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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPT3181-12CFF6GlenairCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT3181-12CFF7GlenairCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT3181-12CFF8GlenairCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT3181-12CFMBGlenairCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT3181-12CMBGlenairCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT3181-16CF2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT3181-18CF6GlenairCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IPT3181-18CF7GlenairCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IPT3181-20NFGlenairCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT3181-20NF11GlenairCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT3181-20NF7GlenairCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT3181-8CF6GlenairCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories POWER PRODUCTS - 5015 REVERSE BAYONET CONN
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IPT60R016CM8Infineon Technologies HIGH POWER_NEW
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IPT60R016CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 142A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R016CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT60R016CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.02 EUR
10+22.65 EUR
100+19.52 EUR
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IPT60R016CM8XTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 1882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.32 EUR
10+21.42 EUR
100+18.33 EUR
1000+17.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R016CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R016CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 142 A, 0.016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 694W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 3451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+24.04 EUR
50+23.03 EUR
100+19.68 EUR
250+19.3 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R016CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 142A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+27.35 EUR
10+21.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R016CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT60R016CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R016CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R016CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 142 A, 0.016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 694W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 3451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.98 EUR
8+30.65 EUR
10+24.04 EUR
50+23.03 EUR
100+19.68 EUR
250+19.3 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R022S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R022S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
auf Bestellung 5698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.41 EUR
10+17.74 EUR
100+14.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R022S7XTMA1InfineonТранзистор: N-Channel 600 V 23A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R022S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.42 EUR
13+19.24 EUR
15+14.59 EUR
50+13.34 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R022S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R022S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+11.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R022S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R022S7XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ S7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Pulsed drain current: 375A
Power dissipation: 390W
Gate charge: 31nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R022S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.42 EUR
13+19.24 EUR
15+14.59 EUR
50+13.34 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R024CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R024CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 103 A, 0.024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 543W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.72 EUR
11+22 EUR
13+16.84 EUR
50+15.21 EUR
100+13.55 EUR
250+13.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R024CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
auf Bestellung 1693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.53 EUR
10+12.29 EUR
100+10.22 EUR
500+9.12 EUR
1000+8.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R024CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R024CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 103 A, 0.024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 543W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.72 EUR
11+22 EUR
13+16.84 EUR
50+15.21 EUR
100+13.55 EUR
250+13.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R028G7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R028G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R028G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.028 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.79 EUR
50+21.05 EUR
100+17.52 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R028G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 28.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R028G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R028G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 75A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+29.71 EUR
10+23.3 EUR
100+18.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R028G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R028G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.028 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+31.39 EUR
50+21.11 EUR
100+16.9 EUR
500+16.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R028G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 28.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R035CFD7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R035CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 67A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 351W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4354 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R035CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 67A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R035CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 67A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 351W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4354 pF @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R035CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R037CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R037CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.037 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.32 EUR
20+11.95 EUR
100+8.91 EUR
500+7.93 EUR
1000+7.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R037CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT60R037CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R037CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
auf Bestellung 2644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.33 EUR
10+11.85 EUR
100+8.84 EUR
500+8.77 EUR
1000+8.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R037CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R037CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.037 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.32 EUR
20+11.95 EUR
100+8.91 EUR
500+7.93 EUR
1000+7.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R037CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT60R037CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V
auf Bestellung 2543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.48 EUR
10+9.15 EUR
100+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R040S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET, SJS7 Power Device
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R040S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
auf Bestellung 1313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.07 EUR
10+8.85 EUR
100+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R040S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.036 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R040S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R040S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.036 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.67 EUR
21+11.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R040S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 1532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.51 EUR
10+8.68 EUR
100+6.5 EUR
1000+5.87 EUR
2000+5.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R045CFD7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.91 EUR
10+12.29 EUR
100+9.2 EUR
1000+8.88 EUR
2000+8.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 52A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
auf Bestellung 3758 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.18 EUR
10+9.64 EUR
100+7.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R045CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.37 EUR
14+16.73 EUR
18+12.58 EUR
50+11.08 EUR
100+9.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.48 EUR
19+9.09 EUR
100+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 52A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R045CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.37 EUR
14+16.73 EUR
18+12.58 EUR
50+11.08 EUR
100+9.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R050G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.043 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.69 EUR
16+14.95 EUR
19+11.54 EUR
50+9.79 EUR
100+7.95 EUR
250+7.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R050G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R050G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 400 V
auf Bestellung 4516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.8 EUR
10+12.21 EUR
100+9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R050G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.043 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.69 EUR
16+14.95 EUR
19+11.54 EUR
50+9.79 EUR
100+7.95 EUR
250+7.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R050G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.46 EUR
10+13.74 EUR
100+11.46 EUR
500+10.2 EUR
1000+9.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R050G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R050G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 400 V
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IPT60R055CFD7Infineon TechnologiesMOSFET
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IPT60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
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IPT60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
auf Bestellung 1746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.63 EUR
10+8.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPT60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 2522 Stücke:
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10+8.07 EUR
100+6.37 EUR
500+6.03 EUR
1000+5.65 EUR
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IPT60R055CM8Infineon Technologies HIGH POWER_NEW
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IPT60R055CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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24+7.33 EUR
30+5.63 EUR
31+5.37 EUR
100+4.13 EUR
250+3.93 EUR
500+3.61 EUR
1000+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IPT60R055CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600VCoolMOSCM8PowerTransistor
auf Bestellung 1683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.34 EUR
10+8.73 EUR
100+6.43 EUR
500+5.71 EUR
1000+5.09 EUR
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IPT60R055CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R055CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.51 EUR
500+5.06 EUR
1000+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPT60R055CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT60R055CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.33 EUR
30+5.76 EUR
31+5.57 EUR
100+4.36 EUR
250+4.25 EUR
500+4.01 EUR
1000+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IPT60R055CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R055CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.34 EUR
28+8.31 EUR
100+5.51 EUR
500+5.06 EUR
1000+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IPT60R065S7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
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IPT60R065S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 5739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.65 EUR
67+2.57 EUR
68+2.48 EUR
100+2.38 EUR
250+2.31 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.15 EUR
3000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.04 EUR
10+7.25 EUR
100+5.34 EUR
500+4.74 EUR
1000+4.55 EUR
2000+4.32 EUR
4000+4.19 EUR
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IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R065S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.17 EUR
29+8.03 EUR
100+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IPT60R065S7XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 5739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.65 EUR
67+2.51 EUR
68+2.38 EUR
100+2.26 EUR
250+2.13 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.89 EUR
3000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+4.44 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R065S7XTMA1
Produktcode: 213119
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R070CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R070CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.07 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.5 EUR
33+7.1 EUR
100+4.66 EUR
500+4.15 EUR
1000+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R070CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
auf Bestellung 1688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.64 EUR
10+6.41 EUR
100+4.57 EUR
500+4.06 EUR
2000+3.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R075CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
auf Bestellung 1099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.44 EUR
10+8.04 EUR
100+5.81 EUR
500+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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