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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI2319DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V
auf Bestellung 592642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.48 EUR
100+1.18 EUR
3000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+0.98 EUR
104+0.82 EUR
133+0.64 EUR
146+0.58 EUR
250+0.51 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.95 EUR
250+0.82 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS/T1-F3
auf Bestellung 3071 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2320DS-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2321-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI2321-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2321-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 10663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
42+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2321-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2321-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2321-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2321-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+1.01 EUR
404+0.57 EUR
637+0.33 EUR
848+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2321-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
auf Bestellung 19705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2321DS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2321DS-T1Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2321DS-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI2323DDS-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2321DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2321DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2321K-TPMicro Commercial ComponentsSmall Signal MOSFETS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2321K-TPMicro Commercial ComponentsSmall Signal MOSFETS
auf Bestellung 29900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
375+0.46 EUR
379+0.44 EUR
383+0.43 EUR
387+0.4 EUR
391+0.38 EUR
395+0.36 EUR
500+0.35 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2321K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 10 V
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
59+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2321K-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2321K-TPMicro Commercial ComponentsSmall Signal MOSFETS
auf Bestellung 29900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
391+0.44 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.39 EUR
6000+0.38 EUR
15000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 391 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2321K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.5 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 20V 4.6A
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
3000+0.52 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2323CDS-T1-BE3 - P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 42AJ0565
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.81 EUR
203+1.14 EUR
312+0.69 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
auf Bestellung 7575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.01 EUR
17+1.26 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.34 EUR
186+0.93 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
auf Bestellung 4152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.58 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2323CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 14081 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.84 EUR
140+1.65 EUR
213+1.01 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.75 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-GE3
Produktcode: 221884
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 63mΩ
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+1.36 EUR
104+0.82 EUR
149+0.57 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si2323CDS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: P -20V 6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
298+0.07 EUR
1000+0.069 EUR
3000+0.064 EUR
6000+0.063 EUR
15000+0.061 EUR
30000+0.058 EUR
75000+0.055 EUR
150000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 20V 4.1A
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.98 EUR
10+1.23 EUR
100+0.8 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
auf Bestellung 1376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+1.06 EUR
227+1.02 EUR
322+0.67 EUR
355+0.61 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.89 EUR
203+1.14 EUR
293+0.74 EUR
500+0.56 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si2323DDS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: P -20V 5.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
298+0.07 EUR
1000+0.069 EUR
3000+0.064 EUR
6000+0.063 EUR
15000+0.061 EUR
30000+0.058 EUR
75000+0.055 EUR
150000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DSUMWDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DSUMWDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
auf Bestellung 2656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
45+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 954 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 954 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1Vishay SiliconixMOSFET P-Ch, 20V, 3.7A, SOT-23-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1VISHAY
auf Bestellung 13660 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P CHAN 20V
auf Bestellung 56983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.6 EUR
24000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2323DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.039 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-E3
Produktcode: 207640
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-Ch, 20V, 3.7A, SOT-23-3 Транзистори
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2323DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.039 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 3.7A 0.039Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2007 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+2.78 EUR
200+1.74 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-E3 D3..VishayP-MOSFET 20V 3.7A 39mΩ SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-E3 Vishay TSI2323ds
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.48 EUR
176+0.98 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 4.7A 1.25W 39 mohms @ 4.5V
auf Bestellung 155568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.34 EUR
100+0.92 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.93 EUR
118+1.43 EUR
175+0.93 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 0,75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 10, Qg, нКл = 19 @ 4,5 В, Rds = 39 мОм @ 4,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 198 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2323DS-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.7A TO-236, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 8
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-GE3-LPIELENSTTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; SI2323DS-T1-GE3-L SOT23 PIELENST TSI2323ds PIE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-TI-E3
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH ENH FET 100VDS 2A 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch Enh FET 100Vds 2A 8A 20Vgs 22pF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 42000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2324A-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.28 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 2324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1 EUR
405+0.57 EUR
807+0.26 EUR
870+0.25 EUR
1080+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
auf Bestellung 14183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
46+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324A-TP
Produktcode: 173380
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 250 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 520/4,8
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324A-TPMicro Commercial ComponentsP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 2 А, Qg, нКл = 4.8, Rds = 280 мОм, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 1.2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2324A-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.28 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1 EUR
405+0.57 EUR
807+0.26 EUR
870+0.25 EUR
1080+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Ch Enh FET 100Vds 2A 8A 20Vgs 22pF
auf Bestellung 4425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.25 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324A-TPMCC Corp.SI2324A-TP SI2324A N-Channel 2A (Tj) 1.2W Surface Mount SOT-23 Транзистори
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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