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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPS7091Infineon / IRPower Switch ICs - Power Distribution
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS7091G
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS7091GInfineon / IRPower Switch ICs - Power Distribution
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS7091G
Produktcode: 132632
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IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS7091GPBFInfineon TechnologiesDescription: IC SWITCH IPS HIGH SIDE 8-SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 80mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 35V
Current - Output (Max): 1.5A
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS7091GPBFINFINEONDescription: INFINEON - IPS7091GPBF - Intelligenter Leistungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5V, 5A, SOIC-8
Durchlasswiderstand: 0.08
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 5
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS7091GPBFInternational Rectifier/InfineonДрайвер MOSFET, Uживл, В = 6...35, Тип вх. сигн. = неінвертуючий, Io = 1,5 А, Dt = 20 мкс, К-сть вих. = 1, Конфіг = 1 драйвер верхнього плеча, Тексп, °С = -40...+150, Rds = 80 мОм,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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IPS7091GPBFInfineon TechnologiesGate Drivers 75V 1A
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IPS7091GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: IC SWITCH IPS HIGH SIDE 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Current - Output (Max): 1.5A
Voltage - Load: 6V ~ 35V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 80mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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IPS7091GTRPBFInternational RectifierSO-8 Інтелектуальні силові ключі (IPS)
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IPS7091GTRPBFInfineon / IRPower Switch ICs - Power Distribution INT PWR High Side 120mOhms 70V 5A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS7091GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: IC SWITCH IPS HIGH SIDE 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Current - Output (Max): 1.5A
Voltage - Load: 6V ~ 35V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 80mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS7091PBFIR
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS7091PBFInternational RectifierІнтелектуальні силові ключі (IPS)
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IPS7091PBFInfineon TechnologiesDescription: IC PWR SWITCH HI SIDE TO220AB
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB (5-LEAD)
Current - Output (Max): 1.5A
Voltage - Load: 6V ~ 35V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 80mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-5
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS7091S
Produktcode: 182815
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IC > IC E-Key (Zugriffsschlüssel), Analogmultiplexer
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS7091SInfineon / IRPower Switch ICs - Power Distribution
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IPS7091SPBFIR
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS7091SPBFInfineon / IRGate Drivers 75V 0A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS7091SPBFInternational RectifierІнтелектуальні силові ключі (IPS)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS7091STRLPBFInfineon / IRPower Switch ICs - Power Distribution INT PWR High Side 120mOhms 70V 5A
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IPS7091STRLPBFInternational RectifierIC SWITCH IPS 1CH HI SIDE D2PAK Інтелектуальні силові ключі (IPS)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS7091STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: IC SWITCH IPS 1CH HI SIDE D2PAK
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2Pak (SMD-220 5-Lead)
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Output (Max): 1.5A
Voltage - Load: 6V ~ 35V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 80mOhm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS7091STRRPBFInfineon / IRPower Switch ICs - Power Distribution INT PWR High Side 120mOhms 70V 5A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70N10S3L-12Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 1TO251-3
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R1K4CEInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R1K4CEAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.86 EUR
10+1.63 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.84 EUR
4500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R1K4CEAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPS70R1K4CEAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+1.56 EUR
230+1.01 EUR
297+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R1K4CEAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R1K4CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
auf Bestellung 219258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
992+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 992 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R1K4CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R1K4P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R1K4P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
10+1.07 EUR
100+0.95 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.4 EUR
1500+0.38 EUR
4500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R1K4P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPS70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
312+0.75 EUR
355+0.61 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R1K4P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 4490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1.12 EUR
233+0.74 EUR
250+0.67 EUR
251+0.65 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
1500+0.49 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R1K4P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 1406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
75+0.44 EUR
150+0.42 EUR
1050+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R2K0CEInfineon technologies
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R2K0CEAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.52 EUR
375+0.46 EUR
750+0.43 EUR
1125+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R2K0CEAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 1677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+1.49 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R2K0CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R2K0CEAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R2K0CEE8211Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R2K0CEE8211AKMA1Infineon TechnologiesDescription: IPS70R2K0CE - 700V COOLMOS N-CHA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 40500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1312+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.75 EUR
110+1.57 EUR
135+1.25 EUR
200+1.14 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.99 EUR
1500+0.93 EUR
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R360P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPS70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.88 EUR
158+1.48 EUR
318+0.68 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R360P7SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
auf Bestellung 16180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.87 EUR
10+2.03 EUR
100+1.43 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.95 EUR
1500+0.87 EUR
4500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R600CEAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R600CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
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IPS70R600CEAKMA2Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
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IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
75+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 4890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.28 EUR
10+1.44 EUR
100+1.23 EUR
1000+1.05 EUR
1500+0.95 EUR
4500+0.84 EUR
10500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.14 EUR
173+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+1 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
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IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 25500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IPS70R600P7SAKMA1Infineon
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.26 EUR
162+1.06 EUR
190+0.89 EUR
200+0.82 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.7 EUR
1500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
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IPS70R600P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPS70R600P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+2.11 EUR
190+1.23 EUR
262+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IPS70R900P7SInfineon
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPS70R900P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IPS70R900P7SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6A; 30.5W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6A
Power dissipation: 30.5W
Case: TO251
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IPS70R900P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPS70R900P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
auf Bestellung 3544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.49 EUR
199+1.17 EUR
305+0.7 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
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IPS70R900P7SAKMA1
Produktcode: 156248
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IPS70R900P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IPS70R900P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.24 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.56 EUR
1500+0.5 EUR
4500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPS70R900P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IPS70R950CEAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
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IPS70R950CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
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IPS70R950CEAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IPS70SB44
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPS79SB30PHI4 SMD
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPS8-S2PO45-A2PXecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
Part Status: Active
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Stainless Steel
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Wire Leads
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Packaging: Bag
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS8-S2PO45-A8XecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
Part Status: Active
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Stainless Steel
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Packaging: Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS8-S2PO60-A8XecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
Part Status: Active
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Stainless Steel
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Packaging: Bag
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS8-S3PO45-A8XecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
Part Status: Active
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Stainless Steel
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.118" (3mm)
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Packaging: Bag
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+146.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS8-S3PO60-A8XecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
Packaging: Bag
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.118" (3mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67
Indicator: LED
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+163.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS8-S4PO45-A8XecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Brass
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Packaging: Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS8-S4PO60-A8XecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS80R1K2P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS80R1K2P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
auf Bestellung 86700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
407+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 407 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS80R1K2P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS80R1K4P7Infineon TechnologiesDescription: IPS80R1K4 - 800V COOLMOS N-CHANN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS80R1K4P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.99 EUR
10+1.63 EUR
100+1.33 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.93 EUR
1500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS80R1K4P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS80R2K0P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+2.51 EUR
100+1.94 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.92 EUR
1500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS80R2K0P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS80R2K4P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS80R2K4P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
848+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 848 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS80R2K4P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS80R600P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS80R600P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+4.06 EUR
100+3.25 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.01 EUR
1500+1.7 EUR
10500+1.69 EUR
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
398+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 398 Stücke
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IPS80R750P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IPS80R750P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+2.83 EUR
100+2.26 EUR
500+1.98 EUR
1500+1.68 EUR
4500+1.5 EUR
10500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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