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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4425BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425BDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425D
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DDY-T1-E3
auf Bestellung 13200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.57 EUR
86+1 EUR
130+0.65 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4425DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.7 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 5.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
auf Bestellung 4773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.09 EUR
100+2.34 EUR
151+1.43 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
auf Bestellung 14904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
14+1.59 EUR
50+1.19 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.64 EUR
160+1.06 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.83 EUR
132+1.26 EUR
168+0.95 EUR
190+0.81 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 9128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.17 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.67 EUR
7500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DDY-T1-GE3
Produktcode: 179533
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.83 EUR
132+1.29 EUR
168+0.99 EUR
190+0.86 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DYVishay SemiconductorP-канальный ПТ (Vds=-30V, Id=8.5A , Rds=0.023R).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DYVISHAY09+
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DYUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
25+0.87 EUR
50+0.63 EUR
100+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DYUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DY-T1VISHAY
auf Bestellung 6295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DYT1VISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425FDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425FDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SO8 P-CH 30V 12.7A
auf Bestellung 60354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.05 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425FDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4425FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18.3 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 4.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 4.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425FDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18.3A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18.3A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -70A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425FDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4425FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18.3 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 4.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425FDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
auf Bestellung 1687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
15+1.44 EUR
50+1.06 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 18.3A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4426
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4426DYVISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4426DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4426DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4426DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4426DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4426DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V N-CHANNEL 2.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4426DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4426DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 8.5A 2.5W 25mohm @ 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4426DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4426DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4427
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4427BDYVishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4427BDY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 51800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4427BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4427BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4427BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4427BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 13.3A 3W
auf Bestellung 4159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.73 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4427BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.39 EUR
10+2.3 EUR
100+1.63 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4427BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 12.6A 2.5W 12.5mohm @ 4.5V
auf Bestellung 2279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.31 EUR
10+2.75 EUR
100+2.18 EUR
250+2.02 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.57 EUR
2500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4427BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4427BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4427BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4427BDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4427DYVISHAY09+
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4427DY-T1
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4427DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4427DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4427DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4428DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4429
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4429DYVISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4429DY-T1
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4429DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4429EDY-T1VISHAY
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4429EDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI443
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430SISOP-8
auf Bestellung 3460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430-A0-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -118dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 28mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430-A0-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM 20VFQFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430-A0-FMRSilicon LabsRF Transceiver +13 dBm sub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430-B1-FMSilicon Laboratories+13 dBm Sub-GHz Transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430-B1-FMSilicon LabsRF Transceiver +13 dBm sub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430-B1-FMSilicon LabsQFN 20/I°/+13DBM SI4430 EZRADIOPRO TRANSCEIVER (REV B1) SI4430
Anzahl je Verpackung: 91 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430-B1-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.48 EUR
10+17.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430-B1-FMRSilicon LabsRF Transceiver +13 dBm sub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430-B1-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/+13DBM SI4430 EZRADIOPRO TRANSCEIVER (REV B1) SI4430
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430-B1-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Not For New Designs
Serial Interfaces: SPI
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Modulation: FSK, GFSK, OOK
GPIO: 3
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Receiving: 18.5mA
Power - Output: 13dBm (Max)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: TxRx Only
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -121dBm
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430AH
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430BDY
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4430BDY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 60A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4430BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.63 EUR
10+3.45 EUR
100+2.4 EUR
500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4430BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 20A 0.0045Ohm
auf Bestellung 1633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.76 EUR
10+2.89 EUR
100+2.57 EUR
500+2.12 EUR
1000+2 EUR
2500+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4430BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430BDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4430BDY-T1-E3 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 14A, SOIC-8
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.6
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4430BDY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 20A 3.0W 4.5mohm @ 10V
auf Bestellung 2269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.32 EUR
10+2.84 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.8 EUR
2500+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430BDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 60A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430BDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430DYVISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430DY-T1VISHAY0343+
auf Bestellung 3240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4430DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431SISOP-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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