Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IRFPS40N60K | SUPER247 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFPS40N60KPBF | Vishay | IRFPS40N60KPBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin Super-247 - Arrow.com | auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFPS40N60KPBF Produktcode: 31848
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V Drain-Strom Idd, A: 40 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7970/330 Bemerkung: 110 ns Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFPS40N60KPBF | Vishay | IRFPS40N60KPBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin Super-247 - Arrow.com | auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFPS40N60KPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 570W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-274AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFPS40N60KPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFPS43N50K | IRFPS43N50K Транзисторы HEXFET | auf Bestellung 993 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFPS43N50K | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247 Packaging: Tube Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8310 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFPS43N50K | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFPS43N50KPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFPS43N50KPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 47A 3-Pin Super-247 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFPS43N50KPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFPS43N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 47 A, 0.078 ohm, TO-274AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 47 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 540 Bauform - Transistor: TO-274AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFPS43N50KPBF | Vishay/IR | N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 47 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8310 @ 25, Qg, нКл = 350 @ 10 В, Rds = 90 мОм @ 28 В, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 540 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: SUPER-247(TO-274AA) Од. Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | verfügbar 1 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFPS43N50KPBF Produktcode: 36735
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: Super-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V Drain-Strom Idd, A: 47 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,078 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 8310/350 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFPS43N50KPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247 Packaging: Tube Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8310 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFPS4888PBF | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFPW4468PBFXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFPW4468PBFXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2600 µohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 517W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm | auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFPW4468PBFXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs StrongIRFET Power MOSFET, 100 V | auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFPW4468PBFXKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 50 V | auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR010 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR010 | IR | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR010 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR010PBF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR010PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK | auf Bestellung 2572 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR010PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO252 N-CH 50V 8.2A | auf Bestellung 2825 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR010PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA | auf Bestellung 2278 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR010PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK | auf Bestellung 2572 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR010PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO252 N-CH 50V 8.2A | auf Bestellung 11473 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR010PBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR010PBF-BE3 | Vishay | Surface Mount Fast Switching, Low Resistance Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR010TM | auf Bestellung 2522 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR010TR | IR | SOT252 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR010TR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR010TR SOT252 | IR | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFR010TRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR010TRLPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR010TRLPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR010TRLPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR010TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR010TRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR010TRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR010TRSOT252 | IR | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFR012 | IR | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFR014 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014 | Siliconix | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 7,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR014; IRFR014TR; IRFR014TRL; IRFR014 TIRFR014 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR014ATM | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR014N | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR014PBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 2457 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR014PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2832 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR014PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 25W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm | auf Bestellung 646 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR014PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | auf Bestellung 1120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR014PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2457 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR014PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ (MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK - Vishay IR Surface Mount N-Channel 60V 7.7A 200 mOhm @ 4.6A, 10V 300pF @ 25V 2.5W Tube 11nC @ 10V DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) Standard ).... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 75 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 25W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm | auf Bestellung 621 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR014PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO252 N-CH 60V 7.7A | auf Bestellung 1999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR014PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR014PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO252 N-CH 60V 7.7A | auf Bestellung 7655 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR014PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014PBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V | auf Bestellung 1617 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR014TR | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR014TR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014TR | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR014; IRFR014-BE3; IRFR014TR; IRFR014TR-BE3; IRFR014TRL; IRFR014TRL-BE3; IRFR014TR JSMICRO TIRFR014 JSM Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR014TR-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 20A; 31,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR014; IRFR014-BE3; IRFR014TR; IRFR014TR-BE3; IRFR014TRL; IRFR014TRL-BE3; IRFR014TR-ML MOSLEADER TIRFR014 MOS Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR014TRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014TRLPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO252 N-CH 60V 7.7A | auf Bestellung 2511 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR014TRLPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014TRLPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2620 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR014TRLPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR014TRLPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014TRLPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014TRLPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR014TRLPBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR014TRLPBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 6749 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR014TRLPBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO252 N-CH 60V 7.7A | auf Bestellung 21872 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR014TRLPBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR014TRLPBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR014TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR014TRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014TRPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Chan 60V 7.7 Amp | auf Bestellung 1693 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR014TRPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR014TRPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR014TRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014TRPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1728 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR014TRPBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014TRPBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014TRPBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO252 N-CH 60V 7.7A | auf Bestellung 8333 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR014TRPBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR014TRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014TRRPBF | auf Bestellung 48800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR014TRRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014TRRPBF | Vishay / BC Components | MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR014TRRPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR020 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR020PBF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR020 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR020 | IR | TO-252 | auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |