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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
STB38N65M5STMicroelectronicsSTB38N65M5 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3D16-152M
auf Bestellung 76748 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3D16-222M
auf Bestellung 100412 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3D16-6R8K
auf Bestellung 4704 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3NA60-1ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3NA80ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3NA80T4STMTO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3NB60ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3NB60T4STMTO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3NC60ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3NC60-T4
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3NC60-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3NC60T4ST
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3NC90ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3NC90ZST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3NC90Z-1ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3NK60ZST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3NK60ZT4STMMOSFET N-CH 600V 2.4A 45W, D2PAK Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3NK60ZT4STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
auf Bestellung 906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.27 EUR
13+1.43 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3NK60ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB3NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3NK60ZT4 (Transistor)
Produktcode: 47828
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB4
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB403015EUROPADescription: EUROPA - STB403015 - Gehäuse, Wandgehäuse, Stahl, IP65, 400 x 300 x 150mm
tariffCode: 73102990
Außentiefe - metrisch: 150mm
Außentiefe - imperial: 5.91"
productTraceability: No
Außenbreite - metrisch: 300mm
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - metrisch: 400mm
Außenhöhe - imperial: 15.75"
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Außenbreite - Zoll: 11.81"
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB403020EUROPADescription: EUROPA - STB403020 - Gehäuse, Wandgehäuse, Stahl, IP65, 400 x 300 x 200mm
tariffCode: 73102990
rohsCompliant: YES
Gehäusefarbe: Grau
Außenhöhe - imperial: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IP-Schutzart: IP65
NEMA-Bewertung: NEMA 4
Außentiefe - metrisch: 200mm
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 400mm
Außentiefe - imperial: -
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 300mm
Produktpalette: Europa STB
productTraceability: No
Gehäusetyp: Wandmontage
Außenbreite - Zoll: -
Gehäusematerial: Stahl
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB404020EUROPADescription: EUROPA - STB404020 - Gehäuse, Wandgehäuse, Stahl, IP65, 400 x 400 x 200mm
tariffCode: 73102990
Außentiefe - metrisch: 200mm
Außentiefe - imperial: -888"
productTraceability: No
Außenbreite - metrisch: 400mm
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - metrisch: 400mm
Außenhöhe - imperial: -888"
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Außenbreite - Zoll: -888"
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB4045CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB4045CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB4045CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB4045CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB406012Hoffman Enclosures, Inc.Description: IP66 TERM BOX 400X600X120MM
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB4060CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 mA @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB4060CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 mA @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB4080CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D2PAK
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.38 EUR
10+2.15 EUR
100+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB4080CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D2PAK
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB4080CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB4080CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V D2PAK
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40BE03L-20T4ST
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40N20ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.11 EUR
18+4.13 EUR
50+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+7.66 EUR
50+5.7 EUR
100+4.93 EUR
200+3.94 EUR
500+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.54 EUR
10+6.39 EUR
100+4.59 EUR
500+4.24 EUR
1000+3.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.5 EUR
10+6.36 EUR
100+4.58 EUR
500+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NE03ST
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NE03L-20STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NE03L-20T4STMTO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NE03L-20TR
auf Bestellung 53200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF03LST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10-1ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10-TR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10LST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.52 EUR
2000+1.45 EUR
3000+1.4 EUR
10000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.9 EUR
2000+1.71 EUR
3000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10LT4STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Id = 40 А, Ptot, Вт = 150, Udss, В = 100, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2300 @ 25, Qg, нКл = 64 @ 4,5 В, Rds = 33 мОм @ 20 А, 10 В, Tексп, °C = -65...+175, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5 EUR
10+3.26 EUR
100+2.26 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10LT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.4 EUR
33+2.2 EUR
100+1.59 EUR
250+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.9 EUR
2000+1.75 EUR
3000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.5 EUR
2000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.42 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10LT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB40NF10LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10LT4STMN-channel 100V - 0.028. - 40A - D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10LT4
Produktcode: 172505
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 40 Amp
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.35 EUR
10+3.48 EUR
100+2.43 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10T4STMN-кан. MOSFET 100V, 50A, 0.024Ом, 150Вт (STripFET II) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10T4
Produktcode: 113421
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF20STMicroelectronicsMOSFETs Low charge STripFET
auf Bestellung 1527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+4.7 EUR
100+3.48 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.93 EUR
10+4.58 EUR
100+3.25 EUR
500+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NS15ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NS15T4STMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NS15T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NS15T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 150 Volt 40 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB40NS15T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB41N40DM6AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB41N40DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 41 A, 0.05 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB41N40DM6AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 400 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB41N40DM6AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 400 V, 50 mOhm typ 41 A MDmesh DM6 Power MOSFET
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.7 EUR
10+10.58 EUR
25+10.08 EUR
100+8.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB41N40DM6AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB41N40DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 41 A, 0.05 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 976 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB41N40DM6AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 400 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
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2+11.62 EUR
10+7.86 EUR
100+5.73 EUR
500+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STB42N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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2000+3.58 EUR
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