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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN012-60HLXNexperiaMOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A
auf Bestellung 1114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+2.34 EUR
100+2 EUR
1000+1.38 EUR
1500+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.34 EUR
74+3.15 EUR
108+1.99 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
108+1.99 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60MSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.01 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60MSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60MSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 25 V
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.7 EUR
13+1.7 EUR
50+1.26 EUR
100+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60MSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.01 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60MSXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 60V 53A
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.26 EUR
100+1.13 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.61 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
287+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 287 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0111 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
auf Bestellung 1331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.77 EUR
76+3.06 EUR
92+2.33 EUR
200+1.86 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 34500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.74 EUR
3000+0.68 EUR
7500+0.67 EUR
9000+0.65 EUR
10500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V
auf Bestellung 1519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.28 EUR
11+2.08 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.61 EUR
153+1.09 EUR
240+0.68 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.6 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115NexperiaMOSFETs PSMN012-60YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 12327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.22 EUR
10+2.05 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.87 EUR
24000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.76 EUR
3000+0.71 EUR
7500+0.7 EUR
9000+0.65 EUR
10500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
345+1.89 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.51 EUR
10000+1.32 EUR
100000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 345 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0111 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
125+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.93 EUR
30000+0.83 EUR
60000+0.76 EUR
90000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.56 EUR
1600+1.44 EUR
2400+1.38 EUR
4000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80BS,118NexperiaMOSFETs PSMN012-80BS/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 2801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+2.98 EUR
100+2.03 EUR
500+1.54 EUR
800+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2400+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2 EUR
800+1.45 EUR
1600+1.3 EUR
2400+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2400+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.009 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V
auf Bestellung 4794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.71 EUR
10+3.02 EUR
100+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.81 EUR
101+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.92 EUR
500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.92 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80PS,127NexperiaMOSFET PSMN012-80PS/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+3.37 EUR
100+2.7 EUR
500+2.23 EUR
1000+1.84 EUR
2500+1.71 EUR
5000+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BSNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
auf Bestellung 3683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.4 EUR
38+6.2 EUR
51+4.26 EUR
100+3.58 EUR
250+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+3.08 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.3 EUR
261+0.64 EUR
265+0.61 EUR
269+0.58 EUR
274+0.55 EUR
278+0.51 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.64 EUR
278+0.62 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 50 V
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.82 EUR
10+3.11 EUR
100+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
auf Bestellung 3696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.58 EUR
250+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+3.08 EUR
500+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118NexperiaMOSFETs N-channel 100 V 13 mohm standard level MOSFET in LFPAK56
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100ES,127Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Tube
auf Bestellung 3989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
390+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 390 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100ES,127NexperiaMOSFET Single NChannel 100V 272A 170W 30mOhms
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+2.81 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+2.81 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100PS,127NexperiaMOSFET PSMN013-100PS/SOT78/SIL3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+3.5 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100XS,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100XS,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100XS,127NexperiaMOSFET N-ch 100V 13mA MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100YSENexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.49 EUR
81+2.08 EUR
100+1.7 EUR
250+1.57 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
353+1.84 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 353 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100YSEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V
auf Bestellung 17024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.84 EUR
10+3.11 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100YSEXNexperiaMOSFETs PSMN013-100YSE/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 5432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.13 EUR
10+2.87 EUR
100+2.05 EUR
500+1.67 EUR
1500+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
353+1.84 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 353 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100YSEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.5 EUR
3000+1.39 EUR
4500+1.34 EUR
7500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN013-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
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PSMN013-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
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PSMN013-30MLCNexperiaMOSFETs
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PSMN013-30MLC Transistor
Produktcode: 195567
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Transistoren > MOSFET N-CH
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PSMN013-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN013-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0135 ohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.5 EUR
150+1.55 EUR
238+0.9 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN013-30MLC/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 13277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.65 EUR
10+1.02 EUR
50+0.75 EUR
100+0.67 EUR
1500+0.5 EUR
3000+0.39 EUR
4500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
auf Bestellung 1693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.44 EUR
211+0.4 EUR
228+0.37 EUR
237+0.36 EUR
257+0.33 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 48300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
952+0.69 EUR
1032+0.62 EUR
10000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 952 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30YLC,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 32A
auf Bestellung 8087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.48 EUR
10+0.92 EUR
100+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.46 EUR
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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