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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFPS3810PBFInfineon / IRMOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 260nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3810PBF
Produktcode: 101081
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3810PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170, Ptot, Вт = 580, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6790 @ 25 В, Qg, нКл = 390, Rds = 9 мОм @ 100 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3...5 В, Pb-free,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3810PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFPS3810PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-274AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 441
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 441
Bauform - Transistor: TO-274AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3810PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3810TRPBFIR09+ SOT89
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3815
Produktcode: 30170
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 105 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6810/260
Montage: THT
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IRFPS3815HRInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3815PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 63A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3815PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFPS3815PBF - IRFPS381 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3815PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3815PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 260nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3815PBF
Produktcode: 139365
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFPS38N60LVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPS38N60LPBF
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS38N60L
Produktcode: 31847
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 38 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,12 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7990/320
Bemerkung: 170 ns
Montage: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS38N60LIRSUPER247
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS38N60LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS38N60LPBFVISHAY
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS38N60LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS38N60LPBFVishay SemiconductorsMOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS38N60LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin Super-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N50LVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N50LТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N50LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 46A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N50L Transistor
Produktcode: 56285
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N50LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 46A 3-Pin Super-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N50LPBFTO-247SUPER Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 46A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 46A 3-Pin Super-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N50LPBF(Transistor)
Produktcode: 92432
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N60KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N60KSiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 130mOhm; 40A; 570W; -55°C ~ 150°C; IRFPS40N60K TIRFPS40n60k
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+20.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N60KVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFPS40N60KPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N60KSUPER247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N60KPBF
Produktcode: 31848
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 40 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7970/330
Bemerkung: 110 ns
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N60KPBFVishay SemiconductorsMOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.84 EUR
10+28.36 EUR
25+27.2 EUR
100+24.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N60KPBFVishayIRFPS40N60KPBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin Super-247 - Arrow.com
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N60KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N60KPBFVishayIRFPS40N60KPBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin Super-247 - Arrow.com
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.32 EUR
60+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS43N50KIRFPS43N50K Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS43N50KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS43N50KVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS43N50KPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS43N50KPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 47 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8310 @ 25, Qg, нКл = 350 @ 10 В, Rds = 90 мОм @ 28 В, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 540 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: SUPER-247(TO-274AA) Од.
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS43N50KPBF
Produktcode: 36735
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: Super-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 47 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,078 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 8310/350
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+8.33 EUR
10+7.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS43N50KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS43N50KPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPS43N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 47 A, 0.078 ohm, TO-274AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 47
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 540
Bauform - Transistor: TO-274AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS43N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 47A 3-Pin Super-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS4888PBFInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPW4468PBFXKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 50 V
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.22 EUR
30+8.2 EUR
60+7.47 EUR
120+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPW4468PBFXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFPW4468PBFXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2600 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 517W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.7 EUR
29+8.16 EUR
100+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IRFPW4468PBFXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs StrongIRFET Power MOSFET, 100 V
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.99 EUR
10+7.38 EUR
100+6.76 EUR
480+5.81 EUR
1200+5.78 EUR
2640+5.65 EUR
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IRFR010Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
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IRFR010IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
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IRFR010Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR010PBF
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IRFR010PBFVishayTrans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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IRFR010PBFVishayTrans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.68 EUR
73+2.33 EUR
100+2.18 EUR
250+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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IRFR010PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
auf Bestellung 2278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
75+1.76 EUR
150+1.52 EUR
525+1.34 EUR
1050+1.18 EUR
2025+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRFR010PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 N-CH 50V 8.2A
auf Bestellung 2805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+1.75 EUR
100+1.57 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.18 EUR
6000+1.12 EUR
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IRFR010PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFR010PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 N-CH 50V 8.2A
auf Bestellung 11473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.12 EUR
100+1.63 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.09 EUR
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IRFR010PBF-BE3VishaySurface Mount Fast Switching, Low Resistance Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR010TM
auf Bestellung 2522 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR010TRIRSOT252
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR010TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
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IRFR010TR SOT252IR
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR010TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFR010TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR010TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR010TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR010TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR010TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFR010TRSOT252IR
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR012IR
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
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IRFR014Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 7,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR014; IRFR014TR; IRFR014TRL; IRFR014 TIRFR014
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFR014ATM
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR014N
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 586 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.84 EUR
123+1.89 EUR
132+1.63 EUR
143+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IRFR014PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 N-CH 60V 7.7A
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+1.87 EUR
100+1.61 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.09 EUR
9000+1.04 EUR
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IRFR014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.99 EUR
99+1.74 EUR
150+1.52 EUR
1050+1.15 EUR
2025+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
75+1.89 EUR
150+1.7 EUR
525+1.44 EUR
1050+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK - Vishay IR Surface Mount N-Channel 60V 7.7A 200 mOhm @ 4.6A, 10V 300pF @ 25V 2.5W Tube 11nC @ 10V DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) Standard ).... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.43 EUR
105+1.59 EUR
118+1.38 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.18 EUR
116+2.01 EUR
125+1.73 EUR
136+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.64 EUR
118+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 N-CH 60V 7.7A
auf Bestellung 7655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+1.87 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.09 EUR
3000+0.95 EUR
6000+0.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
75+1.89 EUR
150+1.7 EUR
525+1.44 EUR
1050+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFR014TR
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR014; IRFR014-BE3; IRFR014TR; IRFR014TR-BE3; IRFR014TRL; IRFR014TRL-BE3; IRFR014TR JSMICRO TIRFR014 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 20A; 31,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR014; IRFR014-BE3; IRFR014TR; IRFR014TR-BE3; IRFR014TRL; IRFR014TRL-BE3; IRFR014TR-ML MOSLEADER TIRFR014 MOS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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