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SI4392DYSILICONIX
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SI4392DY-T1VISHAY04+
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SI4392DY-T1 SOP-8VISHAY
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SI4392DY-T1-E3VISHAYSOP8
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SI4392DY-T1-GE3
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SI4392DY-T1SOP-
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SI4392DYT1E3VISHAY
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SI4394DY
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SI4394DY-T1
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SI4394DY-T1-E3VISHAY
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SI4394DY-T1-GE3
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SI4394DYT1E3VISHAY
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SI4396DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
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SI4396DY-T1-E3VISHAY
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SI4396DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
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SI4396DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
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SI4396DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
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SI4396DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4396DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4396DYT1E3VISHAY
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SI4398DY
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SI4398DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
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SI4398DY-T1-E3VISHAY
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SI4398DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
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SI4398DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
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SI4398DY-T1-GE3
auf Bestellung 798200 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4398DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 37500 Stücke:
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SI440
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4400SILICONX1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4400DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4400M3SI00+ SOP8
auf Bestellung 167 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDYUMWDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDYUMWDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDYSiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 8,7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; SI4401BDY TSI4401bdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY(UMW)UMWSI4401BDY(UMW) SI4401BDY MOSFET 40V 16.1A SOP-8 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-E3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3Vishay SiliconixSI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY P-Channel 40-V (D-S) MOSFET Транзистори
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+16.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 10.5A 0.014Ohm
auf Bestellung 12507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.96 EUR
10+2.83 EUR
100+2.28 EUR
250+2.26 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.95 EUR
93+1.89 EUR
95+1.82 EUR
96+1.75 EUR
100+1.7 EUR
250+1.64 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
auf Bestellung 10685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.07 EUR
10+3.94 EUR
100+2.74 EUR
500+2.21 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.95 EUR
93+1.86 EUR
95+1.76 EUR
96+1.67 EUR
100+1.57 EUR
250+1.48 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 10.5A 2.9W 14mohm @ 10V
auf Bestellung 9321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+3.14 EUR
100+2.15 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.59 EUR
2500+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
auf Bestellung 9472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.19 EUR
10+3.34 EUR
100+2.3 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.77 EUR
58+3.03 EUR
100+2.69 EUR
200+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+3.06 EUR
100+2.07 EUR
500+1.64 EUR
2500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.31 EUR
43+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.55 EUR
5000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-GE3Vishay SiliconixSI4401BDY-T1-GE3 SI4401BDY P-Channel 40-V (D-S) MOSFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.66 EUR
59+2.93 EUR
100+1.94 EUR
500+1.51 EUR
2500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.31 EUR
43+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-GE3CT-NDVISHAY
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401DDY-T1-GE3Vishay SiliconixSI4401DDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.64 EUR
161+1.09 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V
auf Bestellung 17169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
14+1.55 EUR
50+1.15 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401DDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4401DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16.1 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 6.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 42078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.52 EUR
115+2.02 EUR
174+1.24 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401DDY-T1-GE3
auf Bestellung 330000 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4401DDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 11912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.7 EUR
100+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.75 EUR
2500+0.68 EUR
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SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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5000+0.57 EUR
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SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4401DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V
auf Bestellung 17112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.68 EUR
7500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.63 EUR
5000+0.56 EUR
7500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4401DDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 4W
Gate charge: 95nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -16.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 15mΩ
auf Bestellung 5635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4401DDY-T1-GE3 VishaySiliconixP-MOSFET 40V 16.1A 15mΩ 6.3W SI4401DDY-T1-GE3 TSI4401ddy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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SI4401DYVISHAY09+
auf Bestellung 1158 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4401DYVishay / SiliconixMOSFET 40V 10.5A 3W
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SI4401DY-E3Vishay SiliconixДЛЯ НОВЫХ РАЗРАБ. РЕКОМЕНД. Si4401DDY Транзистори
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SI4401DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 10.5A 3W
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4401DY-T1VIS03+ SOP8
auf Bestellung 2119 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4401DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET 40V 10.5A 3W
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SI4401DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4401DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4401DDY-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4401DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
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SI4401DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4401DDY-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4401DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4401DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4401FDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
auf Bestellung 242079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
142+1.63 EUR
160+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.89 EUR
7500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.18 EUR
132+1.33 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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SI4401FDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 8728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.3 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.7 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
auf Bestellung 67988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.98 EUR
12+1.88 EUR
50+1.4 EUR
100+1.25 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 3.2W
Gate charge: 31nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 18.3mΩ
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
auf Bestellung 242259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.47 EUR
106+2.19 EUR
160+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH