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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFK73N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK73N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK73N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.31 EUR
10+19.27 EUR
25+18.36 EUR
50+17.55 EUR
100+15.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK73N30IXYSMOSFETs 300V 73A
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK73N30QIXYSMOSFETs 73 Amps 300V 0.042 Rds
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK73N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 73A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK74N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 74A TO264AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK74N50P2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK78N50P3IXYSMOSFETs 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.88 EUR
10+34.64 EUR
100+34.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK78N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 78A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK78N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK78N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK78N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 78 A, 0.068 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 78
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.13
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK78N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 78A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.18 EUR
25+33.56 EUR
100+29.38 EUR
500+29.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N15QIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 80A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N15QIXYSMOSFETs 80 Amps 150V 0.0225 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N15QTO-264AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 80A TO264AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N20IXYSMOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N20QTO-264AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 80A TO264AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N20QIXYSMOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+24.18 EUR
10+23.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.02 EUR
25+33.44 EUR
100+29.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50PIXYSMOSFETs 500V 80A
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.05 EUR
10+34.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50P
Produktcode: 35720
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50PN-CH 500V 80A 0.065 mOm 200 nsec 1040 W TO-264 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.05 EUR
25+52.26 EUR
100+48.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.72 EUR
25+28.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N60P3MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+24.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N60P3IXYSMOSFETs 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.88 EUR
10+28.42 EUR
500+27.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 80A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8245 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO264P
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+30.02 EUR
4+25.2 EUR
5+24.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N65X2IXYSMOSFETs 650V/80A Ultra Junction X2-Class
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK88N20QTO-264AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK88N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 88A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK88N20QIXYSMOSFET 88 Amps 200V 0.028W Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK88N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.32 EUR
25+23.73 EUR
100+22.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK88N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK88N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 88
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK88N30PIXYSMOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.06 EUR
10+24.4 EUR
100+22.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK88N30P
Produktcode: 106275
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IXYSTransistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK88N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK88N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 88A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 600W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK90N20IXYSMOSFET 200V 90A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK90N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK90N20QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+28.29 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK90N20QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK90N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXFK90N20QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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IXFK90N20QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+28.29 EUR
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IXFK90N20QIXYSMOSFETs 200V 90A
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IXFK90N20QTO-264AA Транзистори
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IXFK90N20QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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IXFK90N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 90A TO-264
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXFK90N30IXYSMOSFETs 90 Amps 300V 0.033 Rds
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFK90N30
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXFK90N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 90A TO264
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+36.76 EUR
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IXFK90N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-264(3)
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IXFK90N65X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET 90A 650V X3 TO264K
Packaging: Tube
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IXFK90N65X3IXYSMOSFETs TO264 650V 90A N-CH X3CLASS
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFK94N50P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFK94N50P2IXYSMOSFETs PolarP2 Power MOSFET
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.39 EUR
10+30.29 EUR
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IXFK94N50P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFK94N50P2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 94A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 94A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK94N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 94A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.14 EUR
25+30 EUR
50+27.92 EUR
100+26.17 EUR
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IXFK98N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK98N50P3
Produktcode: 156281
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IXFK98N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 98A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK98N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFK98N50P3IXYSMOSFETs 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.82 EUR
10+34.14 EUR
100+29.71 EUR
500+28.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK98N50P3MOSFET N-CH 500V 98A TO264 Транзистори
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IXFK98N60X3IXYSMOSFETs TO264 600V 98A N-CH X3CLASS
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK98N60X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 98A 600V X3 TO26
Packaging: Tube
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.65 EUR
25+26.43 EUR
100+24.87 EUR
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IXFL100N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.49 EUR
25+42.38 EUR
100+40.84 EUR
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IXFL100N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 68A; 625W; ISOPLUS264™
Case: ISOPLUS264™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 240nC
On-state resistance: 52mΩ
Drain current: 68A
Power dissipation: 625W
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL100N50PIXYSMOSFETs tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.73 EUR
10+52.91 EUR
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IXFL132N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.92 EUR
25+37.26 EUR
100+35.69 EUR
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IXFL132N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL210N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 108A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL210N30P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL30N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 18A I5PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL30N120PIXYSMOSFETs 30 Amps 1200V 0.35 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL32N120PIXYSMOSFET 32 Amps 1200V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL32N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 24A I5PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL34N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL34N100IXYSMOSFETs 34 Amps 1000V 0.28W Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL36N110PIXYSMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL38N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 29A I5PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL38N100PIXYSMOSFETs 38 Amps 1000V 0.21 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL38N100Q2IXYSMOSFETs Q2-Class HiperFET 1000, 22A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL38N100Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL39N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL40N110PIXYSMOSFET 40 Amps 1100V 0.2800 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL40N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL44N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 357W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 357W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+18.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL44N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
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