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IPD50N03S2L06ATMA1

Description: INFINEON - IPD50N03S2L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 4142 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	5.15 EUR
75+	3.11 EUR
110+	1.95 EUR
500+	1.44 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 49 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N03S2L06ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4397 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.84 EUR
10+	3.09 EUR
100+	2.12 EUR
500+	1.7 EUR
1000+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N03S2L06ATMA1

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N03S2L06ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N03S2L06ATMA1

Description: INFINEON - IPD50N03S2L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 4142 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.44 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N03S2L06ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N03S4L-06

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 3755 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.89 EUR
10+	1.69 EUR
100+	1.19 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.8 EUR
2500+	0.64 EUR
10000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N03S4L06ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N03S4L06ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 56W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N03S4L06ATMA1

Description: INFINEON - IPD50N03S4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm

auf Bestellung 1569 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

84+	3 EUR
136+	1.71 EUR
200+	1.07 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 84 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N03S4L06ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N03S4L06ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4523 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.57 EUR
13+	1.62 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N03S4L06ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N03S4L06ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N03S4L06ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N03S4L06ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N03S4L06ATMA1

Description: INFINEON - IPD50N03S4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm

auf Bestellung 1569 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3 EUR
136+	1.71 EUR
200+	1.07 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S3-08

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

auf Bestellung 2128 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.49 EUR
10+	2.84 EUR
100+	1.93 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.39 EUR
2500+	1.3 EUR
5000+	1.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S3-09

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S308ATMA1

Infineon Technologies

Description: IPD50N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 137085 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

295+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 295 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S308ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S308ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3039 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

369+	1.77 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 369 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S308ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5583 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

369+	1.77 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 369 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S308ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 117554 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

369+	1.77 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.42 EUR
10000+	1.24 EUR
100000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 369 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S308ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S308ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1290 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

369+	1.77 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 369 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S308ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

155+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 155 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S308ATMA1

auf Bestellung 242500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S308ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	1.17 EUR
155+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 150 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S308ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4953 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

369+	1.77 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 369 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S308ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S308ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S308ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2484 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

369+	1.77 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 369 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S308ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2182 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

369+	1.77 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 369 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S308ATMA1-INF

Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S309ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2151 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

396+	1.65 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 396 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S309ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD50N04S309ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 909 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

396+	1.65 EUR
500+	1.46 EUR

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IPD50N04S309ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2338 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

396+	1.65 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 396 Stücke

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IPD50N04S309ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

396+	1.65 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 396 Stücke

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IPD50N04S309ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 78069 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

316+	1.7 EUR

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IPD50N04S309ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 70201 Stücke:

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396+	1.65 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.32 EUR
10000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 396 Stücke

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IPD50N04S4-08

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 16154 Stücke:

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2+	2.64 EUR
10+	1.63 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.73 EUR
2500+	0.55 EUR
5000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD50N04S4-08

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

168+	1.04 EUR
250+	0.98 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.88 EUR
2500+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 168 Stücke

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IPD50N04S4-08

Infineon Technologies

Description: IPD50N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT

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IPD50N04S4-10

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 4854 Stücke:

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2+	2.56 EUR
10+	1.46 EUR
100+	1 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.7 EUR
2500+	0.57 EUR
10000+	0.56 EUR

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IPD50N04S408ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1141 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

932+	0.7 EUR
1010+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 932 Stücke

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IPD50N04S408ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 572 Stücke:

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IPD50N04S408ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 9420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

118+	1.49 EUR
177+	0.98 EUR
228+	0.74 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.55 EUR
2500+	0.43 EUR
5000+	0.4 EUR
7500+	0.39 EUR

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IPD50N04S408ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.05 EUR

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IPD50N04S408ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 5349 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.53 EUR
10+	1.39 EUR
100+	1 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.73 EUR
2500+	0.61 EUR
5000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD50N04S408ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 40V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD50N04S408ATMA1

Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm

auf Bestellung 29059 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	2.65 EUR
172+	1.36 EUR
234+	0.92 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.61 EUR
5000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 95 Stücke

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IPD50N04S408ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD50N04S408ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD50N04S408ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 5799 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.73 EUR
13+	1.71 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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IPD50N04S408ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 81689 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

932+	0.7 EUR
1010+	0.64 EUR
10000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 932 Stücke

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IPD50N04S408ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 11920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

235+	0.74 EUR
246+	0.68 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.56 EUR
2500+	0.55 EUR
5000+	0.5 EUR
10000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 235 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S408ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

932+	0.7 EUR
1010+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 932 Stücke

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IPD50N04S408ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD50N04S408ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD50N04S408ATMA1

Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm

auf Bestellung 29059 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.65 EUR
172+	1.36 EUR
234+	0.92 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.61 EUR
5000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S408ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S410ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S410ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.52 EUR
5000+	0.48 EUR
7500+	0.44 EUR
12500+	0.4 EUR
17500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S410ATMA1

Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm

auf Bestellung 6309 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.7 EUR
150+	1.56 EUR
227+	0.95 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.61 EUR
5000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S410ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S410ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 18741 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

964+	0.68 EUR
1045+	0.62 EUR
10000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 964 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S410ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.52 EUR
5000+	0.49 EUR
7500+	0.46 EUR
12500+	0.43 EUR
17500+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S410ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.62 EUR
5000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S410ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.86 EUR
139+	1.24 EUR
142+	1.19 EUR
153+	1.07 EUR
205+	0.79 EUR
250+	0.73 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 94 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S410ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 50A; 41W; DPAK; automotive industry
Power dissipation: 41W
Gate charge: 18.2nC
Polarisation: N
Technology: MOSFET
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S410ATMA1

Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm

auf Bestellung 6309 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

93+	2.7 EUR
150+	1.56 EUR
227+	0.95 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.61 EUR
5000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 93 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N04S410ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD50N04S410ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2328 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.67 EUR
13+	1.67 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.77 EUR

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IPD50N04S410ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

964+	0.68 EUR
1045+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 964 Stücke

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IPD50N04S410ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 9550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

964+	0.68 EUR
1045+	0.62 EUR

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IPD50N04S410ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 41W; DPAK,TO252
Power dissipation: 41W
Gate charge: 18.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD50N04S4L-08

auf Bestellung 55000 Stücke:

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IPD50N04S4L-08

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 1176 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.64 EUR
10+	1.63 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.74 EUR
2500+	0.63 EUR
5000+	0.58 EUR

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IPD50N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 42615 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

932+	0.7 EUR
1010+	0.64 EUR
10000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 932 Stücke

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IPD50N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.61 EUR
5000+	0.58 EUR
10000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD50N04S4L08ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 40V; 49A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD50N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD50N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3656 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

180+	0.96 EUR
182+	0.94 EUR
208+	0.81 EUR
250+	0.79 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.67 EUR
3000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 180 Stücke

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IPD50N04S4L08ATMA1

Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm

auf Bestellung 22148 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	2.48 EUR
153+	1.52 EUR
231+	0.93 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 101 Stücke

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IPD50N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.7 EUR
5000+	0.65 EUR
7500+	0.63 EUR
12500+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD50N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 3516 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.68 EUR
10+	1.67 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.74 EUR
2500+	0.65 EUR
5000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD50N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.68 EUR

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IPD50N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.49 EUR
5000+	0.45 EUR
7500+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD50N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	1.69 EUR
144+	1.19 EUR
210+	0.8 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 103 Stücke

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IPD50N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 9205 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

932+	0.7 EUR
1010+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 932 Stücke

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IPD50N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3656 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

164+	1.06 EUR
180+	0.93 EUR
182+	0.89 EUR
208+	0.75 EUR
250+	0.71 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.54 EUR

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IPD50N04S4L08ATMA1

Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm

auf Bestellung 22148 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	2.48 EUR
153+	1.52 EUR
231+	0.93 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 101 Stücke

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IPD50N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 6486 Stücke:

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932+	0.7 EUR
1010+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 932 Stücke

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IPD50N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD50N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12710 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.73 EUR
13+	1.71 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N06S2-14

Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2470 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.59 EUR
22+	0.99 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N06S2-14

Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50N06S2-14

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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