Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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| IRFR220NTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR220NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5A Power dissipation: 43W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 2754 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR220NTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR220NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC | auf Bestellung 16063 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR220NTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR220NTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR220NTRRPBF | Infineon / IR | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC | auf Bestellung 2172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR220NTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR220PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET | auf Bestellung 19462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR220PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 711 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR220PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V | auf Bestellung 3911 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR220PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR220PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR220PBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 14nC | auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR220PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1501 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR220PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR220PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1501 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR220PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFR220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 42W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm | auf Bestellung 1668 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR220PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 711 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR220PBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 200V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR220PBF-BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET | auf Bestellung 8741 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR220PBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 200V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR220PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR220TF | SAMSUNG | SOT252/2.5 | auf Bestellung 1328 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR220TR | IR | TO-252 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR220TRLPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR220TRLPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR220TRLPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR220TRLPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET | auf Bestellung 3464 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR220TRLPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR220TRLPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V | auf Bestellung 4705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR220TRLPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR220TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR220TRPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFR220TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2391 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR220TRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR220TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 574 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR220TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR220TRPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFR220TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2391 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR220TRPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR220TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR220TRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V | auf Bestellung 14507 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR220TRPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Chan 200V 4.8 Amp | auf Bestellung 2647 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR220TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 574 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR220TRPBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR220TRPBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 200V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR220TRPBF-BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET | auf Bestellung 20792 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR220TRPBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 200V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V | auf Bestellung 1910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR220TRR Produktcode: 29165
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFR220TRRPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET | auf Bestellung 2727 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR220TRRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR220TRRPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR220TRRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR220TRRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR221 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk | auf Bestellung 1075 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR222 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V | auf Bestellung 944 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR2229A | Harris Corporation | Description: STANDARD GATE DEVICE Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR224 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR224 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR224PBF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR224 | IR | TO-252 06+ | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR224B | FAIRCHILD | 07+ TO-252 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR224BTM_TC002 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 1.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR224PBF | Vishay | DPAK=TO-252 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR224PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR224PBF Produktcode: 135321
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| Vishay | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Uds,V: 250 V Idd,A: 3,8 A Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 260/14 JHGF: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR224PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR224PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp | auf Bestellung 3953 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR224PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR224PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK | auf Bestellung 1998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR224PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFR224PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3.8 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Verlustleistung: 42 Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Wandlerpolarität: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1 Qualifikation: - Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Betriebstemperatur, max.: 150 | auf Bestellung 1987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR224PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | auf Bestellung 2141 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR224PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR224TR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR224TRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR224TRLPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR224TRLPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp | auf Bestellung 2876 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR224TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR224TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR224TRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR224TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR224TRPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFR224TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3.8 A, 1.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 3.8 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 42 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 42 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1 SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR224TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR224TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR224TRPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 250V N-CH HEXFET D-PAK | auf Bestellung 7138 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR224TRPBF | VISHAY | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFR224TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR224TRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V | auf Bestellung 427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR224TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR224TRPBF-BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 250V | auf Bestellung 5925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR224TRPBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 250V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR224TRPBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 250V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR224TRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR224TRRPBF | Vishay / Siliconix | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR2307 | IR | 07+ TO-252/D-PAK | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR23077 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR2307Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR2307Z | IR | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFR2307Z | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR2307ZPBF | International Rectifier | DPAK=TO-252 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR2307ZPBF | Infineon / IR | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 50nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR2307ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |