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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RH73X2A10GNTNCGS - TE CONNECTIVITYDescription: CGS - TE CONNECTIVITY - RH73X2A10GNTN - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 Gohm, ± 30%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hochspannung
isCanonical: Y
Widerstand: 10Gohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 30%
Temperaturkoeffizient: ± 1000ppm/°C
Produktlänge: 2.01mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: RH73 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
auf Bestellung 3342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.2 EUR
53+4.45 EUR
100+3.58 EUR
250+3.51 EUR
500+3.49 EUR
1000+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2A10GNTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 10G OHM 30% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±30%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Part Status: Active
Resistance: 10 GOhms
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.45 EUR
2000+3.38 EUR
3000+3.34 EUR
5000+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2A1G5MTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 1.5G OHM 20% 1/8W 0805
Resistance: 1.5 GOhms
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Supplier Device Package: 0805
Number of Terminations: 2
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Composition: Thick Film
Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Tolerance: ±20%
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2A20GNTNCGS - TE CONNECTIVITYDescription: CGS - TE CONNECTIVITY - RH73X2A20GNTN - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 20 Gohm, ± 30%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 20Gohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 30%
Temperaturkoeffizient: ± 1000ppm/°C
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RH Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.45 EUR
50+7.45 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2A20GNTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 20G OHM 30% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±30%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Resistance: 20 GOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2A20GNTNTE Connectivity / HolsworthyThick Film Resistors - SMD RH73 2A 20G 30% 1000PPM
auf Bestellung 2112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.07 EUR
10+9.81 EUR
50+8.73 EUR
100+8.43 EUR
250+8.4 EUR
500+8.38 EUR
1000+7.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2A33GKTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 33G OHM 10% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Resistance: 33 GOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2A33GKTNTE Connectivity / HolsworthyThick Film Resistors - SMD RH73 2A 33G
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2A50GN
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2A50GNTNCGS - TE CONNECTIVITYDescription: CGS - TE CONNECTIVITY - RH73X2A50GNTN - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 50 Gohm, ± 30%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hochspannung
isCanonical: N
Widerstand: 50Gohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 30%
Temperaturkoeffizient: ± 1000ppm/°C
Produktlänge: 2.01mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: RH73 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
auf Bestellung 8162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+8.27 EUR
250+7.54 EUR
500+7.04 EUR
1000+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2A50GNTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 50G OHM 30% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±30%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Resistance: 50 GOhms
auf Bestellung 5483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.9 EUR
10+7.57 EUR
25+7.03 EUR
50+6.72 EUR
100+6.49 EUR
250+6.24 EUR
500+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2A50GNTN
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2A50GNTNCGS - TE CONNECTIVITYDescription: CGS - TE CONNECTIVITY - RH73X2A50GNTN - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 50 Gohm, ± 30%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hochspannung
isCanonical: Y
Widerstand: 50Gohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 30%
Temperaturkoeffizient: ± 1000ppm/°C
Produktlänge: 2.01mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: RH73 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
auf Bestellung 8162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.79 EUR
50+10 EUR
100+8.27 EUR
250+7.54 EUR
500+7.04 EUR
1000+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2A50GNTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 50G OHM 30% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±30%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Resistance: 50 GOhms
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+5.97 EUR
2000+5.88 EUR
3000+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2A50GNTNTE Connectivity / HolsworthyThick Film Resistors - SMD RH73 2A 50G 30% 1000PPM
auf Bestellung 3421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.01 EUR
10+7.66 EUR
25+7.14 EUR
50+7.06 EUR
100+6.81 EUR
250+6.58 EUR
500+6.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2B10GKTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 10G OHM 10% 1/4W 1206
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+5.41 EUR
2000+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2B10GKTNTE ConnectivityCategory: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 1206; 125mW,250mW; ±10%; 3.2x1.5x0.4mm
Type of resistor: thick film
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Power: 0.125W; 0.25W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 3.2x1.5x0.4mm
Operating temperature: -55...125°C
Temperature coefficient: 1000ppm/°C
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2B10GKTNTE ConnectivityRes Thick Film 1206 10G Ohm 10% 0.25W(1/4W) ±1000ppm/°C Pad SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2B10GKTNCGS - TE CONNECTIVITYDescription: CGS - TE CONNECTIVITY - RH73X2B10GKTN - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 Gohm, ± 10%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochspannung
isCanonical: N
Widerstand: 10Gohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 10%
Temperaturkoeffizient: ± 1000ppm/°C
Produktlänge: 3.2mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: RH73 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.6mm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2B10GKTNTE Connectivity / HolsworthyThick Film Resistors - SMD RH73 2B 10G 10% 1000PPM
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.59 EUR
10+6.5 EUR
25+5.99 EUR
50+5.71 EUR
100+5.49 EUR
250+5.32 EUR
500+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2B10GKTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 10G OHM 10% 1/4W 1206
auf Bestellung 3014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.26 EUR
10+6.97 EUR
25+6.45 EUR
50+6.15 EUR
100+5.91 EUR
250+5.66 EUR
500+5.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH73X2B10GKTNCGS - TE CONNECTIVITYDescription: CGS - TE CONNECTIVITY - RH73X2B10GKTN - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 Gohm, ± 10%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochspannung
isCanonical: Y
Widerstand: 10Gohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 10%
Temperaturkoeffizient: ± 1000ppm/°C
