Produkte > PMP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| PMPB27EP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R | auf Bestellung 22511693 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB27EP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R | auf Bestellung 167718 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB27EP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 6.1A DFN2020MD-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB27EP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB27EP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R | auf Bestellung 4076 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB27EP/S500,X | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMPB27EP/S500,X - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2995 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB27EP/S500,X | Nexperia | PMPB27EP/S500,X | auf Bestellung 5450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB27EPAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 501 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 43 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB27EPAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 501 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB27EPAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMPB27EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.1 A, 0.024 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB27EPAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 6.1A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMPB27EPAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB27EPAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMPB27EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.1 A, 0.024 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB27EPAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 6.1A DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB27EPAX | Nexperia | MOSFETs 30 V, P-channel Trench MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB27EPAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB27EPZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMPB27EPZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.1 A, 0.029 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB27EPZ | Nexperia USA Inc. | Description: PMPB27EP/SOT1220/SOT1220 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB27EPZ | Nexperia | MOSFETs PMPB27EP/SOT1220/DFN2020MD-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB27EPZ | Nexperia USA Inc. | Description: PMPB27EP/SOT1220/SOT1220 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB29XNE | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB29XNE,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin DFN-MD EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB29XNE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5A DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB29XNE,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin DFN-MD EP T/R | auf Bestellung 968 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB29XNE,115 | Nexperia | MOSFETs PMPB29XNE/SOT1220/SOT1220 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB29XNE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB29XNEAX | Nexperia USA Inc. | Description: PMPB29XNEA/SOT1220/SOT1220 Packaging: Bulk Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Grade: Automotive Vgs (Max): ±8V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMPB29XNEAX | Nexperia | MOSFETs SOT1220 N-CH 30V 5A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB29XNEAX | Nexperia USA Inc. | Description: PMPB29XNEA/SOT1220/SOT1220 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Grade: Automotive Vgs (Max): ±8V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB29XNEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB29XPE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMPB29XPE,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 5A 6-Pin DFN-MD EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB29XPE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB29XPE,115 | Nexperia | MOSFETs PMPB29XPE/SOT1220/SOT1220 | auf Bestellung 5894 Stücke: Lieferzeit 66-70 Tag (e) |
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| PMPB29XPE,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 5A 6-Pin DFN-MD EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB29XPEAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMPB29XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.028 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB29XPEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMPB29XPEAX | Nexperia | MOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET | auf Bestellung 332 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMPB29XPEAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMPB29XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.028 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB29XPEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB30XPEX | Nexperia USA Inc. | Description: PMPB30XPE/SOT1220/SOT1220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1517 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): +8V, -12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB30XPEX | Nexperia | MOSFET PMPB30XPE/SOT1220/SOT1220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB30XPEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 6.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R | auf Bestellung 41900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB30XPEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 6.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB30XPEX | Nexperia USA Inc. | Description: PMPB30XPE/SOT1220/SOT1220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1517 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): +8V, -12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMPB30XPEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 6.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB33XN | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB33XN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.3A DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB33XN,115 | Nexperia | MOSFETs PMPB33XN/SOT1220/SOT1220 | auf Bestellung 6660 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMPB33XN,115 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 30V 4.3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R | auf Bestellung 6972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB33XN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.3A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 15 V | auf Bestellung 2785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMPB33XN,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 4.3A 6-Pin DFN-MD EP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB33XP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R | auf Bestellung 24172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB33XP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB33XP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A DFN2020MD-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB33XP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB33XP,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 5.5A 6DFN Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB33XP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB33XP,115 | Nexperia | MOSFETs PMPB33XP/SOT1220/SOT1220 | auf Bestellung 515 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMPB33XP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB33XP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A DFN2020MD-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 6042 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMPB33XPZ | Nexperia USA Inc. | Description: PMPB33XP/SOT1220/DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V | auf Bestellung 2984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMPB33XPZ | Nexperia | MOSFETs PMPB33XP/SOT1220/DFN2020MD-6 | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMPB33XPZ | Nexperia USA Inc. | Description: PMPB33XP/SOT1220/DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB40SNA | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB40SNA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB40SNA,115 | Nexperia | MOSFET PMPB40SNA/SOT1220/REEL 7" Q1/T | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB40SNA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB40SNA115 | NXP USA Inc. | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 30 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMPB43XPE,115 | NXP Semiconductors | PMPB43XPE,115 | auf Bestellung 96666 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB43XPE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 10 V | auf Bestellung 2623 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMPB43XPE,115 | Nexperia | MOSFET PMPB43XPE/SOT1220/SOT1220 | auf Bestellung 3516 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMPB43XPE,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 5A 6-Pin DFN-MD EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB43XPE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB43XPE,115 | NXP Semiconductors | PMPB43XPE,115 | auf Bestellung 194758 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB43XPEAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB43XPEAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | auf Bestellung 2372 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB43XPEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMPB43XPEAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMPB43XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.048 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB43XPEAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB43XPEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB43XPEAX | Nexperia | MOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMPB43XPEAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMPB43XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.048 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB43XPEAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | auf Bestellung 2372 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB45EPAX | Nexperia | Nexperia | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB47XP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin DFN-MD EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB47XP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 4A DFN2020MD-6 Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB47XP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin DFN-MD EP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB47XP,115 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin DFN-MD EP T/R | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB47XP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 4A DFN2020MD-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB47XP,115 | Nexperia | MOSFETs PMPB47XP/SOT1220/DFN2020MD-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB48EP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB48EP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB48EP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R | auf Bestellung 1250000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB48EP,115 | Nexperia | MOSFETs PMPB48EP/SOT1220/SOT1220 | auf Bestellung 3702 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMPB48EP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB48EPAX | Nexperia | MOSFETs SOT1220 P-CH 30V 4.7A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMPB48EPAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1899 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB48EPAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1899 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB48EPAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
