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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IRFR5505TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 57W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm | auf Bestellung 49205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5505TRPBF | Infineon | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори | auf Bestellung 2074 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5505TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR5505TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR6215 Produktcode: 170820
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| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: D-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В Drain-Strom Id, A: 13 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 860/66 Montage: SMD | auf Bestellung: 121 St.
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| IRFR6215CPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 375 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR6215PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR6215PBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 150V 13A DPAK=TO-252AA Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR6215PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR6215PBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 13 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25, Qg, нКл = 66 @ 10 В, Rds = 295 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 75 Stücke | verfügbar 2 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR6215PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR6215PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 13 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 110 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.295 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR6215TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR6215TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR6215TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2543 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR6215TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 331 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR6215TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 331 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR6215TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V | auf Bestellung 2757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR6215TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR6215TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2543 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR6215TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR6215TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR6215TRLPBF Produktcode: 187580
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFR6215TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR6215TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -150V 13A 580mOhm 44nC | auf Bestellung 3563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR6215TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR6215TRLPBFARMA1 | International Rectifier HiRel Products | IRFR6215TRLPBFARMA1 | auf Bestellung 2894 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR6215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 74000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR6215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR6215TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 7197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR6215TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC | auf Bestellung 2625 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR6215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR6215TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V | auf Bestellung 14030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR6215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR6215TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm | auf Bestellung 7603 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR6215TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 150V 13A DPAK=TO-252AA Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR6215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 74000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR6215TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK Case: DPAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -13A Power dissipation: 110W Kind of package: reel | auf Bestellung 1549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR6215TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR6215TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR6215TRRPBF | Infineon / IR | MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC | auf Bestellung 1525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR6215TRRPBF | Infineon | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFR6215TRRPBF | International Rectifier HiRel Products | IRFR6215TRRPBF | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR6215TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR6215TRRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR6215TRRPBF - IRFR6215 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR6215TRRPBF-IR | International Rectifier | Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7440 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFR7440PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V, 90A, 2.5 mOhm 89 nC Qg, D-Pak | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7440PBF | International Rectifier | MOSFET N CH 40V 90A DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7440PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 90A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7440TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,8mOhm; 180A; 140W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR7440; IRFR7440TR; SP001555130; SP001573310; IRFR7440TR UMW TIRFR7440 UMW Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR7440TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7440TR | Infineon | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IRFR7440TR IRFR7440-GURT IRFR7440 INFINEON TIRFR7440 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR7440TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7440TRPBF Produktcode: 208603
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) | auf Bestellung 1586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7440TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7440TRPBF | International Rectifier | MOSFET N CH 40V 90A DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V | auf Bestellung 1586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1586 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 90A 2.5mOhm 89nC StrongIRFET | auf Bestellung 4831 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7446 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7446PBF Produktcode: 164478
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFR7446PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 56A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 56A, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7446PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET N-CH 40V 56A DPAK | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 98W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm | auf Bestellung 5993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V | auf Bestellung 10837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 40V 56A DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 180000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7446TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 98W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 56A Power dissipation: 98W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N-CH 40V 56A DPAK | auf Bestellung 10500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 8398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7540 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFR7540 | Infineon | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK IRFR7540-GURT IRFR7540TRL IRFR7540TR IRFR7540TR TIRFR7540 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR7540PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7540PBF | International Rectifier | MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet, TO-252-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7540PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7540PBF | Infineon / IR | MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7540TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7540TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET TRENCH 40<-<100V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 140W Case: DPAK On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm | auf Bestellung 12466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V | auf Bestellung 6738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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