Produkte > IPA
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPA70R600P7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; 25W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Power dissipation: 25W Gate charge: 10.5nC Polarisation: unipolar Drain current: 8.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 700V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.49Ω | auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA70R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA70R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA70R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 14305 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA70R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA70R600P7SXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA70R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 24.9W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm | auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA70R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA70R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA70R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V | auf Bestellung 524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA70R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA70R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA70R750P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220 | auf Bestellung 1235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA70R750P7SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA70R750P7SXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 21.2W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm | auf Bestellung 301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA70R750P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 21.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA70R900P7S | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA70R900P7S | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA70R900P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA70R900P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA70R900P7SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA70R900P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA70R900P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 35300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA70R900P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 20.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA7662 | HARRIS | 98+ | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R1K0CE | Infineon technologies | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA80R1K0CE | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R1K0CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R1K0CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 648 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R1K0CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R1K0CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R1K0CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 107180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R1K0CEXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 32W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm | auf Bestellung 797 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R1K0CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R1K0CEXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R1K2P7 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 361 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R1K2P7XKSA1 Produktcode: 185127
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA80R1K2P7XKSA1 | Infineon | N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 2,7Ohm; 4,5A; 25W; -55°C ~ 150°C; IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies TIPA80r1k2p7 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPA80R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R1K2P7XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA80R1K2P7XKSA1 - IPA80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 331 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 331 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 18671 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 477 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R1K4CE | Infineon technologies | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA80R1K4CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R1K4CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V | auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R1K4CEXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA80R1K4CEXKSA1 - IPA80R1K4 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R1K4CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R1K4CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R1K4CEXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R1K4CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R1K4CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R1K4CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R1K4CEXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA80R1K4CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.22 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 31W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm | auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R1K4CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 481 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R1K4CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R1K4CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R1K4CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R1K4P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R1K4P7 | Infineon | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA80R1K4P7 | Rochester Electronics, LLC | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 468 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R1K4P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R1K4P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 24W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm | auf Bestellung 2537 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R1K4P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R1K4P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V | auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R1K4P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R1K4P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R1K4P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R1K4P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R1K4P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R1K4P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 8.9A; 24W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 8.9A Power dissipation: 24W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD | auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R280P7 | Infineon / IR | MOSFETs LOW POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R280P7 | Infineon | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA80R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V | auf Bestellung 1151 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 472 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R280P7XKSA1 | Infineon | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R280P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm | auf Bestellung 491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R310CE | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R310CE | Infineon technologies | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA80R310CE | Infineon Technologies | Description: IPA80R310 - 800V COOLMOS N-CHANN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R310CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 6.8A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R310CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R310CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 16.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R310CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 16.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R310CEXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA80R310CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16.7 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 16.7 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 35 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 35 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R310CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R310CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 16.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R310CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16.7A; 35W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 16.7A Power dissipation: 35W Case: TO220-3 On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R310CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 16.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R310CEXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 16.7A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R310CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 16.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R310CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 16.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R310CEXKSA2 | Infineon | N-Channel 800V 16.7A (Tc) 35W (Tc) Through Hole PG-TO220FP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R360P7 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |