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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFR420TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.53 EUR
297+0.47 EUR
300+0.45 EUR
334+0.39 EUR
403+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRLPBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.43 EUR
66+1.08 EUR
100+0.79 EUR
250+0.7 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 500V 3.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.9 EUR
10+1.83 EUR
100+1.2 EUR
500+1.05 EUR
10000+0.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.98 EUR
133+1.09 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.78 EUR
10+2.43 EUR
100+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
394+1.39 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 394 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR420TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.4 A, 3 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.47 EUR
104+1.39 EUR
250+1.3 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFR420TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 2.4A, TO-252
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.43 EUR
11+1.73 EUR
100+1.34 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 500V 2.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.92 EUR
10+1.78 EUR
100+1.17 EUR
500+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 500V 2.4 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420UHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
606+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 606 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420UHARRISIRFR420U
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+0.96 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR421Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
683+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 683 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR422Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 1139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
650+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430AIRFR430A Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 5 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 1,7 Ом @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 327 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.28 EUR
75+1.98 EUR
150+1.78 EUR
525+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+0.92 EUR
168+0.84 EUR
525+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.23 EUR
267+0.53 EUR
279+0.49 EUR
283+0.46 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.14 EUR
65+1.1 EUR
75+1.02 EUR
150+0.99 EUR
300+0.96 EUR
525+0.92 EUR
1050+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
267+0.55 EUR
279+0.52 EUR
283+0.5 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBF
Produktcode: 163510
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+1.8 EUR
100+1.49 EUR
500+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 5A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+0.92 EUR
168+0.86 EUR
525+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+1.96 EUR
79+1.84 EUR
150+1.63 EUR
300+1.41 EUR
525+1.33 EUR
1050+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR430APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFR430ATRVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR430ATRPBF
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IRFR430ATRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR430ATRLPBFVISHAY
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR430ATRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR430ATRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR430ATRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430ATRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR430ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430ATRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.28 EUR
10+2.76 EUR
100+1.9 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.35 EUR
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IRFR430ATRPBFIR
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR430ATRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR430ATRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR430ATRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR430ATRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR430ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFR430ATRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.28 EUR
10+2.76 EUR
100+1.89 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFR430ATRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+0.69 EUR
250+0.65 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430ATRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR430BFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR430BTFFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 49950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
634+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 634 Stücke
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IRFR430BTFFAIRCHILD
auf Bestellung 29500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430BTFONSEMIDescription: ONSEMI - IRFR430BTF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 49950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430BTMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFR430BTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 258610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1336 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 207739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1110+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430TRFAIRCHIL
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510PBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510PBFIRFR4510PBF Транзисторы
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.16 EUR
138+1.02 EUR
140+0.97 EUR
154+0.85 EUR
250+0.81 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.17 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.96 EUR
4000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 56 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3031 @ 50, Qg, нКл = 81 @ 10 В, Rds = 13,9 мОм @ 38 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 100 мкА, Р, Вт = 143, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 19350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.59 EUR
10+1.79 EUR
100+1.39 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.78 EUR
100+1.3 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.07 EUR
2000+0.94 EUR
4000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.89 EUR
4000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.06 EUR
140+1.03 EUR
154+0.92 EUR
250+0.89 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510TRPBFInfineonMOSFET N CH 100V 56A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.93 EUR
4000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4510TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0139 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615Infineon Technologies
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IRFR4615PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1750 пФ @ 50 В, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 21 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 144 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 24 Stücke:
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IRFR4615PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 26nC
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IRFR4615PBFInternational RectifierDPAK Транзистори
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IRFR4615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
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IRFR4615PBF
Produktcode: 115461
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.23 EUR
102+1.39 EUR
103+1.32 EUR
135+0.97 EUR
250+0.92 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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IRFR4615TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFR4615TRLPBFInternational RectifierDPAK Транзистори
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IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 7578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.82 EUR
10+2.44 EUR
100+1.65 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
auf Bestellung 13605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.38 EUR
10+1.53 EUR
100+1.17 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.97 EUR
3000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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61+2.4 EUR
100+2.26 EUR
250+2.13 EUR
500+2 EUR
1000+1.91 EUR
2500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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IRFR4615TRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1750 @ 50, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 21 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 144, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR4615TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.06 EUR
6000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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