Produkte > IPA
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 803 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R360P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm | auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R360P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; Idm: 34A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8.6A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V | auf Bestellung 415 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R450P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A Tube | auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R450P7 | Infineon / IR | MOSFETs LOW POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R450P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Case: TO220-3 On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Power dissipation: 29W Gate charge: 24nC | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 1592 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1344 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R450P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 29W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R460CE | Infineon | 800V,10.8A,N Channel Power MOSFET Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R460CE | Infineon technologies | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA80R460CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 7.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R460CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 621 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R460CEXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA80R460CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.8 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 10.8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V | auf Bestellung 495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R460CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.8A; 34W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10.8A Power dissipation: 34W Case: TO220-3 On-state resistance: 390mΩ Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 6950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R460CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R600P7 | Infineon Technologies | Infineon LOW POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R600P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R600P7 | Infineon | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA80R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R600P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 28W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm | auf Bestellung 619 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V | auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 901 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R650CE | Infineon technologies | auf Bestellung 465 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA80R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R650CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 658 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R650CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R650CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R650CEXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3F Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R650CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R650CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 658 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R650CEXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA80R650CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 33W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R650CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R750P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R750P7XKSA1 Produktcode: 193874
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| IPA80R750P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R750P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 388 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R750P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R750P7XKSA1 | Infineon | N-Channel 800V 7A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R750P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220 Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | auf Bestellung 442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA80R900P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R900P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R900P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 27W Gate charge: 17nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 4.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.75Ω | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R900P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R900P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R900P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R900P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA80R900P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA80R900P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA80R900P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 26W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm | auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA90R1K0C3 | Infineon technologies | auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA90R1K0C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 5.7A TO220FP-3 CoolMOS C3 | auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA90R1K0C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA90R1K0C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-FP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA90R1K0C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA90R1K0C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.7 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 5.7 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 32 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 32 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA90R1K0C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA90R1K2C3 | Infineon technologies | auf Bestellung 318 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA90R1K2C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 900V 3.1A TO220FP-3 CoolMOS C3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA90R1K2C3 Produktcode: 144790
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA90R1K2C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA90R1K2C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 5.1 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 31 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 31 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA90R1K2C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 3.1A TO220FP-3 CoolMOS C3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA90R1K2C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-FP Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA90R1K2C3XKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA90R1K2C3XKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA90R1K2C3XKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA90R1K2C3XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 31W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm | auf Bestellung 787 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA90R1K2C3XKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA90R1K2C3XKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 19170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA90R1K2C3XKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA90R340C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA90R340C3 Produktcode: 129251
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| IPA90R340C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA90R340C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA90R340C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO220-FP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
