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Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1858 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

227+	0.76 EUR
229+	0.73 EUR
231+	0.69 EUR
232+	0.67 EUR
250+	0.63 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 227 Stücke

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IPD33CN10NGATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

auf Bestellung 1843 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.12 EUR
10+	1.89 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD33CN10NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2380 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	2.36 EUR
180+	0.94 EUR
233+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 74 Stücke

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IPD33CN10NGATMA1

Description: INFINEON - IPD33CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 216 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	3.65 EUR
172+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 69 Stücke

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IPD33CN10NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1858 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

231+	0.75 EUR
232+	0.73 EUR
250+	0.71 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 231 Stücke

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IPD33CN10NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V

auf Bestellung 27832 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.45 EUR
10+	2.2 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD33CN10NGBUMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD350N06L

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPD350N06L G

MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2

auf Bestellung 1280 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.14 EUR
10+	1 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.64 EUR
2500+	0.55 EUR
5000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD350N06L G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

114+	0.98 EUR
300+	0.89 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.77 EUR
4000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 114 Stücke

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IPD350N06L G

Infineon

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPD350N06LG

infineon

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPD350N06LG

Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

139+	1.25 EUR
250+	1.18 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	1.05 EUR
2500+	1 EUR
5000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 139 Stücke

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IPD350N06LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.56 EUR
7500+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD350N06LGBTMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 6978 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

251+	0.69 EUR
264+	0.63 EUR
271+	0.6 EUR
287+	0.54 EUR
292+	0.5 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.42 EUR
3000+	0.4 EUR
6000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 251 Stücke

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IPD350N06LGBTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

auf Bestellung 3131 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	1.34 EUR
101+	0.84 EUR
154+	0.56 EUR
500+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 64 Stücke

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IPD350N06LGBTMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 6978 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

355+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 355 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD350N06LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V

auf Bestellung 11389 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.18 EUR
16+	1.37 EUR
50+	1.01 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD350N06LGBTMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD350N06LGBTMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD350N06LGBUMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N10S3L-26

MOSFETs N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

auf Bestellung 6900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.5 EUR
10+	2.87 EUR
100+	1.93 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.46 EUR
2500+	1.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N10S3L-26

Description: IPD35N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 331 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N10S3L26ATMA1

Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm

auf Bestellung 934 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.88 EUR
113+	1.89 EUR
500+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N10S3L26ATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N10S3L26ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7672 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.58 EUR
10+	2.94 EUR
50+	2.23 EUR
100+	2 EUR
500+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N10S3L26ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N10S3L26ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N10S3L26ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N10S3L26ATMA1

Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm

auf Bestellung 934 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	4.38 EUR
81+	2.88 EUR
113+	1.89 EUR
500+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 58 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N10S3L26ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.32 EUR
7500+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N10S3L26ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.13 EUR
5000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N10S3L26ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	3.03 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N10S3L26ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2385 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

138+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 138 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N10S3L26ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.74 EUR
57+	2.93 EUR
100+	1.92 EUR
500+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N10S3L26ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N10S3L26ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2385 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

138+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 138 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N10S3L26ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1245 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

367+	1.76 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 367 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N10S3L26ATMA2

Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 2465 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.03 EUR
113+	1.89 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N10S3L26ATMA2

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12504 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.33 EUR
10+	2.77 EUR
50+	2.11 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPD35N10S3L26ATMA2

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD35N10S3L26ATMA2

Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm

auf Bestellung 2465 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	5.09 EUR
77+	3.03 EUR
113+	1.89 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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IPD35N10S3L26ATMA2

MOSFETs 100 V, N-Ch, 24 m? max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS-T

auf Bestellung 4543 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.27 EUR
10+	2.75 EUR
100+	1.86 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.36 EUR
2500+	1.24 EUR

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IPD35N10S3L26ATMA2

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.25 EUR
7500+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD35N10S3L26ATMA2

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N12S3L24ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

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IPD35N12S3L24ATMA1

MOSFETs N-CHANNEL 100+

auf Bestellung 23468 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.4 EUR
10+	2.83 EUR
100+	1.93 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.44 EUR
2500+	1.3 EUR
5000+	1.21 EUR

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IPD35N12S3L24ATMA1

Description: INFINEON - IPD35N12S3L24ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 7232 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.78 EUR
113+	1.9 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.24 EUR
5000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD35N12S3L24ATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8588 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.44 EUR
10+	2.84 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPD35N12S3L24ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N12S3L24ATMA1

Description: INFINEON - IPD35N12S3L24ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 7232 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	3.97 EUR
84+	2.78 EUR
113+	1.9 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.24 EUR
5000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 63 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N12S3L24ATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N12S3L24ATMA2

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2691 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD35N12S3L24ATMA2

MOSFETs MOSFET_(120V 300V)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD380P06NMATMA1

Description: INFINEON - IPD380P06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.038 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm

auf Bestellung 2414 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	5.3 EUR
75+	3.13 EUR
103+	2.08 EUR
500+	1.71 EUR
1000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 48 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD380P06NMATMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.39 EUR
7500+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD380P06NMATMA1

Trans MOSFET P-CH 60V 35A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD380P06NMATMA1

MOSFETs IFX FET > 60-80V

auf Bestellung 30989 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.63 EUR
10+	2.67 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.51 EUR
2500+	1.3 EUR
5000+	1.29 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD380P06NMATMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

auf Bestellung 13441 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.76 EUR
10+	3.06 EUR
50+	2.32 EUR
100+	2.08 EUR
500+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD380P06NMATMA1

Trans MOSFET P-CH 60V 35A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD390P06NMSAUMA1

Description: MOSFET P-CH 60V TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD400N06N G

MOSFET N-Ch 60V 27A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD400N06NG

infineon

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD400N06NGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 27A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 28µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD400N06NGBTMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD400N06NGBUMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD40DP06NMATMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 166µA
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD40DP06NMATMA1

Description: INFINEON - IPD40DP06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.328 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.328ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.328ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 3485 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

142+	1.76 EUR
192+	1.21 EUR
278+	0.77 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 142 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD40DP06NMATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.26 EUR
10+	1.99 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD40DP06NMATMA1

Description: INFINEON - IPD40DP06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

121+	2.08 EUR
181+	1.29 EUR
263+	0.82 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 121 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD40DP06NMATMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 166µA
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1439 Stücke:

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10+	2.12 EUR
16+	1.32 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IPD40N03S4L-08

MOSFET N-Ch 30V 40A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD40N03S4L08ATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD40N03S4L08ATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9247 Stücke:

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328+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 328 Stücke

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IPD42DP15LMATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V

auf Bestellung 1758 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.14 EUR
10+	2.65 EUR
50+	2.01 EUR
100+	1.8 EUR
500+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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IPD42DP15LMATMA1

Description: INFINEON - IPD42DP15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.3345 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	3.9 EUR

Mindestbestellmenge: 65 Stücke

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IPD42DP15LMATMA1

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 7724 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.08 EUR
10+	1.98 EUR
100+	1.77 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.36 EUR
2500+	1.24 EUR
5000+	1.19 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD42DP15LMATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD42DP15LMATMA1

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -9A; 83W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -150V
Type of transistor: P-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.42Ω

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD42DP15LMATMA1

Description: INFINEON - IPD42DP15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.3345 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3345ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 75 Stücke

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IPD49CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD49CN10NG

infineon

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPD5012-760

Desktop AC Adapters 50W 12V 4.25A Class I / Level VI

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD5012-760

Plug-In Adapter Single-OUT 12V 4.16A 50W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5012-760

Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 51W
Packaging: Box
Size / Dimension: 4.50" L x 2.26" W x 1.44" H (114.2mm x 57.5mm x 36.5mm)
Voltage - Output: 12V
Polarization: Positive Center
Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Cord Length: 48" (1.22m)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, cTUVus
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 4.25A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: North America
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 51 W

auf Bestellung 216 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	48.94 EUR
5+	45.01 EUR
20+	41.88 EUR
40+	40.39 EUR
60+	39.54 EUR
100+	38.51 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5012-760

Plug-In Adapter Single-OUT 12V 4.16A 50W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5012-760S

Plug-In Adapter Single-OUT 12V 4.16A 50W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5012-760S

Desktop AC Adapters 50W 12V 4.25A 2.1x5.5 connector

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5012-760S

Plug-In Adapter Single-OUT 12V 4.16A 50W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5012-760S

Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 51W
Packaging: Box
Size / Dimension: 4.50" L x 2.26" W x 1.44" H (114.2mm x 57.5mm x 36.5mm)
Voltage - Output: 12V
Polarization: Positive Center
Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Cord Length: 48" (1.22m)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, cTUVus
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 4.25A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: North America
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 51 W

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	55.25 EUR
5+	50.8 EUR
20+	47.27 EUR
40+	45.59 EUR
60+	44.64 EUR
100+	43.47 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5015-760

Desktop AC Adapters 50W 15V 3.3A Class I / Level VI

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5015-760

Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 15V 50W
Power (Watts): 50 W
Part Status: Active
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Region Utilized: North America
Input Connector: IEC 320-C14
Current - Output (Max): 3.3A
Efficiency: Level VI
Form: Desktop (Class I)
Approval Agency: CE, cTUVus
Input Type: Cord (Sold Separately)
Applications: ITE (Commercial)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Cord Length: 48" (1.22m)
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Polarization: Positive Center
Voltage - Output: 15V
Size / Dimension: 4.50" L x 2.26" W x 1.44" H (114.2mm x 57.5mm x 36.5mm)
Packaging: Box

auf Bestellung 61 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	48.5 EUR
5+	47.78 EUR
10+	47.03 EUR
25+	44.79 EUR
50+	43.29 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5015-760

Plug-In Adapter Single-OUT 15V 3.33A 50W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5015-760

Plug-In Adapter Single-OUT 15V 3.33A 50W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5015-760S

Desktop AC Adapters 50W 15V 3.3A 2.1x5.5 connector

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5018-760

Plug-In Adapter Single-OUT 18V 2.78A 50W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5018-760

Desktop AC Adapters 50W 18V 2.8A Class I / Level VI

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5018-760

Plug-In Adapter Single-OUT 18V 2.78A 50W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5018-760

Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 18V 50W
Packaging: Box
Size / Dimension: 4.50" L x 2.26" W x 1.44" H (114.2mm x 57.5mm x 36.5mm)
Voltage - Output: 18V
Polarization: Positive Center
Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Cord Length: 48" (1.22m)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, cTUVus
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 2.8A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: North America
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Power (Watts): 50 W

auf Bestellung 68 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	49.85 EUR
5+	45.84 EUR
20+	42.65 EUR
40+	41.14 EUR
60+	40.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5018-760S