Produkte > BC8
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| BC858B /T3 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-11 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B RF | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT -30V, -0.1A, PNP Bipolar Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW | auf Bestellung 8970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC858B RFG | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT -30V, -0.1A, PNP Bipolar Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC858B RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B T/R | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-7 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B TR PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 30Vebo 30Vceo 5.0Vebo 100mA 350mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 100MA 330MW SMD TRANSISTOR-S Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC858B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC858 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B,215 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B,215 | NXP | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858B,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC858B/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B,215 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC858B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC858 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B,235 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC858B/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC858B,235 - TRANSISTOR, BIPOLAR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B,235 | NXP | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B,235 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: 11 inch reel; tape Pulsed collector current: 0.2A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858B-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC858B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858B-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23-3 Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC858B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858B-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23-3 Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC858B-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC858B-AQ | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | auf Bestellung 2275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858B-AQ | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-AQ | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP, AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 16 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-AU_R1_000A1 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-AU_R1_000A1 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA SOT-23 AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC858B-AU_R1_000A1 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 963 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC858B-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; SOT23; automotive industry Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-C | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-C | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 200mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-C | Diotec Semiconductor | Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-C | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT-23, 30V, 100mA, PNP, 0.2W, 150C | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-HF | Comchip Technology | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-HF | Comchip Technology | Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR PNP -30V -0.1A HALOGEN-FREE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-HF | Comchip Technology | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2.2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-QR | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 57000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC858B-Q/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 362 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC858B-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-QVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-QVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 65V .1A PNP BJT | auf Bestellung 9071 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC858B-QVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 60000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-QVL | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: 11 inch reel; tape Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-R1-00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858B-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 200mW; SOT23 Mounting: SMD Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 220...475 Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Frequency: 200MHz Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 30V | auf Bestellung 5850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858B-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP -30V -30V -5V Ic -100mA 310mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858B-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA | auf Bestellung 5156 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC858B/BS | Nexperia | BC858B/BS | auf Bestellung 290000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858B/DG/B4215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858BDW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC858BDW1T1 - BC858BDW1T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858BDW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SC88/SC70 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC858BE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW | auf Bestellung 121603 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC858BE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 135000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 45000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC858BE6327HTSA1 INF TBC858b INF Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW | auf Bestellung 543066 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 45000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 200001 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858BE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP Type of transistor: PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 28080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 45000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 111000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858BE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC858BE6327HTSA1 - BC858 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 16618 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858BE6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP Type of transistor: PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW | auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC858BE6433HTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC858BE6433HTMA1 - BC858 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC858BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |