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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFR014TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.5 EUR
12+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRRPBF
auf Bestellung 48800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 60V 7.7 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020IRTO-252
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR020PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TR
auf Bestellung 6325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 3706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.85 EUR
10+2.48 EUR
100+1.69 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 N-CH 60V 14A
auf Bestellung 3808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.91 EUR
10+2.52 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
2000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024IRTO-252
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024 NTKIR0310
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NHXY MOSFETTO-252 (DPAK) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024N JSMICRO TIRFR024 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NIR09+
auf Bestellung 19158 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024N -IR
Produktcode: 34110
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 370/20
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.57 EUR
10+0.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 105mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024N HXY MOSFET TIRFR024 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4007 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.63 EUR
38+3.72 EUR
100+2.16 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.94 EUR
2500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024N-TR
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhms 13.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NPBF
Produktcode: 34111
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 370/20
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.35 EUR
10+0.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NPBFInternational RectifierTO-252 (DPAK) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRUMWDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024NTR JGSEMI TIRFR024 JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRInfineonN-MOSFET 14A 60V 42W 1.2Ω IRFR024NTR IRFR024N-GURT IRFR024NTRL IRFR024NTRR IRFR024N smd TIRFR024
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024NTR UMW TIRFR024 UMW
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
763+0.72 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 763 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
763+0.72 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 763 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
763+0.72 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 763 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
763+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 763 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.64 EUR
4000+0.59 EUR
6000+0.56 EUR
10000+0.53 EUR
14000+0.52 EUR
20000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 81921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 28432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.48 EUR
150+0.97 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.59 EUR
4000+0.53 EUR
6000+0.5 EUR
10000+0.47 EUR
14000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
auf Bestellung 34698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.55 EUR
10+1.57 EUR
100+1.04 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.63 EUR
4000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.57 EUR
285+0.51 EUR
288+0.49 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.44 EUR
4000+0.43 EUR
8000+0.41 EUR
12000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.44 EUR
4000+0.42 EUR
8000+0.4 EUR
12000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 96294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.38 EUR
12+1.49 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.41 EUR
183+0.39 EUR
191+0.38 EUR
199+0.36 EUR
250+0.34 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 81921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 126000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.44 EUR
4000+0.43 EUR
8000+0.42 EUR
12000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+0.65 EUR
254+0.56 EUR
256+0.53 EUR
285+0.46 EUR
288+0.44 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF
Produktcode: 42276
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.075
JHGF: SMD
verfügbar: 117 St.
  • 20 St. - stock Köln
  • 97 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.34 EUR
10+0.32 EUR
100+0.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 126000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.44 EUR
4000+0.42 EUR
8000+0.4 EUR
12000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024PBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.1 EUR
98+0.74 EUR
104+0.69 EUR
150+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.15 EUR
150+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 5024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
649+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 649 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 5828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.89 EUR
75+1.78 EUR
150+1.6 EUR
525+1.36 EUR
1050+1.25 EUR
2025+1.16 EUR
5025+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.79 EUR
211+0.67 EUR
222+0.61 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.79 EUR
115+1.23 EUR
141+0.96 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.71 EUR
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.29 EUR
140+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 N-CH 60V 14A
auf Bestellung 4132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.83 EUR
10+1.32 EUR
100+1.08 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.86 EUR
6000+0.83 EUR
9000+0.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
649+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 649 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024TF
auf Bestellung 24600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024TLR
auf Bestellung 1846 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024TM
Produktcode: 18281
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
FSTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 60
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024TM
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024TRir-
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 60V 14 Amp
auf Bestellung 2713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.2 EUR
10+2.04 EUR
100+1.37 EUR
500+1.11 EUR
1000+1 EUR
3000+0.93 EUR
6000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.89 EUR
10+2.5 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024TRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 N-CH 60V 14A
auf Bestellung 2006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.26 EUR
10+1.92 EUR
100+1.31 EUR
500+1.06 EUR
1000+1.03 EUR
10000+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+0.87 EUR
178+0.79 EUR
179+0.76 EUR
207+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.82 EUR
179+0.81 EUR
207+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 2296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.89 EUR
10+2.5 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFR024TRPBF
Produktcode: 119352
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