Produkte > BSS
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -2A SOT-23-3 | auf Bestellung 135985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 18038 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS308PEH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm | auf Bestellung 177999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS308PEH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm | auf Bestellung 177999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS308PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 15846 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS308PEL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS31 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS314PE H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS314PE L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS314PEH6327 | Infineon technologies | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS314PEH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 | auf Bestellung 16410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 25800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS314PEH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 28744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 97559 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS314PEH6327XTSA1 | NXP/Nexperia/We-En | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 294, Qg, нКл = 2,9, Rds = 140 мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 211 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1278000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 | auf Bestellung 59045 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS314PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P3 Drain current: -1.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT23 On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.5W | auf Bestellung 11290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1278000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS314PEH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 28744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon | P-MOSFET 30V 1.5A 140mΩ 500mW BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327 Infineon TBSS314pe Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 1625 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS314PEH6327XTSA1-ML | MOSLEADER | Description: P -30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS314PEL6327 | Infineon | auf Bestellung 266880 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS314PEL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| Bss315 | HBE | Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS315P H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 | auf Bestellung 2546 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS315P H6327 | Infineon | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 | auf Bestellung 12257 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P2 Drain current: -1.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT23 On-state resistance: 0.15Ω Power dissipation: 0.5W | auf Bestellung 3379 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 14060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS315PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 33380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 | auf Bestellung 9495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 26650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 75509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon | BSS315PH6327XTSA1 P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; 500мВт; PG-SOT23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS315PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 25485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS315PH6327XTSA1 Produktcode: 118761
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| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS315PH6327XTSA1-ML | MOSLEADER | Description: P -30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS315PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-SOT23 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS315PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS316N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3 | auf Bestellung 23341 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS316N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| Bss316NH6327 | Infineon technologies | auf Bestellung 7980 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3 | auf Bestellung 16256 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS316NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 12555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 94 @ 15, Qg, нКл = 0,6, Rds = 160 мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 500 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 16109 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS316NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 12555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 248674 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS316NH6327XTSA1 Produktcode: 210395
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3 | auf Bestellung 8889 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS316NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Drain current: 1.4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SOT23 On-state resistance: 0.28Ω Power dissipation: 0.5W | auf Bestellung 7626 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 246000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS316NH6327XTSA1-ML | MOSLEADER | Description: N 30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS316NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS32 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS33 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS34 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS340NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS340NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL+N-CH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT323-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS340NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor, 30 V Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 22095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS340NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL+N-CH Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT323-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS35 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS36 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS37 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS38 Produktcode: 105776
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Lieblingsprodukt
| China | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS38 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS39 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS40 | PHILIPS | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS41 | PHI/MOT | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS4130AHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS4130AHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - BSS4130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS4130AHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS4130AHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - BSS4130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS4130AHZGT116 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NCH 30V 1A AMP TRANS | auf Bestellung 17355 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS4130AT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1A SST3 | auf Bestellung 1033 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS4130AT116 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Nch 30V 1A Amplification Transistor | auf Bestellung 2666 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS4130AT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1A SST3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
