Produkte > EMD

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
EMD3T2RROHM10 EMT6
auf Bestellung 290000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD3T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 3689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
676+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 676 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD3T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4
auf Bestellung 5029 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4 T2RROHMSOT26/SOT363
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD40-1800LTRMACOMUp-Down Converters
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4000Amphenol Advanced SensorsBoard Mount Humidity Sensors Humidity Sensor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4000BAmphenol Advanced SensorsBoard Mount Humidity Sensors 5%ResistiveElement HUMIDITY SENSOR
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4000BAmphenol TelaireDescription: SENSOR HUMIDITY
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SIP Module
Output Type: Resistive
Mounting Type: User Defined
Output: 72k @ 50%RH
Accuracy: ±5% RH
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 1VAC
Sensor Type: Humidity
Humidity Range: 20 ~ 95% RH
Response Time: 60 s
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4DXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - EMD4DXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 1744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.69 EUR
579+0.4 EUR
926+0.23 EUR
1244+0.17 EUR
1395+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4DXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4DXV6T1GON Semiconductor
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4DXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - EMD4DXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 1744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+0.69 EUR
579+0.4 EUR
926+0.23 EUR
1244+0.17 EUR
1395+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4DXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
27+0.77 EUR
100+0.44 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4DXV6T1GonsemiDigital Transistors Dual Complementary NPN & PNP Digital
auf Bestellung 7570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.82 EUR
10+0.56 EUR
100+0.24 EUR
1000+0.14 EUR
4000+0.13 EUR
8000+0.12 EUR
24000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4DXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - EMD4DXV6T5 - EMD4DXV6T5, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 416000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4DXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
auf Bestellung 280000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 16000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4DXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary NPN & PNP Digital
auf Bestellung 104000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4E001G16G2-150CAS2Everspin TechnologiesMRAM 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 380 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4E001G16G2-150CAS2Everspin Technologies Inc.Description: IC RAM 1GBIT PAR 667MHZ 96BGA
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4E001G16G2-150CAS2REverspin TechnologiesMRAM 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4SRectron USADescription: BRIDGE RECT GLASS 200V 1A MDS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4T2RROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL PNP/NPN
auf Bestellung 8927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.05 EUR
10+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD4T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
38+0.57 EUR
100+0.35 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD5
auf Bestellung 8115 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD52T2RROHMDescription: ROHM - EMD52T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.63 EUR
654+0.36 EUR
1041+0.2 EUR
1411+0.15 EUR
1783+0.12 EUR
5000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD52T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.12 EUR
16000+0.11 EUR
24000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD52T2RROHM SemiconductorDigital Transistors PNP+NPN, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.64 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD52T2RROHMDescription: ROHM - EMD52T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+0.63 EUR
654+0.36 EUR
1041+0.2 EUR
1411+0.15 EUR
1783+0.12 EUR
5000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD52T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 31475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD53T2RROHMDescription: ROHM - EMD53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
667+0.38 EUR
1031+0.23 EUR
2223+0.096 EUR
2440+0.088 EUR
2778+0.077 EUR
5000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 667 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD53T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD53T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 3-Phase Brushless Fan Motor Driver
auf Bestellung 6623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.56 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
8000+0.12 EUR
48000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD53T2RROHMDescription: ROHM - EMD53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
667+0.38 EUR
1031+0.23 EUR
2223+0.096 EUR
2440+0.088 EUR
2778+0.077 EUR
5000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 667 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD53T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
35+0.61 EUR
100+0.31 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD5550EM09+ SSOP24
auf Bestellung 1001 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD59T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 3-Phase Brushless Fan Motor Driver
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.65 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
8000+0.12 EUR
48000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD59T2RROHMDescription: ROHM - EMD59T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 7955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.75 EUR
547+0.43 EUR
863+0.25 EUR
1165+0.18 EUR
1471+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD59T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.15 EUR
16000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD59T2RROHMDescription: ROHM - EMD59T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 7955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.75 EUR
547+0.43 EUR
863+0.25 EUR
1165+0.18 EUR
1471+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD59T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
35+0.61 EUR
100+0.31 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD5DXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD5DXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD5DXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD5DXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary NPN & PNP Digital
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD5T2RROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL PNP/NPN
auf Bestellung 7576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.58 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.23 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD5T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
auf Bestellung 22781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD5T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD5T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
auf Bestellung 22781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD6ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD6-T2R
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD62T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1103+0.15 EUR
2500+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD62T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD62T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD62T2RROHM SemiconductorDigital Transistors Complex Digital Transistor
auf Bestellung 8188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
8000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD62T2RROHMDescription: ROHM - EMD62T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
794+0.31 EUR
1150+0.2 EUR
2223+0.096 EUR
2440+0.088 EUR
2778+0.077 EUR
5000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 794 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD62T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
auf Bestellung 5892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
49+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD62T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD62T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD62T2RROHMDescription: ROHM - EMD62T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
794+0.31 EUR
1150+0.2 EUR
2223+0.096 EUR
2440+0.088 EUR
2778+0.077 EUR
5000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 794 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD63Square DIndustrial Surge Protectors Surge protective device, Surgelogic, EMD, 300kA, 240V delta, 3 phase, 3 wire, SPD type 1, UL 1283, NEMA 4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD6FHAROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD6FHAT2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN+PNP SOT-563 4.7kO Input Resist
auf Bestellung 5949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.58 EUR
100+0.51 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
2500+0.25 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD6FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD6FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1035+0.17 EUR
1070+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1035 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD6FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD6FHAT2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Collector-emitter voltage: 50V
Polarisation: bipolar
Current gain: 100...600
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD6T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 7299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5814+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5814 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD6T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD6T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
37+0.57 EUR
100+0.35 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD6T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Collector-emitter voltage: 50V
Polarisation: bipolar
Current gain: 100...600
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD6T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD6T2RROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 100MA
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.24 EUR
5000+0.2 EUR
8000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD6T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.19 EUR
16000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD72T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD72T2RROHMDescription: ROHM - EMD72T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 5196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+0.63 EUR
654+0.36 EUR
1041+0.2 EUR
1411+0.15 EUR
1783+0.12 EUR
5000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD72T2RROHM SemiconductorDigital Transistors NPN+PNP, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 7260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
8000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD72T2RDiodesTRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6 SOT-563(SOT-666) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD72T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 18647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
41+0.51 EUR
100+0.26 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD72T2RROHMDescription: ROHM - EMD72T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 5196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.63 EUR
654+0.36 EUR
1041+0.2 EUR
1411+0.15 EUR
1783+0.12 EUR
5000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD72T2RRohmTRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6 SOT-563(SOT-666) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD811MX07+/08+ SOP8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD812MXDIP8
auf Bestellung 25400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD9ROHM04+ SOT-363
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD9 T2RROHMSOT663
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD9-T2R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD9-TPQ2Micro Commercial ComponentsNPN and PNP Digital Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD93Schneider ElectricDescription: SPD T1 EMD 300KA 600 DELTA 3P3W
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD93Square DIndustrial Surge Protectors Surge protective device, Surgelogic, EMD, 300kA, 600V delta, 3 phase, 3 wire, SPD type 1, NEMA 4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD9DBLE.DIGITALNPN/PNPSMT6N/AN/A
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD9FHAT2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 68
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD9FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD9FHAT2RROHM SemiconductorDigital Transistors NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD9FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD9T2RROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 70MA
auf Bestellung 7990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.29 EUR
2500+0.27 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD9T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD9T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 4307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.55 EUR
508+0.33 EUR
683+0.25 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD9T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD9T2RROHMSOT363
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4  [ Nächste Seite >> ]