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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFR010PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
auf Bestellung 2278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
75+1.76 EUR
150+1.52 EUR
525+1.34 EUR
1050+1.18 EUR
2025+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010PBFVishayTrans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.68 EUR
73+2.33 EUR
100+2.18 EUR
250+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 N-CH 50V 8.2A
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+1.75 EUR
100+1.57 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.14 EUR
6000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010PBFVishayTrans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 N-CH 50V 8.2A
auf Bestellung 11591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+1.86 EUR
100+1.4 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.17 EUR
3000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010PBF-BE3VishaySurface Mount Fast Switching, Low Resistance Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010TM
auf Bestellung 2522 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010TRIRSOT252
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010TR SOT252IR
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010TRSOT252IR
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR012IR
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 7,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR014; IRFR014TR; IRFR014TRL; IRFR014 TIRFR014
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014ATM
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014N
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
75+1.89 EUR
150+1.7 EUR
525+1.44 EUR
1050+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.99 EUR
99+1.74 EUR
150+1.52 EUR
1050+1.15 EUR
2025+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 N-CH 60V 7.7A
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+1.87 EUR
100+1.61 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.09 EUR
9000+1.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.18 EUR
116+2.01 EUR
125+1.73 EUR
136+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.68 EUR
69+1.24 EUR
75+1.14 EUR
79+1.08 EUR
82+1.05 EUR
150+0.99 EUR
1050+0.84 EUR
2025+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.43 EUR
105+1.59 EUR
118+1.38 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.84 EUR
123+1.89 EUR
132+1.63 EUR
143+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.64 EUR
118+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK - Vishay IR Surface Mount N-Channel 60V 7.7A 200 mOhm @ 4.6A, 10V 300pF @ 25V 2.5W Tube 11nC @ 10V DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) Standard ).... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
75+1.89 EUR
150+1.7 EUR
525+1.44 EUR
1050+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 N-CH 60V 7.7A
auf Bestellung 7655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+1.87 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.09 EUR
3000+1 EUR
6000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TR
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR014; IRFR014-BE3; IRFR014TR; IRFR014TR-BE3; IRFR014TRL; IRFR014TRL-BE3; IRFR014TR JSMICRO TIRFR014 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 20A; 31,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR014; IRFR014-BE3; IRFR014TR; IRFR014TR-BE3; IRFR014TRL; IRFR014TRL-BE3; IRFR014TR-ML MOSLEADER TIRFR014 MOS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
12+1.81 EUR
100+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFR014TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 N-CH 60V 7.7A
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1+3.77 EUR
10+2.37 EUR
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IRFR014TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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3000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6749 Stücke:
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8+2.64 EUR
12+1.84 EUR
100+1.43 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRFR014TRLPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR014TRLPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 N-CH 60V 7.7A
auf Bestellung 21882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2.37 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.09 EUR
3000+0.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.11 EUR
4000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
124+1.87 EUR
172+1.25 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 60V 7.7 Amp
auf Bestellung 1693 Stücke:
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2+3.17 EUR
10+1.96 EUR
100+1.29 EUR
500+1.08 EUR
4000+1.07 EUR
10000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.25 EUR
119+1.95 EUR
180+1.19 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 N-CH 60V 7.7A
auf Bestellung 8333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.3 EUR
10+2.73 EUR
100+1.83 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.23 EUR
4000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.98 EUR
12+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRRPBF
auf Bestellung 48800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR020PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020IRTO-252
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TR
auf Bestellung 6325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 3706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3.03 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 N-CH 60V 14A
auf Bestellung 3808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+2.4 EUR
100+1.77 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024IRTO-252
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024 NTKIR0310
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IRFR024NIR09+
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IRFR024NHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 105mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024N HXY MOSFET TIRFR024 HXY
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50+0.68 EUR
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IRFR024N
Produktcode: 34110
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 370/20
Montage: SMD
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1+0.7 EUR
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IRFR024NHXY MOSFETTO-252 (DPAK) Транзистори
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IRFR024NJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024N JSMICRO TIRFR024 JSM
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IRFR024NInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR024N-TR
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IRFR024NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhms 13.3nC
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IRFR024NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
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