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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7213-B-00-IVSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3
auf Bestellung 300 Stücke:
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SI7213-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3
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SI7213-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3
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SI7213-B-00-IVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with open drain output
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Si7214-B-00-IVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with 100 Hz PWM output
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SI7214-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT PWM SOT23-3
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SI7214-B-00-IVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with 100 Hz PWM output
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SI7214-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT PWM SOT23-3
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SI7214DNVISHAY09+
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SI7214DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A PPAK 1212
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SI7214DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CH 30V (D-S) HIGH EFFICIENCY
auf Bestellung 2981 Stücke:
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SI7214DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7214DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 6.4A 2.6W 40mohm @ 10V
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Si7215-B-00-IVSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3
Features: BIST
Packaging: Strip
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: SENT
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3.3V ~ 26.5V
Bandwidth: 1kHz
Technology: Hall Effect
Resolution: 13 b
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 1.7mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
15+1.43 EUR
25+1.33 EUR
50+1.27 EUR
100+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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Si7215-B-00-IVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with open drain output
auf Bestellung 34 Stücke:
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Si7215-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3
Features: BIST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: SENT
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3.3V ~ 26.5V
Bandwidth: 1kHz
Technology: Hall Effect
Resolution: 13 b
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 1.7mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
15+1.43 EUR
25+1.33 EUR
50+1.27 EUR
100+1.21 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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Si7215-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3
Features: BIST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: SENT
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3.3V ~ 26.5V
Bandwidth: 1kHz
Technology: Hall Effect
Resolution: 13 b
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 1.7mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7215-B-00-IVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with open drain output
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7216-B-00-IVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output
auf Bestellung 299 Stücke:
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SI7216-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23
auf Bestellung 2676 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216-B-00-IVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 9086 Stücke:
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1+4.25 EUR
10+2.07 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.39 EUR
3000+1.25 EUR
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SI7216DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
auf Bestellung 17774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.71 EUR
50+2.05 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216DN-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7216DN-T1-E3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.22 EUR
75+3.11 EUR
110+1.95 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216DN-T1-E3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 6A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 39mΩ
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 20.8W
Gate charge: 19nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 20.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 17100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.19 EUR
9000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216DN-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7216DN-T1-E3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
110+1.95 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 20.8W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7216DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.22 EUR
79+2.98 EUR
111+1.94 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216DN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 6A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 39mΩ
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 20.8W
Gate charge: 19nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 20.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.71 EUR
50+2.05 EUR
100+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7216DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
111+1.94 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 9736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+1.67 EUR
100+1.46 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.25 EUR
3000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7217-B-01-IVSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23
Features: BIST
Packaging: Strip
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Bandwidth: 7kHz
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-5
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
10+2.99 EUR
25+2.49 EUR
50+2.43 EUR
100+2.21 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7217-B-01-IVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.86 EUR
10+2.98 EUR
100+2.18 EUR
600+1.9 EUR
1200+1.69 EUR
2700+1.63 EUR
5100+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7217-B-01-IVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7217-B-01-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23
Supplier Device Package: SOT-23-5
Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ)
Sensing Range: ±20mT
Technology: Hall Effect
Bandwidth: 7kHz
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Axis: Single
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Analog Voltage
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Features: BIST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7218DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7218DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 24A 23W
auf Bestellung 4292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7218DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7218DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 24A 23W 25mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7218DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7220DNVISHAY09+
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7220DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7220DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SI7220DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7220DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 13362 Stücke:
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1+4.69 EUR
10+3.89 EUR
100+3.09 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.32 EUR
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SI7220DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SI7220DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SI7220DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
93+2.51 EUR
103+2.08 EUR
500+1.78 EUR
1500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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SI7220DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7220DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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1+4.5 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
3000+1.33 EUR
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SI7220DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7220DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.78 EUR
1500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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SI7220DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7222DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 1174 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7222DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7222DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7222DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7222DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7222DW-T1-E3
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7223DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 3897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+1.5 EUR
100+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7223DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7223DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7223DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7223DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7223DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
129+1.81 EUR
154+1.39 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7223DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 27208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
11+1.99 EUR
50+1.49 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7223DN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 37.2mΩ
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 23W
Gate charge: 40nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7223DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.61 EUR
125+1.34 EUR
132+1.23 EUR
166+0.94 EUR
250+0.89 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7223DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.84 EUR
9000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7224DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7224DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7224DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7224DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7224DN-T1-GE3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7224DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7225DNVISHAY09+
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7225DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7228DNVishay BCSI7228DN MOSFET 2N-CH 30V 26A PowerPAK 1212-8 Dual Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7228DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7228DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7228DN-T1-GE3Vishay BCSI7228DN-T1-GE3 SI7228DN MOSFET 2N-CH 30V 26A PowerPAK 1212-8 Dual Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7228DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7228DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7230DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7230DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 1838 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7230DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 14A 1.5W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7230DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7230DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 14A 3.7W 12mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7230DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7230DP-T1-E3
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7230E02+
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7230MSANKEN
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7230M
Produktcode: 39780
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7232DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.48 EUR
137+1.24 EUR
138+1.18 EUR
199+0.79 EUR
250+0.74 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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