Produktlänge: 3.2mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: RH73 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.6mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH74-100M
auf Bestellung 1096 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH745DremelDescription: 1-3/4" SDS-MAX COMBINATION HAMME
Packaging: Bulk
Tool Type: Rotary Hammer
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH75R0JS10N
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH76001ATC
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7E04BBJFRATCBROHMDescription: ROHM - RH7E04BBJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.27 EUR
102+2.11 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7E04BBJFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 P-CH 30V
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.25 EUR
10+2.07 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.44 EUR
3000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7E04BBJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.56 EUR
100+1.74 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7E04BBJFRATCBROHMDescription: ROHM - RH7E04BBJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.52 EUR
71+3.3 EUR
102+2.12 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7E04BBJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04BBJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04BBJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.58 EUR
100+1.75 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04BBJFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN3333 P-CH 40V 40A
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.53 EUR
100+1.93 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.49 EUR
3000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04BBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04BBKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 P CHAN 30V
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.41 EUR
10+2.14 EUR
100+1.93 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.45 EUR
3000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04BBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.14 EUR
10+2.65 EUR
100+1.81 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04BBLFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+2.93 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
3000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04CBJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04CBJFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.83 EUR
10+2.48 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.2 EUR
3000+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04CBJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+2.3 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04CBKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.05 EUR
10+2.59 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
3000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04CBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 350µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
10+2.43 EUR
100+1.64 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04CBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 350µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04CBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 600µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.81 EUR
10+2.44 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04CBLFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 N CHAN 40V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.62 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.29 EUR
3000+1.23 EUR
6000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04CBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 600µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04DBKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 N CHAN 40V
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.12 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.89 EUR
6000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04DBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
11+1.96 EUR
100+1.32 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04DBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04DBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04DBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.08 EUR
11+1.95 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7G04DBLFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.09 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
3000+0.88 EUR
6000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7L03BBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 35A, DFN3333T8LSAB, POWE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7L03BBKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 N CHAN 40V
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.22 EUR
10+2.05 EUR
100+1.37 EUR
500+1.12 EUR
1000+1 EUR
3000+0.84 EUR
6000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7L03BBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 35A, DFN3333T8LSAB, POWE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
11+1.99 EUR
100+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7L04BBKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 N CHAN 60V
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+2.93 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
3000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7L04BBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
10+2.75 EUR
100+1.88 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7L04BBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7L04BBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
10+2.75 EUR
100+1.88 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7L04BBLFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+2.93 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
3000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7L04BBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7L04CBKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 N CHAN 60V
auf Bestellung 2674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.96 EUR
10+1.93 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.31 EUR
3000+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7L04CBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
10+2.38 EUR
100+1.61 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7L04CBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7L04CBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7L04CBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.81 EUR
10+2.44 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7L04CBLFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 N CHAN 60V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+1.98 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.36 EUR
3000+1.23 EUR
6000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7P04BBKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 N CHAN 100V
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+2.26 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.58 EUR
3000+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH7P04BBLFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 100V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+2.98 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.5 EUR
3000+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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