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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MUR260GPL-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO15
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-15
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260GPL-TPMicro Commercial Components (MCC)Rectifiers 2.0A 600Vr 420Vrms 600V 50A 1.35Vf
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260HTaiwan SemiconductorRectifiers 50ns, 2A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260HTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 600V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
28+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260HTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 600V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260HA0GTaiwan SemiconductorRectifiers 50ns, 2A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260HB0GTaiwan SemiconductorRectifiers 50ns 2A 600V High Ef f Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260HR0GTaiwan SemiconductorRectifiers 50ns 2A 600V High Ef f Recovery Rectifie
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260K-AY-00001PanjitRectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260K_AY_00001Panjit International Inc.Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260K_AY_00001PanjitRectifiers 600V,Super Fast Recovery Rectifiers,DO-41,2A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260RLONSEMIDescription: ONSEMI - MUR260RL - RECTIFIER DIODE, 2A, 600V, DO-41
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2352 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260RLonsemiDescription: DIODE STANDARD 600V 2A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Axial
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260RLGON SemiconductorDiode Switching 600V 2A 2-Pin DO-41 T/R
auf Bestellung 497037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2378+0.27 EUR
10000+0.24 EUR
100000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2378 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260RLGONSEMIDescription: ONSEMI - MUR260RLG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1.35 V, 75 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 35A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.35V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 4815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
457+0.55 EUR
521+0.44 EUR
625+0.35 EUR
736+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 457 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260RLGONSEMICategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ifsm: 35A; DO41; reel,tape; 75ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 35A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 75ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260RLGON SemiconductorDiode Switching 600V 2A 2-Pin DO-41 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
658+0.26 EUR
698+0.25 EUR
728+0.23 EUR
2500+0.21 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 658 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260RLGonsemiDescription: DIODE STANDARD 600V 2A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Axial
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260RLGON SemiconductorDiode Switching 600V 2A 2-Pin DO-41 T/R
auf Bestellung 4150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
731+0.24 EUR
743+0.23 EUR
755+0.21 EUR
767+0.2 EUR
779+0.19 EUR
792+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 731 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260RLGON SemiconductorDiode Switching 600V 2A 2-Pin DO-41 T/R
auf Bestellung 4150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
755+0.23 EUR
779+0.21 EUR
792+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 755 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260RLGON SemiconductorDiode Switching 600V 2A 2-Pin DO-41 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
658+0.26 EUR
698+0.24 EUR
728+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
2500+0.2 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 658 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260RLGonsemiDescription: DIODE STANDARD 600V 2A AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
auf Bestellung 6346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
26+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260RLGON SemiconductorDiode Switching 600V 2A 2-Pin DO-41 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260RLGonsemiRectifiers 600V 2A UltraFast
auf Bestellung 17401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR260U2J
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR270Good-ArkDiode Switching 800V 2A 2-Pin DO-15
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR280Good-ArkRectifier Diode Switching 1KV 2A 75ns 2-Pin DO-15
auf Bestellung 11827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4185+0.042 EUR
4567+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 4185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR280ERLG
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2OO2Omodule
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X030A02GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 200V 30A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X030A02GeneSiC SemiconductorDiode Modules 200V 60A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X030A04GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 400V 30A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X030A04GeneSiC SemiconductorDiode Modules 400V 60A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X030A06GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 600V 30A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X030A06GeneSiC SemiconductorRectifiers 600V 60A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X030A10Navitas Semiconductor, Inc.Description: DIODE MODULE GP 1000V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X030A10GeneSiC SemiconductorRectifiers 1000V 60A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X030A12GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 1200V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X030A12GeneSiC SemiconductorRectifiers 1200V 60A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X060A02Navitas Semiconductor, Inc.Description: DIODE MODULE GP 200V 60A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+97.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X060A02GeneSiC SemiconductorDiode Modules 200V 120A Fwd Super Fast Recovery
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+85.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X060A04GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 400V 60A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X060A04GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 400V 120A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X060A06Navitas Semiconductor, Inc.Description: DIODE MODULE GP 600V 60A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X060A06GeneSiC SemiconductorDiode Modules 600V 120A Fwd Super Fast Recovery
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+96.26 EUR
10+96.2 EUR
25+85.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X060A10GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X060A10GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1000V 120A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X060A12GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X060A12GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1200V 120A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X100A02Navitas Semiconductor, Inc.Description: DIODE MODULE GP 200V 100A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X100A02GeneSiC SemiconductorDiode Modules 200V 200A Fwd Super Fast Recovery
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+107.06 EUR
10+95.65 EUR
25+95.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X100A04Navitas Semiconductor, Inc.Description: DIODE MODULE GP 400V 100A SOT227
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+106.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X100A04GeneSiC SemiconductorDiode Modules 400V 200A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X100A04
Produktcode: 115331
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X100A06GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X100A06GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 600V 200A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X100A10GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X100A10GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1000V 200A Fwd Super Fast Recovery
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MUR2X100A12GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
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MUR2X100A12GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1200V 200A Fwd Super Fast Recovery
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MUR2X120A02GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
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MUR2X120A02GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 200V 240A Fwd Super Fast Recovery
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MUR2X120A04GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
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MUR2X120A04GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 400V 240A Fwd Super Fast Recovery
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MUR2X120A06GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
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MUR2X120A06GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 600V 240A Fwd Super Fast Recovery
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MUR2X120A10Navitas Semiconductor, Inc.Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227
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MUR2X120A10GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1000V 240A Fwd Super Fast Recovery
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MUR2X120A12GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227
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MUR2X120A12GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1200V 240A Fwd Super Fast Recovery
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MUR30005CTGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MUR30005CTGeneSiC SemiconductorRectifiers 50V 300A Super Fast Recovery
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MUR30005CTRGeneSiC SemiconductorRectifiers 50V 300A Super Fast Recovery
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MUR30005CTRGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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MUR30010CTGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
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MUR30010CTGeneSiC SemiconductorDiode Modules 100V 300A Super Fast Recovery
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MUR30010CTRGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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MUR30010CTRGeneSiC SemiconductorDiode Modules 100V 300A Super Fast Recovery
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MUR30020CTGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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MUR30020CTGeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R
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MUR30020CTRGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWER
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
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MUR30020CTRGeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R
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MUR30040CTGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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MUR30040CTGeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R
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MUR30040CTRGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWER
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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MUR30040CTRGeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R
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MUR3005PT
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MUR3005WT
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MUR30060CTGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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MUR30060CTGeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MUR30060CTRGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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MUR30060CTRGeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MUR30100MOTOROLA07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MUR30100CT
auf Bestellung 20000 Stücke:
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MUR30100PT
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MUR3010PTHarris CorporationDescription: DIODE STANDARD 100V 30A TO218
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-218
Current - Average Rectified (Io): 30A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-218-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
70+8.62 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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MUR3010PTHARRISMUR3010PT
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+8.81 EUR
100+8.32 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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MUR3010WT
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MUR30120
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MUR30120B-BPMicro Commercial Components (MCC)Rectifiers 30A 1200Vr 840Vrms 1200V 300A 2.4Vf
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 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
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