Produkte > irf
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRF3205STRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205STRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205STRRPBF | International Rectifier | D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 200 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205Z | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF3205Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205Z | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF3205ZL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF3205ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3205ZLPBF | Infineon Technologies | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 76nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZPBF Produktcode: 34997
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 75 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/110 Montage: THT | auf Bestellung: 255 St.
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| IRF3205ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZPBF | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm | auf Bestellung 697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3205ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 51339 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3205ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 170W Gate charge: 110nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 78A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 55V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 6.5mΩ | auf Bestellung 491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3205ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZPBFAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET UP TO 60V | auf Bestellung 583 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF3205ZPBFAKSA1 | Infineon Technologies | IRF3205ZPBFAKSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZPBFAKSA1 | Infineon Technologies | IRF3205ZPBFAKSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZPBFAKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZPBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF3205ZPBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZPBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF3205ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3205ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZS | Infineon | N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF3205ZS Produktcode: 53829
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| 8542 39 90 00 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF3205ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZS | IR | TO-263 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZSP Produktcode: 99464
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 75 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 6,5 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRF3205ZSPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 76nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm | auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3205ZSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm | auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V | auf Bestellung 3357 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF3205ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK Mounting: SMD Pulsed drain current: 440A Power dissipation: 170W Gate charge: 110nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 78A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 55V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel Case: D2PAK On-state resistance: 6.5mΩ | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg | auf Bestellung 535 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3205ZSTRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF321 | International Rectifier | Description: IRFN-CHANNHERMETMHEXFET Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF322 | International Rectifier | Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Power Dissipation (Max): 50W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A FET Type: N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF323 | International Rectifier HiRel Products | IRF323 | auf Bestellung 555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF323 | International Rectifier | Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A Power Dissipation (Max): 50W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V | auf Bestellung 901 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF330 | IR | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF330 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF330 | International Rectifier | TO-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF330 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3305 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3305PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 100nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3305PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF331 | IR | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF331 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | auf Bestellung 2691 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF331 | HARRIS | IRF331 | auf Bestellung 2691 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3314STRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3314STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 27A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF3315 TIRF3315 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF3315-010 | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315-010HR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315HR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315L | IR | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF3315L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315LPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 70mOhm 63.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3315PBF | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF3315PBF - IRF3315 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3315PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315S | IR | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315SHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315SPBF | Infineon Technologies | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 82mOhms 63.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315STRLHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315STRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 150V 21A 82mOhm 63.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315STRRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF3315STRRPBF | Infineon / IR | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 82mOhms 63.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF332 | International Rectifier | Description: 4.5A, 400V, 1.5OHM, N-CHANNEL PO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |