Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 911000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 2132 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP460PBF Produktcode: 23707
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Lieblingsprodukt
| Vishay | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V Drain-Strom Idd, A: 20 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4200/210 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFP460_R4943 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP462 | HARRIS | IRFP462 | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP462 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V | auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4668 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFP4668 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 9,7mOhm; 130A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4668; IRFP4668XKMA1; IRFP4668; IRFP4668 TIRFP4668 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP4668 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 9,7mOhm; 130A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4668; IRFP4668XKMA1; IRFP4668; IRFP4668 TIRFP4668 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP4668 Produktcode: 83053
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFP4668 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 220V; 20V; 27mOhm; 130A; 700W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP4668; IRFP4668XKMA1; SP001572854; SP005732696; IRFP4668 JSMICRO TIRFP4668 JSM Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 1099 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBF | MOSFET N-Ch 200V 130A TO-247-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFP4668PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 161nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBF Produktcode: 32680
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В Drain-Strom Idd, A: 130 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10720/161 Montage: THT | auf Bestellung: 121 St.
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| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 1675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBF | Infineon | MOSFET N-Ch 200V 130A TO247AC Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 1099 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4668PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 9700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 30V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm | auf Bestellung 2695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | auf Bestellung 378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | auf Bestellung 13677 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | auf Bestellung 13215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm | auf Bestellung 474 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | auf Bestellung 378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V Power Dissipation (Max): 520W Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V | auf Bestellung 1149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon | N-Channel 200 V 130A (Tc) 520W Through Hole TO-247AC Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 161nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | auf Bestellung 10164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | auf Bestellung 10165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP470 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP470 | IXYS | MOSFETs 24 Amps 500V 0.23 Rds | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4710 | International Rectifier | HEXFET power MOSFET. VDSS = 100 V, RDS(on) = 0.014 Ohm, ID = 72 A Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4710PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 11467 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4710PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 72A 14mOhm 110nCAC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4710PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 72A TO247AC Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4710PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 72 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6160 @ 25, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 14 мОм @ 45 A, 10 В, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 190 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4710PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 22375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4710PBF Produktcode: 83493
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFP4710PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFP4710PBF - IRFP4710 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4768 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 250V; 20V; 17,5mOhm; 93A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4768; IRFP4768XKMA1; IRFP4768 TIRFP4768 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP4768 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFP4768 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 250V; 20V; 17,5mOhm; 93A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4768; IRFP4768XKMA1; IRFP4768 TIRFP4768 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP4768PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 66A Pulsed drain current: 370A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4768PBF Produktcode: 55495
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В Drain-Strom Idd, A: 93 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 17,5 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10880/180 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFP4768PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4768PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 56 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm | auf Bestellung 761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 250V 83A 21mOhm 195nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4768PBF | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | auf Bestellung 3228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | auf Bestellung 3229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm | auf Bestellung 1021 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | auf Bestellung 872 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | auf Bestellung 13400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 66A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 370A Technology: HEXFET® | auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | auf Bestellung 3228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V | auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4868 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 300V; -/+20V; 25,5mOhm; 70A; 517W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP4868; IRFP4868 INFINEON TIRFP4868 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP4868 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4868PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 1504 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4868PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 300V, 70A, 32 mOhm 180 nC Qg, TO-247AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4868PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 70A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 517W Gate charge: 180nC Technology: HEXFET® Gate-source voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4868PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4868PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 300V 70A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4868PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4868PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 70 A, 0.0255 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 517W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4868PBF | Infineon | Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP4868PBF (TO-247AC, Infineon) Produktcode: 56397
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| Infineon | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Drain-Source-Spannung Uds, V: 300 В Drain-Strom Idd, A: 70 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 25,5 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10774/180 Montage: THT | auf Bestellung: 16 St.
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| IRFP4868PBFAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | auf Bestellung 1954 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4868PBFAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 70A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4868PBFAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V | auf Bestellung 1642 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP540 Transistor Produktcode: 92457
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| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFP640 Produktcode: 153105
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFP640N | IR | TO-220 10+ | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP7430 | International Rectifier | N-MOSFET 404A 40V 366W IRFP7430 TO247AC TIRFP7430 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP7430 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 195A 1.4mOhm HEXFET 366W 300nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 2355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP7430PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 366W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm | auf Bestellung 561 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 10404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 2396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 2355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP7430PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 404A Power dissipation: 366W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET Technology: HEXFET® | auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 1884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 366W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V | auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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