Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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| IRFR3504ZTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 12583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3504ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 77A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3504ZTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V | auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR3504ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 77A 9mOhm 30nC Qg | auf Bestellung 2368 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR3504ZTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 12583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3504ZTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3504ZTRPBF IRFR3504Z | Infineon | DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3504ZTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3504ZTRRPBF | ir | 2010+ | auf Bestellung 5870 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3504ZTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3505 | IR | TO-252 | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3505HR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3505HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 55V 71A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 9031 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3505PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3505PBF Produktcode: 112588
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFR3505PBF | Infineon Technologies | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 62nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3505TR | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3505TRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3505TRLHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3505TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 55V 71A 13mOhm 62nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3505TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3505TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3505TRR | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3505TRRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3505TRRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET, 55V, 71A, 13 mOhm, 62 nC Qg, D-Pak | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3518 | IR | 07+ TO-252 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3518HR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3518PBF Produktcode: 84591
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFR3518PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 38A DPAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3518PBF | Infineon Technologies | MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 29mOhms 37nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3518PBF | International Rectifier | (замена для IRFR3418) DPAK=TO-252AA Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRL | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRLHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 80V 38A 29mOhm 37nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3518TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 38 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 110 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 38A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRPBF | International Rectifier | DPAK=TO-252AA Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 38A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3518TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRR | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRRPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3607 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFR3607PBF | International Rectifier | D-PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3607PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 56nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3607PBF Produktcode: 75593
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFR3607PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3607TR | International Rectifier | Transistor N-MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFR3607TR; IRFR3607-GURT; IRFR3607; CJU60SN08/TO-252-2L; IRFR3607TR-VB; IRFR3607TR TIRFR3607 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR3607TR-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 60A; 56W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR3607; IRFR3607TR; SP001571628; SP001567010; IRFR3607TR-ML MOSLEADER TIRFR3607 MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3521 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3607TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 10156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V | auf Bestellung 2901 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3607TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 56 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3070 @ 50, Qg, нКл = 84 @ 10 В, Rds = 9 мОм @ 46 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 100 мкА, Р, Вт = 140, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 10156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3607TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg | auf Bestellung 1818 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR3607TRPBF | Infineon | N-Channel 75V 56A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3521 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3704 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704 | IR | 07+ TO-252 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704HR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704PBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 19nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704TR | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRL | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRL | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR3704TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRLHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRLPBF | IR | 0620+ | auf Bestellung 7090 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 20V 62A 9.5mOhm 19nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 90W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V SINGLE N-CH 9.5mOhms 19nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRR | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRRPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704Z | IR | TO-252 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZCPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZCPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 60A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZPBF Produktcode: 3873
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFR3704ZPBF | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR3704ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 60A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 9.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZTR | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZTRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 60A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |