Produkte > AUI
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| AUIRFS8408-7TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 397A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFS8408-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-900 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFS8408-7TRL | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.3mOhm 195A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFS8408-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-900 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFS8408-7TRR | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.3mOhm 195A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFS8408-7TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-7-900 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFS8408TRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFS8408TRL | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.3mOhm 195A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFS8408TRR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFS8408TRR | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.3mOhm 195A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFS8409 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 3441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFS8409 | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFS8409 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 970 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 195 Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 970 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFS8409 Produktcode: 107555
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Lieblingsprodukt
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| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFS8409 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFS8409 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9548 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFS8409 | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFS8409 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 6500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFS8409-7P | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFS8409-7P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 4785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFS8409-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFS8409-7P Produktcode: 116207
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| AUIRFS8409-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFS8409-7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFS8409-7P | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A | auf Bestellung 6786 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFS8409-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFS8409-7P | Infineon | N-Channel 40 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) Силові MOSFET-модулі | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFS8409-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFS8409-7TRL | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A | auf Bestellung 3840 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFS8409-7TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFS8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFS8409-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFS8409-7TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFS8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFS8409-7TRL | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFS8409-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFS8409-7TRR | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFS8409TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFS8409TRL | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFS8409TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 18400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFS8409TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFS8409TRR | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSA8409-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 523A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSA8409-7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 523A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSA8409-7P | Infineon / IR | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFSA8409-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 523A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSA8409-7TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 523A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSA8409-7TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFSA8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 523 A, 0.0005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 523A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFSA8409-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 523A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSA8409-7TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFSA8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 523 A, 0.0005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 523A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFSA8409-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 523A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSA8409-7TRL | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 1510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFSL3004 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL3206 | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Grade: Automotive Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFSL3206 | Infineon Technologies | MOSFET 60V 210A 3 mOhm Automotive MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL4010 | Infineon | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| AUIRFSL4010 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 100V 180A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL4010 | Infineon Technologies | MOSFETs Automotive MOSFET 10 hm, 143 nC Qg, D2Pa | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL4010 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL4010-306 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL4010-306 | Infineon / IR | MOSFET AUTO D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL4010-313 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL4010-313TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL4115 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 99A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL4115 | Infineon / IR | MOSFET MOSFET_(120V 300V) | auf Bestellung 1552 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL4115 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFSL4115 - AUIRFSL4115 120V-300V NCHANNELAUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL4310 | Infineon / IR | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 7mOhms | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL4310 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL6535 | Infineon / IR | MOSFET MOSFET_(120V 300V) | auf Bestellung 435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL6535 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 300V 19A TO262-3-901 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TO262-3-901 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Bulk | auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFSL6535 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 300V 19A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-901 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL6535 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 300V 19A TO262-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-901 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1012 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFSL8403 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFSL8403 - AUIRFSL8403 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 14750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFSL8403 | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 2.6mOhm 123A | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL8403 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 123A TO262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFSL8405 | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.9mOhm 120A | auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL8405 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5193 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL8405-306TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO262 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5193 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL8407 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL8407 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1288 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFSL8407 | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL8408 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFSL8408 - AUIRFSL8408 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFSL8408 | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFSL8408 | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.3mOhm 195A | auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL8408 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFSL8409 | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.2 mOhms 195A | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFSL8409 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFU024N | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFU1010Z | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 42A TO251-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO251-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Bulk | auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFU1010Z | Infineon / IR | MOSFET N-CHANNEL 55 / 60 | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFU1010Z-701 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFU3607 | Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET 7 mOhm, 56 nC Qg, IPAK | auf Bestellung 706 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFU3607 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 75V 56A I-PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFU4104 | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFU4104 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFU4105Z | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFU4292 | Infineon Technologies | MOSFET Automotive Logic Le mOhm, 13 nC Qg, IPAK | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFU4292 | International Rectifier | Description: MOSFET_(120V,300V) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: IPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 5.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Bulk | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFU540Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFU540Z | Infineon Technologies | MOSFET Automotive MOSFET 1 100V, 26 mOhm, IPAK | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFU8401 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8042 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFU8401 | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 3.2mOhm 100A | auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFU8401 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A IPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| AUIRFU8403 | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 2.4mOhm 100A | auf Bestellung 2849 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |