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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| PDTB113ZUX | Nexperia | Digital Transistors 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors | auf Bestellung 5850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB113ZUX | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; SC70,SOT323; R1: 1kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 140MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTB113ZUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB113ZUX | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 425mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTB113ZUX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTB113ZUX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB1xxxU Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 175°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB113ZUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB114EQA147 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA PDTB114EQA SMALL SI | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB114EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 325 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB114EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | auf Bestellung 49500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB114EQAZ | Nexperia | Digital Transistors SOT1215 50V .5A PNP RET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB114ET | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA PDTB114ET - SMALL S Packaging: Bulk | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB114ET-QR | Nexperia | Digital Transistors PDTB114ET-Q/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB114ET-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTB114ET-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB114ET215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB114ETR | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .5A PNP RET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB114ETR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 320 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 598 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB114ETR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTB114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB1xxxT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 175°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTB114ETR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 320 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB114ETR | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; SOT23,TO236AB; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | auf Bestellung 1862 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTB114ETR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTB114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB1xxxT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 175°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 1280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTB114ETVL | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .5A PNP RET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB114ETVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 320 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB114EU-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTB114EU-Q/SOT323/SC-70 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB114EU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTB114EU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB114EU115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB114EU135 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB114EUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB114EUF | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .5A PNP RET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB114EUX | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .5A PNP RET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB114EUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 1363 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB114EUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123EK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123EQA147 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | auf Bestellung 79000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB123EQAZ | Nexperia | Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTB123EQA/SOT1215/DFN1010D-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A 3DFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A 3DFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123ES,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3 Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123ET | auf Bestellung 3423 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PDTB123ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123ET,215 Produktcode: 173860
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| PDTB123ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTB123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2772 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTB123ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123ET,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 2.2kΩ Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP Current gain: 40 Kind of package: 7 inch reel; tape Base-emitter resistor: 2.2kΩ Case: SOT23; TO236AB Collector current: 0.5A Mounting: SMD | auf Bestellung 5970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTB123ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTB123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2772 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTB123ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123ET,215 | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .5A PNP RE T | auf Bestellung 16751 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB123ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTB123EU115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | auf Bestellung 145960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB123EU135 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | auf Bestellung 39549 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB123EUF | Nexperia | Digital Transistors 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123EUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Frequency - Transition: 140 MHz Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-323 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123EUX | Nexperia | Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTB123EU/SOT323/SC-70 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123EUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.425W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123TK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123TS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123TT,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 2.2kΩ Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP Current gain: 100...250 Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23; TO236AB Collector current: 0.5A Mounting: SMD | auf Bestellung 2367 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTB123TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB123TT,215 | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .5A PNP RE T | auf Bestellung 1797 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB123TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123TT-QR | Nexperia | PDTB123TT-Q/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123YK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SMT3; MPAK DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123YQA147 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | auf Bestellung 44000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB123YQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | auf Bestellung 29926 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB123YQAZ | Nexperia | Digital Transistors SOT1215 50V .5A PNP RET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123YS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123YT | NXP | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 1367 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123YT,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTB123YT/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB123YT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTB123YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB123Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTB123YT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123YT,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Power dissipation: 0.25W Collector current: 0.5A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Kind of package: 7 inch reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123YT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTB123YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB123Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTB123YT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123YT-QR | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB Application: automotive industry Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Power dissipation: 0.25W Collector current: 0.5A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Kind of package: 7 inch reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123YT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123YT-QR | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .5A PNP RET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123YT/APG215 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123YT/APGR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTB123YT/APGR - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTB123YU-QF | Nexperia USA Inc. | Description: PDTB123YU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123YU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTB123YU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123YU115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB123YU115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | auf Bestellung 75890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB123YU135 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB123YUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 140 MHz Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | auf Bestellung 8645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB123YUF | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .5A PNP R ET | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB123YUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Resistors Included: R1 and R2 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 140 MHz Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123YUF | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; SC70,SOT323; R1: 2.2kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Collector current: 0.5A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 140MHz Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123YUX | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 425mW; SC70,SOT323 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Power dissipation: 0.425W Collector current: 0.5A Current gain: 70 Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123YUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB123YUX | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .5A PNP RET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB143EQA147 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A 3DFN Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 150 MHz Power - Max: 325 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1010D-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB143EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB143EQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTB143EQAZ | Nexperia | Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | auf Bestellung 4130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB143EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 325 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB143ET-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB143ET-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTB143ET-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 320 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB143ET215 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 140 MHz Power - Max: 320 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB143ET235 | Nexperia USA Inc. | Description: 0.5A, 50V, PNP, TO 236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7374 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTB143ETR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 140 MHz Power - Max: 320 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTB143ETR | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 500mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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