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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDN306PON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
27000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PonsemiMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
auf Bestellung 17688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.65 EUR
100+0.44 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PTECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
458+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 458 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 32138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+1.37 EUR
293+0.8 EUR
468+0.46 EUR
562+0.38 EUR
1500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PVBsemiTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P-NLFAI09+
auf Bestellung 120018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -12V -2.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
298+0.07 EUR
1000+0.069 EUR
3000+0.064 EUR
6000+0.063 EUR
15000+0.061 EUR
30000+0.058 EUR
75000+0.055 EUR
150000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P/306FAIR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
auf Bestellung 5465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
auf Bestellung 5460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN307
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 2064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.7 EUR
237+0.98 EUR
365+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308Ponsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
auf Bestellung 6119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.82 EUR
10+0.69 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+1.07 EUR
245+0.68 EUR
248+0.64 EUR
373+0.42 EUR
402+0.37 EUR
509+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2192+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 2064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.7 EUR
237+0.98 EUR
365+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+0.69 EUR
373+0.45 EUR
402+0.42 EUR
509+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 3767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.59 EUR
22+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308P-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
311+0.068 EUR
1000+0.065 EUR
3000+0.062 EUR
6000+0.061 EUR
15000+0.058 EUR
30000+0.056 EUR
75000+0.052 EUR
150000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 311 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308P_F154ON Semiconductor / FairchildMOSFET Multi Market MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308P_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10, Qg, нКл = 6,3, Rds = 70 мОм, Ugs(th) = 1,5 В, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SSOT-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 2973 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 49767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.49 EUR
307+0.76 EUR
484+0.44 EUR
569+0.38 EUR
1500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
12000+0.19 EUR
27000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NonsemiMOSFETs N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec
auf Bestellung 3631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.12 EUR
10+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2698+0.24 EUR
10000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2698 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2698+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2698 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
auf Bestellung 52753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
29+0.73 EUR
50+0.52 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327N
Produktcode: 176408
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 49767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.49 EUR
307+0.76 EUR
484+0.44 EUR
569+0.38 EUR
1500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2698+0.24 EUR
10000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2698 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.3nC
Technology: PowerTrench®
auf Bestellung 1661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.79 EUR
158+0.54 EUR
177+0.49 EUR
228+0.37 EUR
257+0.33 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327N-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
310+0.068 EUR
1000+0.067 EUR
3000+0.062 EUR
6000+0.061 EUR
15000+0.058 EUR
30000+0.056 EUR
75000+0.052 EUR
150000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 310 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327N/327FAIR
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN331NFAirchild
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN332-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN332P-NLFAIRCHTL2007
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335KEXIN09+
auf Bestellung 300018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.86 EUR
299+0.56 EUR
450+0.36 EUR
549+0.29 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
9000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
25+0.86 EUR
50+0.63 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 68832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+1.24 EUR
304+0.76 EUR
414+0.52 EUR
530+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+0.71 EUR
362+0.46 EUR
365+0.44 EUR
484+0.32 EUR
494+0.3 EUR
555+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
365+0.48 EUR
484+0.35 EUR
494+0.33 EUR
555+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 365 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NON-SemiconductorN-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
auf Bestellung 93448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.67 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 68782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+1.24 EUR
304+0.76 EUR
414+0.52 EUR
530+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
27000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335N-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 1.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
308+0.068 EUR
1000+0.067 EUR
3000+0.062 EUR
6000+0.061 EUR
15000+0.06 EUR
30000+0.056 EUR
75000+0.054 EUR
150000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335N_Qonsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PonsemiMOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
auf Bestellung 5824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.2 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 7815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
260+0.89 EUR
405+0.52 EUR
530+0.4 EUR
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P
Produktcode: 135239
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 90011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.89 EUR
50+0.65 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+0.9 EUR
121+0.7 EUR
139+0.61 EUR
198+0.43 EUR
229+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PON-SemiconductorP-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2211+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.2 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 7815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
260+0.89 EUR
405+0.52 EUR
530+0.4 EUR
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN336P-NLonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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FDN336P-NLFAIRCHILD
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FDN336P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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306+0.069 EUR
1000+0.067 EUR
3000+0.062 EUR
6000+0.061 EUR
15000+0.06 EUR
30000+0.057 EUR
75000+0.054 EUR
150000+0.048 EUR
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FDN336P/336FAIR
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FDN336P_NLFAIRCHILDSOT23
auf Bestellung 8800 Stücke:
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FDN337FAI09+
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FDN337 SOT23-337FAIRCHILD
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FDN337NShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 2.2A 82M@2.5V,2A 0.5W 1.3V 1
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59+0.36 EUR
94+0.23 EUR
132+0.15 EUR
152+0.14 EUR
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FDN337NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2583 Stücke:
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107+0.8 EUR
127+0.67 EUR
144+0.6 EUR
200+0.43 EUR
228+0.37 EUR
261+0.32 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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151+1.14 EUR
208+0.8 EUR
240+0.67 EUR
306+0.5 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
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FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN337NUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23
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58+0.36 EUR
81+0.26 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 285000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN337NFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,2 А, Ptot, Вт = 0,46, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 10, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 65 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SSOT-3 Очікується: 550 Од.
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
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FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 42000 Stücke:
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3000+0.54 EUR
9000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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