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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SQS182ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS182ELNW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 5156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2 EUR
10+1.33 EUR
100+1.05 EUR
250+1.04 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS182ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
15+1.46 EUR
100+1.09 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS201CENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 8320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+1.61 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
6000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS20B-1001FS
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS20B1001GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 19 RES 1K OHM 20SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS20B1002GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 19 RES 10K OHM 20SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS20B1501GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 19 RES 1.5K OHM 20SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS20B4701GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 19 RES 4.7K OHM 20SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS24A1001FS
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS24B1002GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 23 RES 10K OHM 24SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS24B4701GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 23 RES 4.7K OHM 24SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS24B5001GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 23 RES 5K OHM 24SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS24B5101GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 23 RES 5.1K OHM 24SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS2C-02H-1A-RJST AutomotiveAutomotive Connectors RED CPA HOUSING RESTRICTED PART
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 16000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS2F-02-1TJST AutomotiveAutomotive Connectors 2CIRCUIT FERRITE RESTRICTED PART
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS2L-02H-1A-YJST AutomotiveAutomotive Connectors 2 CIR YELLOW CVR HSG RESTRICTED PART
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS2R-02H-2C-DJST AutomotiveAutomotive Connectors YELLOW FEMALE HSG RESTRICTED PART
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS400EN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 16A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS401EN-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS401EN-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 16A, POWERPAK 1212
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.23 EUR
141+1.64 EUR
152+1.42 EUR
164+1.31 EUR
179+1.2 EUR
250+1.12 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS401EN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS401EN-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)
auf Bestellung 862942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1.3 EUR
100+1.02 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.71 EUR
3000+0.64 EUR
6000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS401EN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 61314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
14+1.51 EUR
100+1.19 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS401EN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.75 EUR
6000+0.71 EUR
9000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS401EN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS401EN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS401EN-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS401EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+2.57 EUR
124+1.88 EUR
166+1.3 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS401EN-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS401EN-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V 16A 62.5W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 108781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS401EN-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS401EN-T1_GE3
Produktcode: 183342
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS401ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212
auf Bestellung 4830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS401ENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 141950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.05 EUR
10+1.84 EUR
100+1.44 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS401ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS405CENWVishaySQS405CENW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS405CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0106ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 17364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.23 EUR
165+1.4 EUR
248+0.87 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS405CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.03 EUR
17+1.27 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS405CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 17364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.23 EUR
165+1.4 EUR
248+0.87 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS405CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 16A 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS405CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS405CENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C AEC-Q101
auf Bestellung 22526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
3000+0.55 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS405CENW-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 39W; PowerPAK® 1212-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Power dissipation: 39W
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS405EN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.84 EUR
6000+0.8 EUR
9000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS405EN-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS405EN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 20778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.03 EUR
13+1.67 EUR
100+1.3 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS405ENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 4731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS405ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS405ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.03 EUR
13+1.67 EUR
100+1.3 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS407ENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS407ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS407ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.79 EUR
6000+0.77 EUR
9000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS407ENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
auf Bestellung 70335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+1.92 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.8 EUR
6000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS407ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.51 EUR
13+1.71 EUR
100+1.25 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS411ENW-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.4 EUR
100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
3000+0.56 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS411ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS411ENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS411ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.02 EUR
127+1.83 EUR
193+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS411ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS411ENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
3000+0.67 EUR
6000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS411ENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS411ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0273 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0273ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.3 EUR
125+1.87 EUR
188+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS414CENW-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS414CENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.19 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS414CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
18+1.19 EUR
100+0.81 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS414CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.52 EUR
6000+0.49 EUR
9000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS415ENW-T1 GE3VishayMOSFETs POWRPK P CHAN 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS415ENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0161 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm
auf Bestellung 4681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.55 EUR
110+2.12 EUR
164+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS415ENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.71 EUR
6000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS415ENW-T1_GE3VishayMOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS415ENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W
auf Bestellung 6456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+1.92 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS415ENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS415ENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+0.74 EUR
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS415ENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
227+0.77 EUR
229+0.75 EUR
230+0.73 EUR
250+0.71 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 227 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS415ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 26209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
11+1.99 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS415ENW-T1_GE3Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4825 @ 25, Qg, нКл = 82, Rds = 16,1 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 62,5, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerPAK 1212-8W Очікується: 10 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS415ENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.59 EUR
191+1.13 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS415ENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+0.74 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS415ENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+0.8 EUR
227+0.74 EUR
229+0.7 EUR
230+0.68 EUR
250+0.64 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS415ENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.73 EUR
6000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS415ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.83 EUR
6000+0.79 EUR
9000+0.75 EUR
15000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS420EN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.79 EUR
6000+0.73 EUR
9000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS420EN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.95 EUR
12+1.87 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS420EN-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 8A 18W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 22089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+1.87 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
3000+0.77 EUR
6000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS423EN-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 30V (D-S)
auf Bestellung 5975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS423EN-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 3015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS423EN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS423EN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS423ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W
auf Bestellung 2674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS423ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS423ENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.61 EUR
100+1.05 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.79 EUR
3000+0.67 EUR
6000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS460CENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.28 EUR
10+1.43 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
3000+0.57 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS460CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS460CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS460CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 5725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
15+1.49 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS460CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS460CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS460CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS460EN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS460EN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 55573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.53 EUR
10+2.24 EUR
100+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS460EN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.96 EUR
6000+0.89 EUR
9000+0.87 EUR
15000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS460EN-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60V
auf Bestellung 29874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.26 EUR
100+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.09 EUR
3000+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS460EN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.53 EUR
10+2.24 EUR
100+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS460EN-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 69394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.26 EUR
100+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.09 EUR
3000+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS460EN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS460ENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS460ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.036 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
146+1.59 EUR
192+1.12 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.92 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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