 EUR
50+20.55 EUR
100+19.17 EUR
500+17.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG018N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG018N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 99 A, 0.023 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 524W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.55 EUR
8+31.73 EUR
10+22.09 EUR
50+21.07 EUR
100+20.05 EUR
250+19.66 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG018N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 63A; Idm: 325A; 524W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 63A
Power dissipation: 524W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 228nC
Pulsed drain current: 325A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG018N60E-GE3VishayN Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG018N60E-GE3-XVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 95A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG026N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 95 A, 0.026 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.19 EUR
10+24.81 EUR
13+17.33 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N60EF-GE3VishayMOSFETs TO247 600V 95A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7926 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N65E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.88 EUR
10+17.42 EUR
100+16.42 EUR
500+15.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.42 EUR
25+17.74 EUR
100+15.2 EUR
500+13.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG033N60SF-GE3Vishay SiliconixDescription: SF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG033N60SF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 1329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.32 EUR
10+12.57 EUR
500+12.29 EUR
1000+11.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.92 EUR
17+10.44 EUR
25+9.96 EUR
50+9.48 EUR
100+9.01 EUR
250+8.56 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 199A
Gate charge: 126nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.92 EUR
17+10.67 EUR
25+10.34 EUR
50+10.01 EUR
100+9.76 EUR
250+9.52 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 100 V
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.68 EUR
25+13.91 EUR
50+12.77 EUR
100+11.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG039N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.039 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 196A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 196A
Gate charge: 84nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 61A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4323 pF @ 100 V
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.69 EUR
10+17.22 EUR
50+14.02 EUR
100+12.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG039N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.76 EUR
11+23.16 EUR
13+17.01 EUR
50+14.01 EUR
100+13.01 EUR
250+12.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 600V 61A N-CH MOSFET
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.06 EUR
10+15.21 EUR
100+12.79 EUR
500+11.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60EF-GE3-XVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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