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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
441+0.39 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 441 Stücke
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FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 900177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1834+0.36 EUR
10000+0.31 EUR
100000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 P-CH -30V
auf Bestellung 7110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.62 EUR
100+0.48 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 92994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1834+0.36 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 132149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1834+0.36 EUR
10000+0.31 EUR
100000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2189+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC654P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1834+0.36 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 198000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1834+0.36 EUR
10000+0.31 EUR
100000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH -30V
auf Bestellung 2792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
10+1.05 EUR
100+0.74 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1834+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 914474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1834+0.36 EUR
10000+0.31 EUR
100000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654PONS/FAISSOT-6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.4 EUR
26+0.82 EUR
100+0.52 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654P SOT163-654 PB-FRFAIRCHILD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654P-NLFAIRCHILDSOT163-654 PB-FR
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654P-NLSOT163-654PB-FREEFAIRCHLD
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC654P_NLFAIRCHIL
auf Bestellung 53000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin SuperSOT T/R
auf Bestellung 25459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+3.59 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.11 EUR
10000+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin SuperSOT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+3.59 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655ANFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V
auf Bestellung 299497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
136+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin SuperSOT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+3.59 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin SuperSOT T/R
auf Bestellung 94582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+3.59 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.11 EUR
10000+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655ANFAIRCHILDSOT163
auf Bestellung 69170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655ANonsemi / FairchildMOSFET SSOT-6 N-CH 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin SuperSOT T/R
auf Bestellung 140456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+3.59 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.11 EUR
10000+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655AN-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655AN_NLONS/FAIДЛЯ НОВЫХ РАЗРАБ. ИСП. FDC655BN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNONSEMIDescription: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 46759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.74 EUR
239+0.98 EUR
363+0.6 EUR
500+0.52 EUR
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
904+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 904 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNONS/FAIMOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
auf Bestellung 49707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
23+0.95 EUR
50+0.69 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
904+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 904 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN
Produktcode: 169802
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
1+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNonsemiMOSFETs SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET
auf Bestellung 25371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.51 EUR
10+0.68 EUR
100+0.61 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
461+0.37 EUR
512+0.33 EUR
521+0.32 EUR
603+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 461 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 6.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,3 А, Ptot, Вт = 0,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 570 @ 15, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 25 мОм @ 6,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SSOT-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNONSEMIDescription: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 46759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.74 EUR
239+0.98 EUR
363+0.6 EUR
500+0.52 EUR
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.68 EUR
286+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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252+0.68 EUR
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FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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377+0.45 EUR
435+0.38 EUR
461+0.35 EUR
512+0.3 EUR
521+0.29 EUR
603+0.24 EUR
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FDC655BN-F40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN-F40onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FDC655BN-NL
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FDC655BN_GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23
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1530+0.42 EUR
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1530 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN_NBNN007onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FDC655NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC655N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1781+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1781 Stücke
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FDC655NON SemiconductorFDC655N
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1521+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1521 Stücke
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FDC655NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 63000 Stücke:
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1010+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1010 Stücke
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FDC655NON SemiconductorFDC655N
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1521 Stücke
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FDC655NON SemiconductorFDC655N
auf Bestellung 57000 Stücke:
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1521+0.43 EUR
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1521 Stücke
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FDC6561/5G1GFAI
auf Bestellung 2700 Stücke:
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FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
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3000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6561AN
Produktcode: 174745
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FDC6561ANonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH 30V
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2+1.82 EUR
10+0.84 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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3000+0.38 EUR
9000+0.37 EUR
24000+0.32 EUR
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FDC6561ANonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6561AN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 100543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.23 EUR
170+1.37 EUR
255+0.84 EUR
500+0.6 EUR
1500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+0.6 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561ANonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 N-CH 30V
auf Bestellung 6074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.55 EUR
10+0.96 EUR
100+0.65 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.38 EUR
9000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561ANonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
20+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6561AN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 100543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.23 EUR
170+1.37 EUR
255+0.84 EUR
500+0.6 EUR
1500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561AN-NB5S007AonsemiDescription: FET 30V 95.0 MOHM SSOT6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
auf Bestellung 22283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
455+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561AN-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561AN/561FAIR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561AN\651FAIRCHILSOT-163
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561AN_NLFAIRCHIL
auf Bestellung 53000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561AN_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APONSEMIDescription: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 34430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.8 EUR
210+1.11 EUR
292+0.74 EUR
500+0.56 EUR
1500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 8.1nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: -4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.15 EUR
94+0.9 EUR
109+0.79 EUR
154+0.56 EUR
177+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 10694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+0.68 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.44 EUR
9000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.82 EUR
251+0.67 EUR
299+0.54 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APonsemi / FairchildMOSFETs -30VSgl P-Chl LogLv PwrTrch MOSFET
auf Bestellung 28254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+0.96 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.61 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V
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FDC658APONSEMIDescription: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
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FDC658AP
Produktcode: 123114
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FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
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