Produkte > CSD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD13302W | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13302W | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13302W | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13302W | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | auf Bestellung 2670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13302W | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA | auf Bestellung 8129 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13302W | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | auf Bestellung 2670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13302WT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1237 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13302WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13302WT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Part Status: Active Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13302WT | Texas Instruments | MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13302W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13302WT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 29A; 1.8W; DSBGA4 Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 29A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 12V Polarisation: unipolar Case: DSBGA4 Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 25.8mΩ Power dissipation: 1.8W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13302WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | MOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSF ET | auf Bestellung 1984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V | auf Bestellung 2460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | auf Bestellung 2265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA Packaging: Bulk Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V | auf Bestellung 143944 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13306W | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V | auf Bestellung 2589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13306W | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13306W | Texas Instruments | MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13306WT | auf Bestellung 902 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V | auf Bestellung 1126 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13306WT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.5A; Idm: 44A; 1.9W; DSBGA6 Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 44A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 12V Polarisation: unipolar Case: DSBGA6 Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 15.5mΩ Power dissipation: 1.9W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | MOSFETs 12V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD13306W | auf Bestellung 492 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3T | auf Bestellung 14922 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 1479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (0.69x0.60) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V | auf Bestellung 82004 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 132000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (0.69x0.60) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V | auf Bestellung 81000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3 | auf Bestellung 44806 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V | auf Bestellung 21216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.6A; Idm: 13.5A; 1.4W Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 13.5A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Polarisation: unipolar Case: PICOSTAR3 Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 135mΩ Power dissipation: 1.4W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | MOSFETs 12V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD13381F4T A A 595-CSD13381F4T | auf Bestellung 63537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V | auf Bestellung 312000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 118 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | CSD13381F4 MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V | auf Bestellung 312661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 2958000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13381F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.1 A, 0.14 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: LGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm | auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V | auf Bestellung 1750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3 Drain current: 2.1A Pulsed drain current: 7A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Polarisation: unipolar Case: PICOSTAR3 Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 0.5W | auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13381F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.1 A, 0.14 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: LGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm | auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | MOSFETs 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381 A 595-CSD13381F4 | auf Bestellung 5181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V | auf Bestellung 1884 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V | auf Bestellung 978802 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 2590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | MOSFETs CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR A A 595-CSD13383F4T | auf Bestellung 67752 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V | auf Bestellung 978000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 2590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 82 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.9A; Idm: 18.5A; 500mW Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18.5A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 12V Polarisation: unipolar Case: PICOSTAR3 Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 65mΩ Power dissipation: 0.5W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V | auf Bestellung 4147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13383F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12 Dauer-Drainstrom Id: 2.9 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: PICOSTAR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13383F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12 Dauer-Drainstrom Id: 2.9 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: PICOSTAR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | MOSFETs 12V N-Channel FemtoF ET MOSFET A 595-CSD A 595-CSD13383F4 | auf Bestellung 511 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 2708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 1086 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 1086 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V | auf Bestellung 9488 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5T | auf Bestellung 6024 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3 Drain current: 7.1A Pulsed drain current: 41A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Polarisation: unipolar Case: PICOSTAR3 Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 1.4W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 2708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V | auf Bestellung 8308 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|