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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RN2046
auf Bestellung 83700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN21-I/RMMicrochip TechnologyDescription: MODULE BLUETOOTH 2.0/EDR CLASS1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101ToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101TOSHIBA
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
auf Bestellung 3197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1019+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1019 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor with Built-in Transistor
auf Bestellung 38741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+0.19 EUR
27+0.13 EUR
100+0.055 EUR
1000+0.048 EUR
3000+0.046 EUR
9000+0.044 EUR
45000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101,LF(CTToshibaTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2101,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
935+0.26 EUR
1417+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 935 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2101,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
935+0.26 EUR
1417+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 935 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.64 EUR
10+0.44 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
9000+0.094 EUR
24000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
auf Bestellung 5986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
47+0.45 EUR
100+0.23 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101F
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101F(TPL3,F)TOSHIBASOT23
auf Bestellung 6350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101MFV,L3FToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor PNP -.1A -50V 4.7kohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
113+0.19 EUR
182+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.074 EUR
2000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101MFV,L3F(CTToshibaDigital Transistors 4.7kohm/4.7kohm 0.1A SOT-723 50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 7975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
67+0.32 EUR
107+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2101MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
auf Bestellung 13620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.1 EUR
5000+0.083 EUR
8000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102TOSHIBA
auf Bestellung 12720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2102,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
491+0.51 EUR
710+0.32 EUR
1793+0.12 EUR
2387+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 491 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor with Built-in Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
97+0.21 EUR
156+0.13 EUR
500+0.098 EUR
1000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102,LF(CTToshibaSilicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2102,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.51 EUR
710+0.32 EUR
1793+0.12 EUR
2387+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
auf Bestellung 4525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.52 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
38+0.56 EUR
100+0.31 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102<TE85L,F>TOSHIBASOT23
auf Bestellung 2943 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102FTOSHIBASOT23
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RN2102FS
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RN2102FT-TE85LSOT416-YB
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RN2102MFV
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RN2102MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 10K x 10Kohms
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RN2102MFV,L3F(CTToshibaRN2102MFV,L3F(CT
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5348+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 5348 Stücke
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RN2102MFV,L3F(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 10kohm 10kohm 0.1A SOT-723 50V
auf Bestellung 7450 Stücke:
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10+0.36 EUR
11+0.33 EUR
100+0.18 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.077 EUR
2500+0.058 EUR
8000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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RN2102MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 15720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
85+0.25 EUR
158+0.13 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.073 EUR
2000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
auf Bestellung 15970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.1 EUR
5000+0.083 EUR
8000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=
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 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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RN2103TOSHIBA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
46+0.45 EUR
100+0.24 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2103,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1201+0.2 EUR
1475+0.15 EUR
1909+0.11 EUR
2625+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 1201 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
auf Bestellung 8402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.42 EUR
10+0.33 EUR
100+0.18 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.082 EUR
3000+0.075 EUR
24000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2103,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1201+0.2 EUR
1475+0.15 EUR
1909+0.11 EUR
2625+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 1201 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103,LF(CTToshibaSilicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1263 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
43+0.5 EUR
100+0.29 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.62 EUR
10+0.43 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.1 EUR
9000+0.092 EUR
24000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103/YCTOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN2103ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 50 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 50 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103F
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103F(TH3MAT-V)TOSHIBASOT23
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors -50V -100mA 22x22Kohms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103MFV,L3FToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
65+0.32 EUR
118+0.18 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.075 EUR
2000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103MFV,L3F(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 22kohm 22kohm 0.1A SOT-723 50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
47+0.45 EUR
100+0.23 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2103MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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RN2103MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
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RN2104(TE85L,F)TOSHIBASOT23
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RN2104,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
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RN2104,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
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RN2104,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
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RN2104,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
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