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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMM128GMG-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD MICROSD 128GB MLC
Packaging: Tray
Memory Size: 128GB
Memory Type: microSD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+570.85 EUR
10+525.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMM128GMG-XE00Flexxon Pte LtdDescription: WORM MICROSD 128GB MLC GOLD GRAD
Memory Size: 128GB
Packaging: Tray
Part Status: Active
Technology: MLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: microSD™
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+483.94 EUR
10+476.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMM128GMG-XR00Flexxon Pte LtdDescription: ROM MICROSD 128GB MLC GOLD GRADE
Technology: MLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: microSD™
Memory Size: 128GB
Packaging: Box
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+488.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMM128GMG-XS00Flexxon Pte LtdDescription: X-MASK MICROSD 128GB MLC GOLD GR
Technology: MLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: microSD™
Memory Size: 128GB
Packaging: Box
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+488.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMM128MSE-1001Flexxon Pte LtdDescription: FXPRO I MICROSD 128MB SLC DIAMON
Packaging: Tray
Memory Size: 128MB
Memory Type: microSD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: SLC
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMM256GBC-3100Flexxon Pte LtdDescription: FXADV MICROSD 256GB 3D TLC (-25C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+257.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMM256GBC-3200Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD MICROSD 256GB TLC
Packaging: Tray
Memory Size: 256GB
Memory Type: microSD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: TLC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMM256GBC-3200FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMM256GBC-3200 - Flash-Speicherkarte, MicroSD-Karte, 256 GB, A2
tariffCode: 85235110
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 256GB
isCanonical: Y
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
euEccn: NLR
Flash-Speicherkarte: MicroSD-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: FxAdv II Series
productTraceability: No
Anwendungsleistungsklasse: A2
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+151.56 EUR
5+123.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMM256GBC-5700FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMM256GBC-5700 - Flash-Speicherkarte, MicroSD Express-Karte, 256 GB, Klasse 10, UHS-I U3, V30
tariffCode: 85235110
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: V30
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 256GB
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: Klasse 10
euEccn: NLR
Flash-Speicherkarte: MicroSD Express-Karte
UHS-Standard: UHS-I U3
Produktpalette: Fx Premium Series
productTraceability: No
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+488.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMM256GBG-3201Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD MICROSD 256GB TLC
Packaging: Tray
Memory Size: 256GB
Memory Type: microSD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: TLC
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+231.73 EUR
10+208.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMM256GBG-XR00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMM256GBG-XR00 - Flash-Speicherkarte, MicroSDXC-Karte, 256 GB, -25 °C, 85 °C
tariffCode: 85235110
Flash-Speicherkarte: MicroSDXC-Karte
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Speicherkapazität: 256GB
Versorgungsspannung, nom.: -
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+295.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMM256GBG-XS00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMM256GBG-XS00 - Flash-Speicherkarte, MicroSD-Karte, 256 GB
tariffCode: 85235110
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 256GB
isCanonical: Y
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
euEccn: NLR
Flash-Speicherkarte: MicroSD-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: X-Mask Series
productTraceability: No
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+325.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMM256MSE-N100FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMM256MSE-N100 - Flash-Speicherkarte, MicroSDXC-Karte, 256 MB
tariffCode: 85235110
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 256MB
isCanonical: Y
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
euEccn: NLR
Flash-Speicherkarte: MicroSDXC-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: FxPrem I Series
productTraceability: No
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+48.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMM512GBC-3200FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMM512GBC-3200 - Flash-Speicherkarte, MicroSDXC-Karte, 512 GB, A2
tariffCode: 85235110
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 512GB
isCanonical: Y
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
euEccn: NLR
Flash-Speicherkarte: MicroSDXC-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: FxAdv II Series
productTraceability: No
Anwendungsleistungsklasse: A2
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+333.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMM512GEC-T300Flexxon Pte LtdDescription: FXMAV MICROSD 512GB QLC COMMERCI
Packaging: Tray
Memory Size: 512GB
Memory Type: microSD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: QLC
Part Status: Active
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+298.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMM512MSE-1001Flexxon Pte LtdDescription: MEM CRD MICROSD 512MB CLS 10 SLC
Packaging: Tray
Memory Size: 512MB
Speed: Class 10
Memory Type: microSD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: SLC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMM512MSG-1001Flexxon Pte LtdDescription: FXPRO I MICROSD 512MB SLC GOLD G
Packaging: Tray
Memory Size: 512MB
Speed: UHS Class 1
Memory Type: microSD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: SLC
Part Status: Active
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.75 EUR
10+37.01 EUR
25+36.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8203onsemiMOSFETs Dual PT5 N-Ch & Dual PT1 PCH PowerTrench
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+3.08 EUR
100+2.12 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8203onsemiDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V, 850pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
auf Bestellung 17884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.14 EUR
10+2.65 EUR
100+1.81 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8203ON Semiconductor
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8203onsemi / FairchildMOSFETs Dual PT5 N-Ch & Dual PT1 PCH PowerTrench
auf Bestellung 1701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.27 EUR
10+2.84 EUR
25+2.68 EUR
100+2.05 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.5 EUR
3000+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8203onsemiDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V, 850pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.18 EUR
6000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8203ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-80V; 6/-6A; 2.5W; WDFN12
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-80V
Drain current: 6/-6A
Power dissipation: 2.5W
Case: WDFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 323/191mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19/5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Semiconductor structure: common drain
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMQ8205 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 57 V, 57 V, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 57V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 57V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 57V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: GreenBridge 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.45 EUR
500+5.55 EUR
1000+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205ONS/FAIOR CTRLR BRIDGE RECT MLP-12 Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+8.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205onsemiHot Swap Voltage Controllers GreenBridge 2 Series HE Bridge Rectifiers
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.54 EUR
10+8.44 EUR
25+6.95 EUR
100+6.31 EUR
250+6.2 EUR
1000+5.71 EUR
3000+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 12-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.54 EUR
29+5.83 EUR
37+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMQ8205 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 57 V, 57 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 57V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.147ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 57V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: GreenBridge 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.52 EUR
24+9.72 EUR
100+7.84 EUR
500+6.94 EUR
1000+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205onsemiDescription: IC OR CTRLR BRIDGE RECT 12MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Bridge Rectifier
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 57V (Max)
Applications: Power Over Ethernet (PoE)
Internal Switch(s): Yes
FET Type: N and P-Channel
Ratio - Input:Output: Bridge (2)
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Current - Supply: 400 µA
auf Bestellung 3854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.78 EUR
10+7.93 EUR
100+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 12-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.54 EUR
29+5.96 EUR
37+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205onsemi / FairchildHot Swap Voltage Controllers GreenBridge 2 Series HE Bridge Rectifiers
auf Bestellung 1694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12 EUR
10+8.46 EUR
25+8.33 EUR
100+6.28 EUR
250+6.26 EUR
500+5.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205onsemiDescription: IC OR CTRLR BRIDGE RECT 12MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Bridge Rectifier
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 57V (Max)
Applications: Power Over Ethernet (PoE)
Internal Switch(s): Yes
FET Type: N and P-Channel
Ratio - Input:Output: Bridge (2)
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Current - Supply: 400 µA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 12-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205Aonsemi / FairchildBridge Rectifiers GreenBridgeTM 2 Series of High-Efficiency Bridge Rectifiers
auf Bestellung 8825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.75 EUR
10+5.11 EUR
100+3.62 EUR
500+3.28 EUR
1000+3.12 EUR
3000+2.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 12-Pin MLP EP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.77 EUR
6000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205AonsemiDescription: GREENBRIDGETM 2 SERIES OF HIGH-E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Bridge Rectifier
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 57V (Max)
Applications: Power Over Ethernet (PoE)
Internal Switch(s): Yes
FET Type: N and P-Channel
Ratio - Input:Output: Bridge (2)
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
Current - Supply: 400 µA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 12-Pin MLP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205AONSEMIDescription: ONSEMI - FDMQ8205A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 12Pins
Produktpalette: GreenBridge 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.45 EUR
500+3.96 EUR
1000+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 12-Pin MLP EP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.76 EUR
6000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205AonsemiBridge Rectifiers FET 100V QUAD N&P CHANNEL MLP
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.56 EUR
10+6.24 EUR
100+4.66 EUR
500+3.92 EUR
1000+3.62 EUR
3000+3.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 12-Pin MLP EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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3000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205AONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3A; 2.5W; WDFN12
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: WDFN12
On-state resistance: 51/147mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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FDMQ8205AONSEMIDescription: ONSEMI - FDMQ8205A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: GreenBridge 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.27 EUR
36+6.57 EUR
100+4.22 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205AonsemiDescription: GREENBRIDGETM 2 SERIES OF HIGH-E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Bridge Rectifier
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 57V (Max)
Applications: Power Over Ethernet (PoE)
Internal Switch(s): Yes
FET Type: N and P-Channel
Ratio - Input:Output: Bridge (2)
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
Current - Supply: 400 µA
auf Bestellung 1625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.9 EUR
10+5.89 EUR
100+4.18 EUR
500+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDMQ8205AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 12-Pin MLP EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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3000+2.7 EUR
6000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMQ8205A
Produktcode: 189272
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FDMQ8205AONS/FAIOR Controller Bridge Rectifier N and P-Channel Bridge (2) 12-MLP (5x4.5) Транзистори
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FDMQ8205AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 12-Pin MLP EP T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
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250+3.59 EUR
500+3.5 EUR
1000+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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FDMQ8403onsemi / FairchildMOSFETs SER BOOST LED DRVR
auf Bestellung 2977 Stücke:
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1+7.1 EUR
10+5.18 EUR
25+4.99 EUR
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500+3.58 EUR
1000+3.39 EUR
3000+3.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8403onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
auf Bestellung 20501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.79 EUR
10+5.15 EUR
100+3.64 EUR
500+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDMQ8403ON Semiconductor
auf Bestellung 5950 Stücke:
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FDMQ8403ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMQ8403 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench GreenBridge Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 17W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 11252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.18 EUR
500+3.88 EUR
1500+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDMQ8403onsemiMOSFETs SER BOOST LED DRVR
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.77 EUR
10+5.55 EUR
100+4.13 EUR
500+3.56 EUR
3000+3.31 EUR
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FDMQ8403ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMQ8403 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench GreenBridge Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 17W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10047 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.34 EUR
50+6.03 EUR
100+4.22 EUR
500+3.64 EUR
1500+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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FDMQ8403onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMQ86530LonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2295pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ86530LONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 60V; 8A; Idm: 50A; 22W; MLP12
Type of transistor: N-MOSFET x4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 22W
Case: MLP12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level; MOSFET H-Bridge
Pulsed drain current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMQ86530Lonsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 23625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.81 EUR
10+4.57 EUR
25+4.41 EUR
100+3.33 EUR
250+3.2 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ86530LonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2295pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.25 EUR
10+5.45 EUR
100+3.84 EUR
500+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ86530LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0175ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.62 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ86530LonsemiMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.35 EUR
10+5.51 EUR
100+3.92 EUR
500+3.36 EUR
3000+3.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ86530LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.97 EUR
38+6.13 EUR
100+3.99 EUR
500+3.62 EUR
1000+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS001GSE-1004Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 1GB UHS CLASS 1 SLC
Packaging: Tray
Memory Size: 1GB
Speed: UHS Class 1
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: SLC
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS001N025DSDONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS001N025DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: TO-263AB
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS001N025DSDonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 19A 8PQFN
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 104nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.92mOhm @ 38A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 13V, 5105pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 69A (Tc), 38A (Ta), 165A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS001N025DSDonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 19A 8PQFN
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 104nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.92mOhm @ 38A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 13V, 5105pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 69A (Tc), 38A (Ta), 165A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
247+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS001N025DSDON Semiconductor
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS001TEC-T300Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 1TB QLC
Packaging: Tray
Memory Size: 1TB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: QLC
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+413.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS002G-C60Flexxon Pte LtdDescription: SD 2GB
Part Status: Active
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 2GB
Packaging: Box
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS002GPE-N200Flexxon Pte LtdDescription: FXPREM II SD 2GB PSLC DIAMOND GR
Packaging: Tray
Memory Size: 2GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS003N08ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+6.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS003N08CON SemiconductorN Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS003N08CON Semiconductor
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS003N08CON SemiconductorN Channel MOSFET
auf Bestellung 393000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.05 EUR
96000+1.84 EUR
192000+1.68 EUR
288000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS003N08CONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS003N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 20030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+10.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS003N08ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.73 EUR
10+10.91 EUR
100+9.09 EUR
500+8.02 EUR
1000+7.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS003N08ConsemiMOSFETs FET 80V 147A 3.1 mOhm
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.43 EUR
10+9.84 EUR
100+7.64 EUR
1000+7.56 EUR
3000+6.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004G-CA0FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS004G-CA0 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 4 GB, UHS-I U1
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 4GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte
UHS-Standard: UHS-I U1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+29.43 EUR
10+26.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004G-CA0Flexxon Pte LtdDescription: SD 4GB
Packaging: Box
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Part Status: Active
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.64 EUR
10+25.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004GMC-XE00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS004GMC-XE00 - Flash-Speicherkarte, MicroSDHC-Karte, 4 GB, Klasse 10
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 4GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: -
Betriebstemperatur, min.: -
Standard-Geschwindigkeitsklasse: Klasse 10
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: MicroSDHC-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: -
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004GMC-XE00Flexxon Pte LtdDescription: WORM SD 4GB MLC COMMERCIAL GRADE
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Part Status: Active
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004GME-1004Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 4GB UHS CLASS 1 MLC
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Speed: UHS Class 1
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004GME-XE00Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 4GB MLC
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.45 EUR
10+41.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004GME-XR00Flexxon Pte LtdDescription: ROM SD 4GB MLC DIAMOND GRADE
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Part Status: Active
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.02 EUR
10+42.63 EUR
25+41.28 EUR
50+40.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004GME-XS00Flexxon Pte LtdDescription: X-MASK SD 4GB MLC DIAMOND GRADE
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Part Status: Active
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004GMG-XE00Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 4GB MLC
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Technology: MLC
Part Status: Active
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004GPC-1004Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 4GB UHS CLASS 1 SLC
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Speed: UHS Class 1
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: SLC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004GPE-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 4GB PSLC
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004GPG-1001Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 4GB UHS CLASS 1 PSLC
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Speed: UHS Class 1
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004GPG-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 4GB PSLC
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004GPG-XR00Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 4GB PSLC
Packaging: Box
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004GPG-XS00Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 4GB PSLC
Packaging: Box
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004GSE-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 4GB SLC
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: SLC
Part Status: Active
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+136.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004GSG-1001Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 4GB UHS CLASS 1 SLC
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Speed: UHS Class 1
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: SLC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004GTTE7-103-15Flexxon Pte LtdDescription: FXPRO I SD 4GB PSLC DIAMOND GRAD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004N08CONN
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004N08ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 40 V
auf Bestellung 2561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.02 EUR
10+4.58 EUR
100+3.2 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004N08ConsemiMOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004N08ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS007N08LConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 92.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
auf Bestellung 2916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.43 EUR
10+3.51 EUR
100+2.43 EUR
500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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